公开(公告)号：CN104241151B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201410271708.0

申请日：2014-06-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.巴耶雷尔 ,  W.吕尔布克

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4896 ,  H01L23/053 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  Y02P80/30 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01201

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体模块的方法。根据一个方面，提供具有金属化层（21）的电路载体（2）以及导电的导线（4）和接合装置。借助该接合装置（5）在该金属化部（21）与该导线（4）的第一片段（41、41`）之间制造接合连接。在该导线（4）上设定断开位置（45）以及该导线（4）的与该断开位置（45）有间距的第二片段（42）。在该第二片段（42）中对该导线（4）进行整形。在整形之前或之后在该断开位置（45）上断开该导线（4），如此使得由该导线（4）的一部分来构成该半导体模块的连接导体（49），其中该连接导体接合在该金属化部（21）上并在该断开位置（45）上具有自由端。

公开(公告)号：CN106486450A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610730700.5

申请日：2016-08-26

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 ,  枪田聪明 ,  崎田熊祐 ,  安德优希 ,  陈炜

IPC: H01L23/49

CPC classification number: B23K35/0227 ,  B21C1/02 ,  B23K35/302 ,  B32B15/018 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  C23C14/165 ,  C23C14/35 ,  C23C26/00 ,  C25D3/50 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01206 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2924/0132

Abstract: 本发明提供了一种球焊用钯(Pd)被覆铜线，其用以解决“CuAl的金属间化合物在初期形成于量产的接合线的FAB所形成的熔融焊球与铝垫的接合界面”这样的课题，并且可使钯(Pd)微粒子均匀分散于熔融焊球的表面，而适用于量产化。本发明的球焊用钯(Pd)被覆铜线，其为线径在10～25μm的球焊用钯(Pd)被覆铜线，于纯铜(Cu)或铜(Cu)纯度为98质量％以上的铜合金所构成的芯材上形成有钯(Pd)延伸层，其中该钯(Pd)延伸层为含有硫(S)、磷(P)、硼(B)或碳(C)的钯(Pd)层。

公开(公告)号：CN103314651B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201180062276.7

申请日：2011-12-16

Applicant: 安美特德国有限公司

Inventor： M·厄茨柯克 ,  G·拉莫斯 ,  A·基利安

IPC: H05K3/24 ,  H01L23/498

CPC classification number: H05K13/04 ,  H01B1/02 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05464 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/09 ,  H05K3/244 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/095 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01001

Abstract: 本发明涉及将铜线键合到基板尤其是印刷电路板和IC基板上的方法，所述基板具有包括铜键合部分和钯或钯合金层的层组合件，还涉及具有键合到上述层组合件上的铜线的基板。

公开(公告)号：CN105324838A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201580000889.6

申请日：2015-03-31

Applicant: 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

Inventor： 山田隆 ,  小田大造 ,  大石良 ,  榛原照男 ,  宇野智裕

IPC: H01L21/60 ,  B21C1/00 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01201

Abstract: 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。

公开(公告)号：CN104241151A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410271708.0

申请日：2014-06-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.巴耶雷尔 ,  W.吕尔布克

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4896 ,  H01L23/053 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  Y02P80/30 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01201 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体模块的方法。根据一个方面，提供具有金属化层（21）的电路载体（2）以及导电的导线（4）和接合装置。借助该接合装置（5）在该金属化部（21）与该导线（4）的第一片段（41、41`）之间制造接合连接。在该导线（4）上设定断开位置（45）以及该导线（4）的与该断开位置（45）有间距的第二片段（42）。在该第二片段（42）中对该导线（4）进行整形。在整形之前或之后在该断开位置（45）上断开该导线（4），如此使得由该导线（4）的一部分来构成该半导体模块的连接导体（49），其中该连接导体接合在该金属化部（21）上并在该断开位置（45）上具有自由端。

公开(公告)号：CN104205314A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380015809.5

申请日：2013-03-12

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 伊藤慎吾

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48451 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85948 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033

Abstract: 本发明的半导体装置具有：搭载于基板的半导体元件；以铝为主要成分、设置于半导体元件的电极焊盘；将设置于基板的连接端子和电极焊盘连接、以铜为主要成分的铜线；和封装半导体元件和铜线的封装树脂。该半导体装置在大气中以200℃加热16小时时，在铜线与电极焊盘的接合部形成有含有选自钯和铂中的任意的金属的阻挡层。

公开(公告)号：CN101842505A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880113496.6

申请日：2008-09-11

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 村井博 ,  千叶淳 ,  天田富士夫

IPC: C22C5/02 ,  H01L21/60

CPC classification number: C22C5/02 ,  B23K35/3013 ,  H01L24/02 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78303 ,  H01L2224/78306 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006

Abstract: 于高纯度金接合线，消除归因于添加元素氧化物的附着引起的第二次压接不良。由镁5～100质量％、铟5～20质量％、铝15～20质量％、镱5～20质量％、及余量为纯度99.995质量％以上的金而成的金合金接合线。再添加镧5～20质量％、镏5～20质量％、锡5～100质量％、锶5～100质量％之中的一种以上，或使于此等的金合金内含有钯0.01～1.2质量％。含有此等的微量元素的接合线，系于藉由微小放电而形成焊球时及第一次接合时生成而附着于毛细管尖端部的微量添加元素氧化物于第二次接合时由于会转印至接合线，而不蓄积，所以不致生成由于此等的蓄积污染物质引起的障碍。

公开(公告)号：CN107109532A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580062949.7

申请日：2015-11-26

Applicant: 贺利氏材料新加坡私人有限公司

Inventor： 廖金枝 ,  张兮 ,  M·萨兰加帕尼 ,  S·毕诺巴吉 ,  T·E·富由·富由 ,  卓志伟

IPC: C22C9/00 ,  B32B15/01 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C28/00

CPC classification number: C22C9/00 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C22C1/02 ,  C22C1/03 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C28/023 ,  C23C28/042 ,  C25D5/10 ,  C25D7/0607 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203

Abstract: 一种包括芯的线，所述芯包括以下各项或由以下各项组成：(a)镍，其量处于从0.005wt.‑％到5wt.‑％的范围中，(b)任选地，银，其量处于从0.005wt.‑％到1wt.‑％的范围中，c)铜，其量处于从94wt.‑％到99.98wt.‑％的范围中，及(d)0wt.‑ppm到100wt.‑ppm的其它组分，其中以wt.‑％及wt.‑ppm计的所有量均基于所述芯的总重量，其中所述芯具有处于从1.5μm到30μm的范围中的平均晶粒大小，所述平均大小是根据线截取方法而确定，其中所述线具有处于从8μm到80μm的范围中的平均直径。

公开(公告)号：CN102136469B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201010610706.1

申请日：2010-11-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H·哈通 ,  D·西佩

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/488 ,  H01L23/29 ,  H01L23/15 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/40 ,  H01L23/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203

Abstract: 本发明涉及功率半导体模块以及操作功率半导体模块的方法。本发明涉及功率半导体模块(100)，其包括被设置在绝缘载体(20)的金属化层(22)上的功率半导体芯片(8)。在连接位置(8c)处，连接导体(85)被接合至功率半导体芯片(8)的背离电路载体(2)的那一面。封装化合物(5)从电路载体(2)延伸至至少在功率半导体芯片(8)的背离电路载体(2)的那一面上，并完全覆盖所述面。此外，封装化合物至少在连接位置(8c)的区域中包围连接导体(85)。封装化合物依照DIN ISO 2137在25℃温度下具有小于或等于30的穿透率。在功率半导体模块工作期间，功率半导体芯片(8)以至少20秒的持续时间工作在不低于150℃的结温度下。

公开(公告)号：CN105006513A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201410168512.9

申请日：2014-04-24

Applicant: 光洋应用材料科技股份有限公司

Inventor： 彭政展 ,  郑云楷 ,  郑惠文 ,  林育玮

IPC: H01L33/62 ,  B32B15/01 ,  B32B15/02

CPC classification number: H01L2224/45 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种银合金线材，其包括一芯线、一镀金层及形成于该镀金层及该芯线之间的一镀钯层，该芯线包含银、钯、第一添加成分及第二添加成分，该第一添加成分可为铂、镍或铜，该第二添加成分可为锗、铈、金或铱，以该芯线的总重量为基准，钯的含量大于或等于1.1wt％且小于或等于2.8wt％，第一添加成分的含量大于0.1wt％且小于1wt％，第二添加成分的含量大于0.02wt％且小于0.2wt％。因此，本发明的银合金线材不仅能兼具良好导电性、抗氧化能力、伸线作业性、结球稳定性、PCT可靠度以及u-HAST可靠度，更能具体提升银合金线材与封装材料之间的界面接合强度。