公开(公告)号：CN101453098B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200810178899.0

申请日：2008-12-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川上俊之 ,  川口佳伸 ,  神川刚

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/028 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法。在使用具有六方晶体结构的氮化物半导体的激光芯片1中，-c面被用作第一谐振器端面A，其为通过其光被发射得激光芯片1侧。在第一谐振器端面A上，也就是在-c面上，形成端面保护膜14。这确保在第一谐振器端面A和端面保护膜14之间稳固地接合，并减轻第一谐振器端面A的退化。

公开(公告)号：CN101741010A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910204220.5

申请日：2009-10-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 薮下智仁 ,  川口靖利 ,  上田章雄 ,  石桥明彦

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3213 ,  H01S2301/18 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明在GaN基板上形成平坦性及结晶性优越的III族氮化物系半导体层，得到接近高斯形状的垂直FFP形状。氮化物半导体激光装置具有层叠结构体(120)，该层叠结构体(120)包括：包括n型GaN的基板(101)；在基板(101)的主面上与该主面相接而形成的包括AlxGa1-xN(其中，x为0＜x＜1)的n型包覆层(102)；在该n型包覆层(102)上形成的MQW活性层(104)；在该MQW活性层(104)上形成的p型包覆层(107)。基板(101)的主面相对于面方位的(0001)面以0.35°以上且0.7°以下的范围倾斜。另外，构成n型包覆层(102)的AlxGa1-xN中的Al组成x为0.025以上且0.04以下。

公开(公告)号：CN101568671A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001356.X

申请日：2008-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  元木健作

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/32341 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02656 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/2201 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供一种具有提高了的成品率的GaN外延衬底、使用GaN外延衬底的半导体器件以及用于制造该GaN外延衬底和半导体器件的方法。GaN外延衬底制造方法具有：第一GaN层形成步骤，在基础衬底上外延生长第一GaN层；凹陷部形成步骤，在第一GaN层形成步骤之后，在基础衬底的上表面上形成凹陷部；以及第二GaN层形成步骤，在凹陷部形成步骤之后，在第一GaN层上外延生长第二GaN层。因而，抑制了裂纹的产生并提高了成品率。

公开(公告)号：CN101499621A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910126754.0

申请日：2009-01-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 广山良治 ,  井上大二朗 ,  别所靖之 ,  畑雅幸

IPC: H01S5/02

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/16 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201

Abstract: 本发明提供半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：基板；和在基板的表面上形成的、具有在与表面平行的第一方向上延伸的光波导的半导体层，光波导在与表面平行且与第一方向交叉的第二方向上，形成于从半导体激光元件的中央部偏向一侧的区域中，在半导体激光元件的上表面上形成有第一区域和第一凹部，该第一区域位于与光波导的上述一侧相反的一侧，与光波导分开并与第一方向平行地延伸，该第一凹部在光波导的端面的延长线上，与光波导分开并与第一区域交叉，并且在第二方向上延伸，第一区域中的半导体层的厚度小于第一区域以外的区域中的半导体层的厚度。

公开(公告)号：CN101471536A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810190673.2

申请日：2008-12-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川上俊之 ,  神川刚 ,  谷健太郎

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/16 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333

Abstract: 提供了一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片既可以改善其COD水平，也可以防止其I－L特性曲线陡峭上升并可以降低工作电压。该氮化物半导体激光器芯片包括：构成氮化物半导体层并形成在n型GaN衬底上的层；镜面，包括光发射镜面和光反射镜面；p侧欧姆接触，形成在上接触层上以到达镜面；和p侧垫接触，形成在离光发射镜面为距离L1的区域中。调节p侧欧姆接触的厚度d和p侧垫接触到光发射镜面的距离L1，使得注入至光发射镜面的电流量是注入至在p侧垫接触正下方的区域的电流量的20％以上且70％以下。

公开(公告)号：CN100499299C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200510056281.3

申请日：2005-04-04

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 松山裕司 ,  铃木真二 ,  伊势康介 ,  道上敦生 ,  米田章法

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种氮化物半导体激光元件，是在氮化物半导体基板的主面上具有第1导电型的氮化物半导体层、活性层、导电型不同于第1导电型的第2导电型的氮化物半导体层、和形成在所述第2导电型的氮化物半导体层上的条纹状的隆起部，所述氮化物半导体基板的主面上，相对于基准结晶面，至少在与所述条纹状的隆起部大致平行的方向上具有偏角a(θa)，或者与该偏角a(θa)大致垂直的方向上具有偏角b(θb)。本发明的目的是在宽范围的波长带中，使氮化物半导体层的组成分布、例如活性层的结晶性和In含量均匀，从而提供一种寿命特性和元件特性更加优良的元件。

公开(公告)号：CN101340058A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810144617.5

申请日：2008-07-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/00 ,  H01L21/205 ,  C30B29/40 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/325 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及氮化物类半导体叠层结构、半导体光元件以及其制造方法。本发明提供氮化物类半导体叠层结构，其包含采用了有机金属化合物的III族原料和包含肼衍生物的V族原料的低电阻的p型氮化物类半导体层。可以构成电阻值低的p型氮化物类半导体层的工作效率良好的氮化物类半导体叠层结构。其具备基板和在该基板上配设的、采用有机金属化合物的III族原料、包含氨和肼衍生物的V族原料及p型杂质原料而形成的、所含碳浓度为1×1018cm－3以下的p型氮化物类半导体层。

公开(公告)号：CN1309127C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410083363.2

申请日：2004-09-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 辰巳正毅

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/026

CPC classification number: G11B7/1275 ,  G11B2007/0006 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明公开一种包括多个激光振荡部的单片多波长激光元件及其制造方法，所述单片多波长激光元件包括：衬底(101)，带有脊状部分的第一波长激光振荡部(102)，和带有脊状部分的第二波长激光振荡部(103)，并且第一波长激光振荡部(102)和第二波长激光振荡部(103)均包括：由覆盖脊状部分的侧面并延伸到与脊状部分的底面相连的平面的至少一部分区域的半导体薄膜构成的电流阻止层(131)；和覆盖在电流阻止层(131)上的绝缘层(132)，其由具有比电流阻止层(131)低的折射率的材料制成的绝缘性电介质薄膜构成。

公开(公告)号：CN1933203A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610159295.2

申请日：2002-10-03

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 朝妻庸纪 ,  冨谷茂隆 ,  玉村好司 ,  东条刚 ,  后藤修 ,  元木健作

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01S5/323 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/173

Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。

公开(公告)号：CN1897374A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610101777.2

申请日：2006-07-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  斋藤真司 ,  布上真也

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/10 ,  H01S5/30 ,  H01S5/323 ,  H01S5/00 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3216

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第1导电型覆层、设置于第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于第1导电型导层上的有源层、设置于有源层上的第2导电型导层、设置于第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述层分别由氮化物系III－V族化合物半导体构成；设置于有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由折射率与第1保护层不同的氮化物构成的第2保护层。