公开(公告)号：CN1323473C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200310118604.8

申请日：2003-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江崎瑞仙 ,  西垣亨彦 ,  高冈圭児

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18313 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明公开了一种表面发光型半导体激光器，通过设置从包含被氧化层(6a)的台面(100)的侧面使被氧化层进行氧化而形成的氧化区域(600)，在被氧化层的未被氧化部分使电流狭窄，其特征在于：在氧化区域和未被氧化部分的边界附近设置有包含质子的质子含有区域(15、16)。被氧化层在包围未被氧化部分的位置上具有注入了质子的质子含有区域，质子含有区域设置在从台面的侧面离开的位置上，并且质子含有区域中包含氧化区域和未被氧化部分。通过提高所选择的氧化中的氧化长度和电流狭窄区域的尺寸和形状的控制性能，能提高衬底面内的均匀性和再现性，抑制激光特性元件之间的误差，提高产量及其再现性。

公开(公告)号：CN1264262C

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200410003721.4

申请日：1996-11-06

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 中村修二 ,  长滨慎一 ,  岩佐成人

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01S5/343 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2202 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3206 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/3413 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。

公开(公告)号：CN1130808C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN98124880.2

申请日：1998-11-27

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 大矢昌辉 ,  远藤健司

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/173

Abstract: 一种光发射半导体元件包括生长在包层或中间层上的第一附加层。第一附加层的晶格常数不同于半导体衬底的第二晶格常数。光发射半导体元件安装到散热片上以形成激光器元件。散热片使光发射结构产生形变。在那里第一附加层产生应变并且抑制形变的影响。

公开(公告)号：CN1224260A

公开(公告)日：1999-07-28

申请号：CN98124880.2

申请日：1998-11-27

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大矢昌辉 ,  远藤健司

IPC: H01S3/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/173

Abstract: 一种光发射半导体元件包括生长在包层或中间层上的第一附加层。第一附加层的晶格常数不同于半导体衬底的第二晶格常数。光发射半导体元件安装到散热片上以形成激光器元件。散热片使光发射结构产生形变。在那里第一附加层产生应变并且抑制形变的影响。

公开(公告)号：CN1214806A

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN97193298.0

申请日：1997-03-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 足立秀人 ,  木户口勋 ,  熊渕康仁

IPC: H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3218 ,  H01S5/34326

Abstract: 一种半导体激光器至少包含一个活性层和一个饱和吸收层,并且饱和吸收层中的压缩应变量被设定得比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。或者,一种半导体激光器至少包含一个活性层、一个饱和吸收层和一个设置在饱和吸收层邻近的导光层;并且饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。

公开(公告)号：CN109087978A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810575825.4

申请日：2018-06-06

Applicant: 日本奥兰若株式会社

Inventor： 北谷健 ,  冈本薰 ,  中原宏治

IPC: H01L33/30 ,  H01L31/0304 ,  H01S5/323 ,  G02F1/015

CPC classification number: H01S5/3218 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/12 ,  H01S5/22 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/34366 ,  H01S2301/173 ,  H01S2301/176 ,  H01S2304/04 ,  H01L33/305 ,  G02F1/015 ,  H01L31/03042 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明涉及一种光半导体元件、光组件以及光模块，通过降低掺杂剂原料的供给不均，从而以低成本制造。所述光半导体元件具备：InP基板、配置于InP基板的上方的活性层、配置于活性层的下方的第一导电型半导体层以及配置于活性层的上方的第二导电型包覆层，第二导电型包覆层包含1或多层第二导电型In1-xAlxP层，在1或多层第二导电型In1-xAlxP层的各层中，Al组成x为相当于第二导电型掺杂剂的掺杂浓度的值以上，将第二导电型包覆层整体的总层厚设为临界层厚，第二导电型包覆层整体的平均应变量的绝对值为通过Matthews的关系式求得的临界应变量的绝对值以下。

公开(公告)号：CN109075533A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780022687.0

申请日：2017-05-03

Applicant: 镁可微波技术有限公司

Inventor： 马克·克劳利

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/34 ,  H01S5/20 ,  H01S5/227 ,  H01S5/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01S5/2205 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3434

Abstract: 半导体激光器可以包括衬底、有源区和电子阻止层。电子阻止层可以包括铝镓铟砷磷合金。铝镓铟砷磷合金可以具有AlxGayIn(1-x-y)AszP(1-z)组分。

公开(公告)号：CN104106185B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201380007558.6

申请日：2013-02-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 渡边博 ,  楯敦次 ,  粉奈孝行 ,  松原一平 ,  岩田圭司

IPC: H01S5/187

CPC classification number: H01S5/18377 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3432 ,  H01S2301/176

Abstract: 一种垂直共振腔面发射激光器(10)，其具备量子阱的活性层(50)、夹着该活性层(50)的第一包层(40)以及第二包层(60)、在第一包层(40)的与活性层(50)相反侧配置的第一多层膜反射层(30)、在第二包层(60)的与活性层(50)相反侧配置的第二多层膜反射层(80)、在第一多层膜反射层(30)的与第一包层(40)相反侧配置的第一电极(91)、以及在第二多层膜反射层(80)的与第二包层(60)相反侧配置的第二电极(92)。在第一包层(40)以及第二包层(60)的至少一方具备低活性能量层(42、62)，该低活性能量层(42、62)成为比用于形成活性层(50)的量子阱的锁光层的最小带隙小且比量子阱的带隙大的带隙。

公开(公告)号：CN103548156B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201280010124.7

申请日：2012-02-25

Applicant: 传感器电子技术股份有限公司

Inventor： M·舒尔 ,  R·格斯卡

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/32341

Abstract: 提供一种改进的发光异质结构。该异质结构包括有源区，该有源区具有一组势垒层和一组量子阱，每个量子阱与势垒层邻接。量子阱具有位于其中的δ掺杂的p型子层，其导致量子阱的带结构的改变。该改变可以减小量子阱中的极化效应，这可以提供来自有源区的改进的光发射。

公开(公告)号：CN103999305A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280062606.7

申请日：2012-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  住友隆道 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  梁岛克典 ,  田才邦彦 ,  中岛博

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 提供能够缩小光封闭性的降低并且降低驱动电压的氮化物半导体激光器。在半导体区域(19)中，发光层(13)的活性层(25)、第一包覆区域(21)以及第二包覆区域(23)设置在主面(17a)上。第二包覆区域(23)包括第一p型III族氮化物半导体层(27)以及第二p型III族氮化物半导体层(29)。第一p型III族氮化物半导体层(27)由AlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层(29)由与该AlGaN层不同的半导体构成。该AlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层(27)设置在第二p型III族氮化物半导体层(29)与活性层(25)之间。第二p型III族氮化物半导体层(29)的电阻率(ρ29)低于第一p型III族氮化物半导体层(27)的电阻率(ρ27)。