公开(公告)号：CN100481660C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200680000556.4

申请日：2006-07-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大矢昌辉

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 根据本发明的III族氮化物半导体发光器件包括：由III族氮化物半导体构成的有源层(105)；电流阻挡层(108)，其在有源层(105)上形成且具有条形孔(108a)；超晶格层(p型层109)，其掩埋孔(108a)并且由包括Al的III族氮化物半导体构成；和包层(110)，其在超晶格层上形成并且由包括Al的III族氮化物半导体构成。当超晶格层的平均Al组分比表示为x1并且包层(110)的平均Al组分比表示为x2时，其表示为x1＜x2。

公开(公告)号：CN101019285A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200680000556.4

申请日：2006-07-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大矢昌辉

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 根据本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：由Ⅲ族氮化物半导体构成的有源层(105)；电流阻挡层(108)，其在有源层(105)上形成且具有条形孔(108a)；超晶格层(p型层109)，其掩埋孔(108a)并且由包括Al的Ⅲ族氮化物半导体构成；和包层(110)，其在超晶格层上形成并且由包括Al的Ⅲ族氮化物半导体构成。当超晶格层的平均Al组分比表示为x1并且包层(110)的平均Al组分比表示为x2时，其表示为x1＜x2。

公开(公告)号：CN1224260A

公开(公告)日：1999-07-28

申请号：CN98124880.2

申请日：1998-11-27

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大矢昌辉 ,  远藤健司

IPC: H01S3/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/173

Abstract: 一种光发射半导体元件包括生长在包层或中间层上的第一附加层。第一附加层的晶格常数不同于半导体衬底的第二晶格常数。光发射半导体元件安装到散热片上以形成激光器元件。散热片使光发射结构产生形变。在那里第一附加层产生应变并且抑制形变的影响。

公开(公告)号：CN1225520A

公开(公告)日：1999-08-11

申请号：CN98123314.7

申请日：1998-11-04

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大矢昌辉 ,  土井健嗣

IPC: H01S3/18 ,  H01L33/00

Abstract: 在备有AlInP电流阻挡层的AlGaInP可视半导体激光器件中,提供可再降低电流阻挡层光吸收的结构及其方法。形成n－AlGaAs电流阻挡层9,使具有p－AlGaInP覆盖层5、7的平坦部和台面侧部的中间面方向,在其上形成n－AlInP电流阻挡层10。