一种用于聚晶立方氮化硼生产的高温高压烧结装置

    公开(公告)号:CN119857422A

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202411989269.7

    申请日:2024-12-31

    Abstract: 本发明提出了一种用于聚晶立方氮化硼生产的高温高压烧结装置,涉及立方氮化硼生产设备领域,以解决六面顶压机在使用时,六个钉锤的压力不一致等问题;包括六面顶压机主体,六面顶压机主体包括呈上、下、前、后、左、右分布的六组铰链梁,铰链梁内侧同轴固定有油缸件,油缸件的活塞杆通过隔热座同轴固定有钉锤件,油缸件外接液压单元,还包括补偿机构和增压密封机构;通过补偿板、环形补偿槽、环形槽以及储油缸等设置,根据连通器原理在六个油缸件内设置六个相互连通的补偿机构,对六个钉锤的缸体压力进行实时补偿,实现六个钉锤的压力一致性,同时这种方式也能避免出现累积误差。

    一种大腔体金刚石高效合成设备及其合成方法

    公开(公告)号:CN119857421A

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202311360197.5

    申请日:2023-10-19

    Abstract: 本发明公开了一种大腔体金刚石高效合成设备,属于金刚石合成设备技术领域,其中包括底座,所述底座的顶部固定连接有合成机构和立柱,所述立柱的顶部固定连接有固定台,所述固定台的顶部固定连接有甲烷罐和氢气罐,所述合成机构包括传压筒、导电堵头、导电金属片、内衬管、保温层、加热管和微波发生器;通过加热管、微波发生器、甲烷罐和氢气罐,加热管工作可对合成机构的腔体内进行加热,加热的同时甲烷气体和氢气分别通过第一单向充气管和第二单向充气管充入到合成机构的腔体内,充入气体后微波发生器对金刚石原料进行加热,采用HPTP法和CVD化学蒸汽沉淀法两种工艺同时进行,从而提高了装置的合成效率。

    一种基于闪爆裂解的爆炸装置及其应用

    公开(公告)号:CN112090372B

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202011074748.8

    申请日:2020-10-09

    Abstract: 本发明属于高温高压裂解技术领域,尤其公开了一种基于闪爆裂解的爆炸装置。该爆炸装置包括闪爆发生筒、法兰组件、点火电极棒、抽真空气泵以及原料气罐。本发明通过法兰盘和法兰盖相搭配的方式,使闪爆发生筒形成一密闭空间,而开设在法兰盘和法兰盖上的多个孔分别用于插设点火电极棒或连通抽真空气泵或原料气罐等,满足了该闪爆发生筒内的爆炸反应需求。该爆炸装置结构简单,易于操作,且满足了爆炸反应的安全性要求。基于该爆炸装置,本发明提供的一种全新的炭黑的制备方法,仅乙炔气体参与闪爆裂解反应,乙炔炭黑产物纯度高,无需再提纯,降低了制备成本且无污染。制备方法利用瞬时的闪爆来裂解乙炔,耗能低且转化率高,可以投入工业化生产。

    一种调控三碘化铋电子迁移率的方法

    公开(公告)号:CN119750643A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411888515.X

    申请日:2024-12-20

    Abstract: 本发明涉及一种调控三碘化铋电子迁移率的方法,在室温条件下,在金刚石对顶砧装置中,将三碘化铋样品加入至金刚石对顶砧装置中,利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力,通过对施加压力的控制,调控三碘化铋的电子迁移率。本发明的技术方案所提出的一种调控三碘化铋电子迁移率的方法,通过压力大小的控制,进而控制三碘化铋电子迁移率,为三碘化铋开发出性能更优、功耗更低的晶体管提供一个新的方向,对于拓展三碘化铋的功能特性和应用领域具有重要的意义。

    一种金刚石合成用高温高压装置
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119733442A

    公开(公告)日:2025-04-01

    申请号:CN202510249676.2

    申请日:2025-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种金刚石合成用高温高压装置,包括加工底板和顶压组件,所述加工底板顶面中部固定安装有固定架,所述固定架一侧中部固定安装有第一驱动电机,所述第一驱动电机输出端贯穿固定架中部和转动盘转动连接,所述转动盘内部转动连接有放置组件,所述固定架的另一侧固定安装有固定框架,所述固定框架顶部传动连接有驱动组件,所述固定框架内部滑动连接有夹持组件,所述固定框架底部固定连接有导向组件,所述加工底板顶面中部靠近固定架另一侧位置固定安装有储料组件和上料组件,所述固定架侧面边缘位置固定安装有控制组件,该装置利用机械代替人工上料且可一次性储存多个合成块,提高操作安全性,提高加工效率和操作稳定性。

    一种真空蒸馏双向梯级冷凝制备高纯金属的装置与方法

    公开(公告)号:CN119733441A

    公开(公告)日:2025-04-01

    申请号:CN202411734203.3

    申请日:2024-11-29

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种真空蒸馏双向梯级冷凝制备高纯金属的装置及方法,该装置包括气氛控制装置、真空蒸馏装置、装料装置、智能控制装置、尾气处理装置,所述气氛控制装置包括氮气瓶及设于其瓶口上方用于控制氮气瓶开闭的控制阀一,所述真空蒸馏装置包括真空蒸馏装置、通过管道与真空蒸馏装置连接的真空泵,所述装料装置设于真空蒸馏装置中间,所述智能控制装置与真空蒸馏装置连接;所述尾气处理装置包括除杂装置;所述真空蒸馏装置设有多个加热器,所述加热器沿装料装置以及真空蒸馏装置两侧的冷凝区的长度方向并列排布。本发明还包括利用所述装置制备高纯金属的方法。本发明装置结构简单,无重力场限制,取样方便,除杂效率高。

    一种高压剪切合成材料的方法
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119701776A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411798406.9

    申请日:2024-12-09

    Inventor: 刘晓兵 张晓冉

    Abstract: 本发明涉及一种材料的合成方法,具体涉及一种高压合成材料的方法。本发明通过在高压合成过程中,在原料中添加硬质颗粒,降低了合成压力,提高了合成效率。所述硬质颗粒的硬度大于所述原料的硬度;在所述高压条件下、对原料施加压力的过程中,原料中的,硬质颗粒在压力作用下会对原料产生一个剪切力,剪切力与压力方向垂直,能降低原料的反应形成能,从而降低原料反应所需的压力,产生降低合成压力的效果。本发明的方法能显著降低材料的高压合成压力,可以在不增加新设备的前提下有效的提高高压下合成新材料的效率。

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