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公开(公告)号：CN119733441A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411734203.3
申请日：2024-11-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 一种真空蒸馏双向梯级冷凝制备高纯金属的装置及方法，该装置包括气氛控制装置、真空蒸馏装置、装料装置、智能控制装置、尾气处理装置，所述气氛控制装置包括氮气瓶及设于其瓶口上方用于控制氮气瓶开闭的控制阀一，所述真空蒸馏装置包括真空蒸馏装置、通过管道与真空蒸馏装置连接的真空泵，所述装料装置设于真空蒸馏装置中间，所述智能控制装置与真空蒸馏装置连接；所述尾气处理装置包括除杂装置；所述真空蒸馏装置设有多个加热器，所述加热器沿装料装置以及真空蒸馏装置两侧的冷凝区的长度方向并列排布。本发明还包括利用所述装置制备高纯金属的方法。本发明装置结构简单，无重力场限制，取样方便，除杂效率高。
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公开(公告)号：CN116121847B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310206227.0
申请日：2023-03-02
Applicant: 中南大学
Abstract: 一种区熔制备超高纯碲的方法和生产装置，区熔过程的气氛为氢气气氛或氢气和惰性气体混合气氛；沿碲锭长度方向依次设置三个加热器，位于两侧的加热器的加热温度为630℃‑660℃，位于中间的加热器的加热温度为680℃‑710℃；采用根据区熔次数改变熔区移动速率。本发明还包括所述实施区熔制备超高纯碲的方法的生产装置，本发明采用变熔区移动速率的操作方式，提高了碲区熔过程中杂质的脱除效率，同时缩短了提纯周期。产品纯度达到7N碲标准；在该区熔过程中采用三加热器协同控温，使熔区界面平整。提高了区熔过程中杂质的迁移效率，从而杂质脱除率得到有效提高。
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公开(公告)号：CN114920208A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210460481.9
申请日：2022-04-24
Applicant: 中南大学
IPC: C01B19/02
Abstract: 一种从含碲物料中高效分离碲的方法：将含碲物料加入到碱性硫化体系溶液中浸出，固液分离，得到含碲浸出液和浸出渣；其中，碱性硫化体系溶液主要由硫化钠、氢氧化钠和升华硫制备而成的混合溶液；向浸出液中加入亚硫酸钠反应，得到沉碲渣和沉碲后液；沉碲渣经洗涤、过滤，得到粗碲粉。进一步的，本发明还公开了向沉碲后液中加入氧化剂反应，反应结束后，调节溶液pH至1～2后，加入亚硫酸钠反应，过滤，得到沉硒渣和沉硒后液；沉硒渣洗涤，过滤，得到粗硒粉。本发明采用硫化钠、氢氧化钠和升华硫组成的碱性硫化体系溶液浸出含碲物料，可实现碲、硒等有价金属的高效分离提取，而铜、铅、铋等重金属离子则富集在浸出渣中，选择性提取效果好。
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公开(公告)号：CN115584556B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211124135.X
申请日：2022-09-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种采用籽晶引晶制备高纯碲的方法，该方法包括以下步骤：(1)将碲原料装入石墨舟，在石墨舟头部放入籽晶，装入区熔炉体，调整炉内为还原性氛围；(2)进行引晶；(3)进行区熔；(4)重复步骤(2)、(3)8～12次，冷却至室温，取出高纯碲样品，切割加工得到高纯碲。本发明采用籽晶引导碲晶体生长，使碲原料中的间隙分布更加均匀，改善区熔过程中杂质在碲原料中的扩散环境，从而提高区熔过程除杂效率。本发明引晶过程是在还原密闭条件下进行的，且引晶后直接进行区熔操作，二次污染风险小，产品纯度高，产品纯度达到7N碲标准。
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公开(公告)号：CN118004976A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311871874.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 中南大学
IPC: C01B19/02
Abstract: 一种定向凝固制备高纯碲的装置及方法，装置包括炉体、供气装置、装料装置和尾气处理装置；所述炉体设置在装料装置外侧，所述供气装置和尾气处理装置分别经过气阀和气体管路连接在装料装置的两端；炉体包括多个加热器沿装料装置长度方向并列排布，每个加热器宽度为100～150mm，每个加热器的横向并列间距为5.0～10mm。本发明以5N碲锭为原料，采用一种定向凝固的技术对碲进行提纯，使杂质能够在熔融液相中得到充分扩散，提高杂质迁移效率，缩短提纯周期，制备出6N高纯碲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116121847A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310206227.0
申请日：2023-03-02
Applicant: 中南大学
Abstract: 一种区熔制备超高纯碲的方法和生产装置，区熔过程的气氛为氢气气氛或氢气和惰性气体混合气氛；沿碲锭长度方向依次设置三个加热器，位于两侧的加热器的加热温度为630℃‑660℃，位于中间的加热器的加热温度为680℃‑710℃；采用根据区熔次数改变熔区移动速率。本发明还包括所述实施区熔制备超高纯碲的方法的生产装置，本发明采用变熔区移动速率的操作方式，提高了碲区熔过程中杂质的脱除效率，同时缩短了提纯周期。产品纯度达到7N碲标准；在该区熔过程中采用三加热器协同控温，使熔区界面平整。提高了区熔过程中杂质的迁移效率，从而杂质脱除率得到有效提高。
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公开(公告)号：CN115584556A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211124135.X
申请日：2022-09-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种采用籽晶引晶制备高纯碲的方法，该方法包括以下步骤：(1)将碲原料装入石墨舟，在石墨舟头部放入籽晶，装入区熔炉体，调整炉内为还原性氛围；(2)进行引晶；(3)进行区熔；(4)重复步骤(2)、(3)8～12次，冷却至室温，取出高纯碲样品，切割加工得到高纯碲。本发明采用籽晶引导碲晶体生长，使碲原料中的间隙分布更加均匀，改善区熔过程中杂质在碲原料中的扩散环境，从而提高区熔过程除杂效率。本发明引晶过程是在还原密闭条件下进行的，且引晶后直接进行区熔操作，二次污染风险小，产品纯度高，产品纯度达到7N碲标准。
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公开(公告)号：CN111368936A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010192754.7
申请日：2020-03-18
Applicant: 中南大学
IPC: G06K9/62
Abstract: 本发明公开了基于改进SVM-RFE的特征选择方法，涉及数据挖掘技术领域；具体包括如下步骤：特征的稳定性评分；特征子集的选择；当前训练样本集合X，迭代删除特征比为t，当前特征集合为F；初始时，F包含所有特征，FS为空，交叉验证倍数为d,初始准确率c_acc＝0.0；特征子集的评价；如果当前特征集合F不为空，对于每一类样本集Xj＝{x|x∈X,Label(x)＝j}统计该类样本的个数θj。本发明能够获得较优的特征子集，挑选出更优的特征子集，达到分类精度最高和特征子集个数最少的目的，结合贪心策略，可以自定义搜索的步长，能够较好地确定特征维度，并及时终止特征选择过程。
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公开(公告)号：CN117660776A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311345368.7
申请日：2023-10-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯铝的制备方法及感应真空区熔装置，制备方法包括以下操作：以5N高纯铝锭为原料，采用区域熔炼工艺对所述5N高纯铝锭进行处理；区域熔炼工艺中采用感应加热对5N高纯铝锭进行区域熔炼。装置包括加热系统、装料系统、真空系统和用于控制加热系统和真空系统的控制系统。本发明的高纯铝的制备方法选择感应区域熔炼工艺对5N高纯铝锭进行处理，可获得6N高纯铝锭，处理过程中杂质迁移效率高，且加热效率高、加热速度快、温度容易控制，有效提高了金属铝的提纯效率，简化了提纯流程，降低了生产成本；感应真空区熔装置可用于本发明的高纯铝的制备工艺，且进一步提高了铝区熔过程杂质的脱除效率。
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公开(公告)号：CN117466257A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311480523.6
申请日：2023-11-08
Applicant: 中南大学
IPC: C01B19/02
Abstract: 一种水平真空蒸馏制备6N高纯碲的生产装置及生产方法，所述生产装置包括水平管；水平管外，设有第一加热器、第二加热器、保温罩，分别对应第一加热区、第二加热区、保温区；水平管内，依次设有石墨套管、一级冷凝管、二级冷凝管；石墨舟位于第一加热区内；碲料装于石墨舟中。本发明还包括生产方法。本发明实现金属碲与低沸杂质、高沸杂质元素的高效分离，实现6N高纯碲的制备；该采用水平真空蒸馏制备高纯碲，驱动力受重力抵消作用小，弱化了重力场的影响，流程短，除杂效率高；试验过程装样、取样便捷，操作方便。
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