一种铝酸钙热电子发射装置及制备方法

    公开(公告)号:CN112201555A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202011058470.5

    申请日:2020-09-30

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 季聪 顾璠

    Abstract: 本发明公开一种铝酸钙热电子发射装置及制备方法,使用拥有低逸出功和良好的导电性的碳衍生物C12A7:C‑/C作为热阴极电子发射极的新型涂层材料,同时使用稀土氧化物涂层来提高接收极的吸收电子能力,在发射极与接收极间填充低真空氩气氛,使得热发射电子从发射极到接收极的传输过程由真空传输变为等离子体传输,从而减少了热电子传输过程中的损耗。在当前的热电子发射装置中,多使用电加热的方式使热阴极发射电子,以得到电子束,而本发明的热电子发射装置则允许光加热的方式产生热发射,以实现热电能量的直接转换并提高转换效率。

    一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN109390195B

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN201811441984.1

    申请日:2018-11-29

    Abstract: 一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法,属于稀土难熔金属热阴极材料技术领域。采用溶胶凝胶加氢气还原的方法制备亚微米级氧化钪掺杂难熔金属粉末,经过压制微波烧结得到亚微米结构顶层含钪难熔金属基体;对难熔金属粉末进行压制烧结制得难熔金属阴极基体,将阴极基体浸渍阴极发射活性盐并进行退火处理得到基底难熔金属阴极,最后通过焊接的方式如激光焊、钎焊等制备亚微米结构顶层含钪阴极。本发明制得的亚微米结构顶层含钪阴极具有发射电流密度大,发射均匀性好的特点,经充分激活后,在950℃工作温度下,最高发射电流密度可达100A/cm2,发射斜率达1.41以上。

    具有无钍阴极的直流气体放电灯

    公开(公告)号:CN106558470B

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201610865978.3

    申请日:2016-09-29

    Abstract: 本发明涉及一种直流气体放电灯,具有阳极和包括第一阴极部件(108)的阴极(100),该第一阴极部件至少在阴极的一个区域中形成阴极的表面,该区域面对阳极的并且具有电弧生成区域(104d),在电弧生成区域内部在常规的灯运行时形成在阴极和阳极之间燃烧的电弧。第一阴极部件由具有至少一种发射极材料的钨构成,以用于降低来自阴极的电子的输出功,该阴极无钍地设计。至少一种发射极材料具有小于3200K的熔化温度。阴极的在电弧生成区域的外部表面的至少一部分通过用于至少一种发射极材料的扩散势垒(106,106a,106b,107)形成。

    铝酸盐电子发射材料共沉淀合成用混合盐溶液的制备方法

    公开(公告)号:CN108766859B

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201810333189.4

    申请日:2018-04-13

    Abstract: 本发明提供一种铝酸盐电子发射材料共沉淀合成用混合盐溶液的制备方法,包括如下步骤:(1)精确称量硝酸钡、硝酸钙与硝酸铝溶液,经烘干、煅烧后精确称量所得煅烧硝酸钡、氧化钙与氧化铝的质量;(2)精确测定煅烧硝酸钡、氧化钙与氧化铝中硝酸钡、氧化钙与氧化铝的纯度;(3)计算100克硝酸钡溶液、100克硝酸钙溶液以及100克硝酸铝溶液经烘干、煅烧后所得纯硝酸钡、氧化钙与氧化铝的质量;(4)根据所要制备铝酸盐的化学组成和重量,计算所需硝酸钡、硝酸钙与硝酸铝溶液的重量;(5)按计算结果精确称量硝酸钡、硝酸钙与硝酸铝溶液,混合后得到本发明的铝酸盐电子发射材料共沉淀合成用混合盐溶液。本发明提供的制备方法,工艺设计合理、简单易于操作。

    热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件

    公开(公告)号:CN107564783B

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201710794394.6

    申请日:2017-09-05

    Abstract: 热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件,其中热场发射阴极包括钼筒及固定于其上的钨海绵体,其中:钨海绵体的上表面具有微尖阵列,该微尖阵列内部具有孔隙;钨海绵体内部的孔隙与微尖阵列内部的孔隙形成连通孔隙;连通孔隙内填充有活性物质。由于在钨海绵体表面形成有微尖阵列,且构成从钨海绵体直达微尖阵列内部孔隙的连通孔隙,该连通孔隙填有活性物质,从而在热扩散作用下,该活性物质可达到微尖阵列顶部,为实现低功函数的发射提供了条件,因此本发明的热场发射阴极的发射性能相较于传统的热发射阴极,工作温度及功耗大幅降低;相较于传统的场发射阴极,发射电流密度更高,且具有较强的抗打火能力。

    一种发射针、电子源及其制备方法

    公开(公告)号:CN116613043A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310589864.0

    申请日:2023-05-23

    Inventor: 郝占海 陆梁

    Abstract: 本发明涉及一种发射针、电子源及其制备方法,所述发射针包括针本体和固定在所述针本体上的低逸出功材料团块,所述针本体由单晶钨制成,所述低逸出功材料团块由氧化钇制成。所述电子源包括绝缘座、抑制极、接线柱、加热发叉、具有光阑的吸出极和发射针。本发明的有益效果:本发明采用在单晶钨上涂敷氧化钇来降低单晶钨的逸出功;采用本发明烧结氧化钇后的电子源安装到发射电子枪中,加热到1700‑1800K温度的时候,在电子枪的电场作用下,在单晶钨的发射尖端可以稳定的发射电子束,单晶钨的逸出功大大降低。

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