一种矿源硅藻菌肥及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118307362A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410577095.7

    申请日:2024-05-10

    Abstract: 本发明提供一种矿源硅藻菌肥及其制备方法和应用。本发明提供一种富含非晶态二氧化硅的高效缓释绿色矿物菌肥,同时利用物理化学碱处理和微生物菌生物解离作用处理硅藻土,提升了硅藻土的可溶硅,且pH在中性或弱碱性。可有效解决水溶性硅肥的长效性差,碱性强的问题以及枸溶性硅肥可溶性养分含量低,以及重金属离子污染的问题;并且硅藻土作为微生物菌的载体,使微生物菌更好地生长和繁殖,增强作物抗病虫害的能力。除此之外,硅藻土原料丰富,本发明提供的方法成本低廉,操作方便,生产周期短,易实现工业化生产。

    一种复合稀土钨/钼酸盐共晶细化难熔金属的方法

    公开(公告)号:CN115533112B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202211269861.0

    申请日:2022-10-17

    Abstract: 一种复合稀土钨/钼酸盐共晶细化难熔金属的方法,属于难熔金属粉末制备技术领域。首先采用液相共沉淀法、水热法或固相反应法合成二元或者多元共晶稀土钨/钼酸盐。随后采用液相混合或液固混合的方法在二元或者多元共晶稀土钨/钼酸盐中加入难熔金属盐或难熔金属氧化物并经过分散、焙烧、研磨等过程得到二元或多元共晶稀土钨/钼酸盐复合氧化钨/钼前驱粉体;随后对前驱粉体进行氢气还原,采用两段式还原法,先升温到400‑700℃,对粉体进行初步还原,随后继续升温到750‑1200℃,将粉体还原成以难熔金属单质为主的氧化物混合难熔金属粉体。该方法获得粒径均匀且明显细化的二元或多元稀土氧化物复合钨/钼粉体。

    高效辅助产氢的功能基因载体pET32a-fdhD及其构建

    公开(公告)号:CN110093362B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN201910204925.0

    申请日:2019-03-18

    Abstract: 本发明公开了高效辅助产氢的功能基因载体pET32a‑fdhD及其构建方法,涉及基因工程技术领域。pET32a‑fdhD基因载体为包含有蜡样芽孢杆菌fdhD基因的pET32a质粒。其构建是通过设计引物扩增蜡样芽孢杆菌中辅助甲酸脱氢酶的fdhD基因片段,并用重组酶将其连接到含有对应连接末端的pET32a片段中,进行基因测序,验证基因的完整性。将pET32a‑fdhD质粒转化到大肠杆菌中,在产氢培养基中添加甲酸钠为底物,培养此细菌生产氢气。pET32a‑fdhD能够应用于不同细菌中,能提高产氢效率,能够改良现有工业产氢的大肠杆菌。

    一种基于线性调频信号的导波信号激励电路

    公开(公告)号:CN111307956A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN201911323066.3

    申请日:2019-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于线性调频信号的导波信号激励电路,即可激励宽频带线性Chirp信号的可程控、大功率、高幅值、易使用的导波激励电路,包括Chirp信号波形合成电路、无源低通滤波电路、增益放大电路、功率放大电路和开关直流升压电路(boost升压电路)、FPGA控制电路。Chirp信号波形合成电路可输出原始线性Chirp信号。原始线性Chirp信号作为输入进入无源低通滤波电路,消除Chirp信号波形合成电路带来的杂散现象,输出去噪后线性Chirp信号。去噪后线性Chirp信号通过增益放大电路和功率放大电路进行两级放大,再经过boost升压电路可进一步将低电压稳定的升高至300V的高电压,最终输出升压后线性Chirp信号。该电路为超声导波实现扫频测试和多模态、多频段检测提供有效的技术手段。

    一种ZrH2添加的Y2O3-W基次级发射体的制备方法

    公开(公告)号:CN108878234B

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201810615636.5

    申请日:2018-06-14

    Abstract: 一种ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体的制备方法,属于阴极材料的制备技术领域。以制备得到的Y2O3均匀掺杂的钨粉和411铝酸盐为基础,制备出含有激活剂ZrH2添加的浸渍型稀土钨基次级阴极,并对其热发射性能和次级发射性能进行了测试。发现有激活剂ZrH2添加的稀土钨基次级阴极的热发射性能和次级发射性能最为优异,它的零场发射电流密度是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的3.1‑3.4倍,它的最大次级发射系数是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的1.2倍。采用所述方法制备激活剂ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体,具有优异的热发射性能和次级发射性能,有望应用在大功率磁控管中。

    一种钡钨阴极的简易制备方法

    公开(公告)号:CN109926591A

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201910218886.X

    申请日:2019-03-21

    Abstract: 一种钡钨阴极的简易制备方法,属于难熔金属阴极材料技术领域。钨粉装入模具中,进行钢模双向压制,得到钨的阴极生胚;将盛有阴极生坯的氧化铝坩埚放入辅助保温加热的装置中,然后一起放入微波谐振腔内;以30℃/min的速率升温至1000℃,保温10min,进行预烧;再以40℃/min的速率升温至1400℃-1500℃,保温10min,自然冷却至室温,取出;将制备得到的阴极表面均匀涂敷一层411活性盐,经过1650℃高温进行浸渍;然后水冷降温至室温,取出;水洗、干燥、退火得到钡钨阴极。得到孔度结构良好的亚微米级钡钨阴极,阴极表面出现纳米级活性物质,发射性能得到提高。

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