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公开(公告)号：CN102605192B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201210062573.8
申请日：2012-03-12
Applicant: 江阴新华宏铜业有限公司
Abstract: 本发明涉及一种磁控管用无氧铜管的制备方法。其特征在于，所述无氧铜管材料中铜+银含量≥99.97%，氧含量≤0.001%，其制备方法包括以下工艺步骤：步骤一、熔炼：将1#高纯阴极铜置于有芯工频感应电炉内，升炉温熔化成铜液，加入质量分数为0.010%～0.016%的镧，并保持铜液温度1170℃±10℃，铜液表面覆盖木炭层，木炭层厚度为100-120mm，木炭粒度为40-60mm；步骤二、上引连铸；步骤三、精密冷轧；步骤四、再结晶；步骤五、冷拔成型；步骤六、精整。其含氧量低、导电优良、成品率高、金属损失少。
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公开(公告)号：CN103028859A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210190278.0
申请日：2012-06-08
Applicant: 厦门虹鹭钨钼工业有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控管阴极组件用焊料环、制造方法及连接有该焊料环的钼端帽。本发明通过喷雾造粒的方式制备成分均匀的焊料粉末，通过模压成形制得磁控管阴极组件用焊料环，并用粘结组合的方式制得连接有该焊料环的钼端帽。本发明的焊料环具有良好的焊接性能；本发明焊料环所用焊料粉末的组分均匀，解决了由于焊料组分均匀问题造成的焊接质量问题；本发明的制造方法成品率高，降低了生产成本；本发明的连接有上述磁控管阴极组件用焊料环的钼端帽，简化了后续的焊接工艺，且其制造方法简便易行，成品率高。
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公开(公告)号：CN102737926A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210209842.9
申请日：2008-04-02
Abstract: 本发明提供一种磁控管，其特征在于：具备线圈部件，所述线圈部件由线径为1mm以下的钨丝形成，在将平均外径规定为D1时，外径的偏差在D1±0.1mm的范围内，其中D1的单位为mm。
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公开(公告)号：CN102605192A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210062573.8
申请日：2012-03-12
Applicant: 江阴新华宏铜业有限公司
Abstract: 本发明涉及一种磁控管用无氧铜管的制备方法。其特征在于，所述无氧铜管材料中铜+银含量≥99.97%，氧含量≤0.001%，其制备方法包括以下工艺步骤：步骤一、熔炼：将1#高纯阴极铜置于有芯工频感应电炉内，升炉温熔化成铜液，加入质量分数为0.010%～0.016%的镧，并保持铜液温度1170℃±10℃，铜液表面覆盖木炭层，木炭层厚度为100-120mm，木炭粒度为40-60mm；步骤二、上引连铸；步骤三、精密冷轧；步骤四、再结晶；步骤五、冷拔成型；步骤六、精整。其含氧量低、导电优良、成品率高、金属损失少。
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公开(公告)号：CN102243971A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010170311.4
申请日：2010-05-12
Applicant: 乐金电子(天津)电器有限公司
Inventor： 尹燕
IPC: H01J23/05
Abstract: 一种磁控管的阴极导线结构，包括：中央导杆、侧面导杆、陶瓷部件和连接片，连接片上设置固定通孔，阴极引出线上端穿过固定通孔与连接片相互配合固定。为保证阴极引出线与连接片之间的牢固性以及确定两者间的固定位置，在阴极引出线的上端设置直径与固定通孔直径一致的凸台或者锥台，通过凸台和锥台插入固定通孔，再进行焊接固定。一方面使连接片的加工更加简单，固定通孔通过冲压即可形成；另一方面连接片的材质要求相对降低，即降低了连接片的材料成本。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101787480A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010033830.6
申请日：2010-01-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种Y2O3-La2O3体系复合压制钡钨阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域，其特征在于：阴极中含有氧化钇、氧化镧、三元硝酸盐和钨。其中Y2O3∶La2O质量比为3∶1，占阴极材料总量的5-20％wt，三元硝酸盐占阴极材料总重量的5-15％wt，其余为钨。制备方法：以偏钨酸铵、硝酸钇、硝酸镧、三元硝酸盐为原料，柠檬酸为络合剂，采用溶胶-凝胶法制备复合凝胶，通过氢气气氛下两步还原：第一步还原温度为450-550℃，保温2-4h；第二步为750-950℃，保温1-2h。还原后的粉末在压制压力1-3t/cm2下压制，烧结温度为1450-1650℃，保温1-5min的条件下进行烧结加工成阴极。本发明的阴极材料发射性能均匀，提高了抗离子轰击能力，次级发射系数明显高于钡钨阴极，且热发射电流密度在1100℃b时可达到17.52A/cm2。
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公开(公告)号：CN1693532A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510069952.X
申请日：2005-04-30
Applicant: 应用薄膜有限责任与两合公司
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/352 , C23C14/56 , H01J37/3405 , H01J2237/3325
Abstract: 本发明涉及一用于镀膜的镀膜机，特别是通过阴极溅射方法对大面积基片镀膜的镀膜机，该镀膜机带有一镀膜室，且其中设置一阴极组件(2)，在该阴极组件(2)中，用于溅射的材料被设置在具有弯曲表面的靶(4)上，该用于溅射的材料特别位于圆柱的侧面上；至少3个、优选更多的带有可转动的、弯曲的靶(4)的阴极组件(2)被并排地设置在用于连贯的镀膜区域的单一的镀膜室中。
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公开(公告)号：CN117884624A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410068977.0
申请日：2024-01-17
Applicant: 佛山市海欣光电科技有限公司
Inventor： 何达强
Abstract: 本申请公开了一种钼端帽的制备方法及其制得的钼端帽，涉及金属制品领域。其中，钼端帽的制备方法，包括以下步骤：将钼粉、粘结剂以及溶剂按重量比混合均匀后，造粒并脱除溶剂，得到钼颗粒；粘结剂包括重量比为（20‑30）：（8‑12）：（35‑40）：100的异氰酸酯封端聚氨酯预聚物、聚乙二醇单甲醚缩水甘油醚、聚乙烯醇缩丁醛和稀释剂；将所述钼颗粒压制成型，得到脱脂前钼端帽；对脱脂前钼端帽进行脱脂，脱脂包括一次脱脂、二次脱脂和三次脱脂步骤，一次脱脂的温度为560‑780℃，二次脱脂的温度为880‑950℃，三次脱脂的温度为1200‑1300℃。本申请能够改善钼颗粒成型钼端帽的稳定性，同时改善钼端帽中容易残留有机物质、导致钼端帽纯度不高的问题。
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公开(公告)号：CN115547782A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110724103.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 广东格兰仕微波炉电器制造有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于灯丝碳化的管路结构及碳化控制方法。所述管路结构包括控制装置、抽真空装置、反应室、碳源装置和电源装置，其中抽真空装置、碳源装置、电源装置均与反应室连接，所述控制装置用来控制操作整个管路结构。将阴极组件放入反应室内，并进行碳化。所述碳化控制方法包括如下操作：开机、抽低真空、一次抽高真空、除气、碳化、二次抽高真空、脱碳、自然冷却、通入冷却气体冷却、将灯丝取出。采用本发明的用于灯丝碳化的管路结构及碳化控制方法，可以防止碳化过程中其他杂质的混入，并且能引入质量稳定的碳元素，碳化后的灯丝电阻变化分布较小，从而保证阴极组件能够在较长时间平稳的辐射电子并具备较长的使用寿命。
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