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公开(公告)号：CN114927396A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210449464.5
申请日：2022-04-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种实时控制NEAGaN电子源扩散长度的方法，具体为：建立一个目标扩散长度与温度相对应，通过改变温度实现扩散长度实时可变的模型。输入目标偏离值s、目标扩散长度L和标定需要的数据数量m；获取NEAGaN电子源当前的扩散长度L0，所处环境的温度T0，然后在此温度下多次测量获得m组扩散长度数据，将上述m组数据代入模型公式中，拟合得到常数μ0和τ0，将标定好的常数以及目标扩散长度L代入模型公式中，计算得到温度T1；设定NEAGaN电子源温度为T1，测量其实际扩散长度L1并计算偏离值s1，若s1小于s，则输出温度T＝T1，反之，则根据T1和L1继续标定μ1和τ1，计算温度T2，测量T2下的L2，比较偏离值s2和s。循环往复，直至sn小于s，输出对应L的最佳温度T＝Tn，达到实时控制扩散长度的目的。与现有的方法相比，该方法能够使NEAGaN电子源实际扩散长度值与目标值不断接近，最终满足不同情况下的扩散长度要求，具有自校准功能和灵活可变，操作简单，控制稳定的特点。
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公开(公告)号：CN114512379A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210099674.6
申请日：2022-01-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米间隙电子源及其制备方法。所述纳米间隙电子源是在平面绝缘基片上制备纳米间隙电子源，结构是由基底(1)、介质层(2)，电子发射极(3)，控制电子发射的栅极(4)，绝缘层(5)，电子提取极(6)，控制电子聚焦等特性的电子光学系统(7)，以及收集极(8)组成。其制备方法结合了高精度的刻蚀或电子束曝光工艺，以及转移手段和薄膜工艺。本发明设计结合现有的半导体加工工艺，获得小型化和集成化的电子源器件的方案，以期获得高频和快速响应的技术优势，在新型电子元器件和微纳机电系统中具有较高的应用潜力，为未来实现片上集成的真空电子器件奠定技术基础。
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公开(公告)号：CN111088479B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201911379047.2
申请日：2019-12-27
Applicant: 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种e形多电子束蒸镀装置，该蒸镀设备包括永久磁铁N极、S极、X/Y扫描线圈、坩埚、冷却水及电子束发射器；采用磁偏转式电子束，使得电子束路径呈现e字型，偏转角为270度，其中电子束发射器的由灯丝阴极、阳极、偏转线圈等其他部件构成。从多电子束与旋转坩埚两方面应对电子枪故障问题。e形多电子束蒸镀设计大幅度提高了蒸镀效率和熔点，此外，为了提高蒸镀过程薄膜沉积速率精度和稳定性，本发明专利从热电子发射模块、高压电子加速模块和电子束偏转模块三个方面设计了新的电子枪电路。
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公开(公告)号：CN114300323A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111643721.0
申请日：2021-12-29
Applicant: 核工业理化工程研究院
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明公开了一种通过脉宽调制脉冲快速控制电子束通断的方法，包括隔离变压器、整流滤波电路、脉冲开关管以及触发驱动电路；脉宽调制脉冲从隔离变压器的初级侧输入，隔离变压器次级侧输出经整流滤波电路，形成直流输出，输出幅度通过脉宽调制来调节和控制；整流滤波电路的直流输出，通过控制脉冲开关管的打开和关闭，在电子枪栅极上形成电子束控制脉冲，控制电子束的关闭和导通。本发明可以通过脉宽调制脉冲快速控制电子束栅极电源的通断，反应时间在微秒左右，实现了电子束栅极电源的快速通断，从而实现电子束的快速通断。
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公开(公告)号：CN114203500A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111437775.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供一种发射基体组件的制备方法、发射基体组件和电子枪，涉及特种加工技术领域，发射基体组件的制备方法通过采用微纳加工工艺可以实现亚毫米、微米和纳米量级的发射基体本体的制备，从而使包含有发射基体本体的发射基体组件具有高频、尺寸小、易集成、响应速度快和功耗低的特点，以解决现有的用于发射基体组件的制备方法所制备的发射基体组件存在尺寸大、不易于集成、响应速度慢和功耗高等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113628944A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110686254.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种场电子发射阴极的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；将形成有纳米晶金刚石薄膜的衬底在含氧气氛中退火，从而得到金刚石纳米毛刺结构；以及将所述金刚石纳米毛刺结构的表面处理为氢终端。本发明方法可制备具有纳米级密排结构的纳米晶金刚石薄膜，该薄膜生长速率快，并且利用该薄膜通过高选择比氧化反应可容易地获得大长径比、高密度的金刚石纳米毛刺结构，其可大大提高场增强因子。本发明方法中的高选择比的氧化反应使得金刚石消耗量小。另外，本发明方法无需图形化掩膜工艺，因此相关设备和工艺简单，可大大降低加工成本。
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公开(公告)号：CN113436946A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110712011.2
申请日：2021-06-25
Applicant: 广东粤港澳大湾区国家纳米科技创新研究院
IPC: H01J3/02
Abstract: 本申请属于金属材料功能化技术领域，尤其涉及一种金属碳化物针尖及其制备方法和应用、电子枪。本申请提供了一种金属碳化物针尖的制备方法，包括：将尖顶端加工处理后的金属丝注入碳纳米锥的中空区域使得金属丝的尖顶端和碳纳米锥接触；对金属丝和碳纳米锥的施加电压，碳纳米锥与金属丝在交界处发生熔融反应，直至温度达到金属碳化物的共价键反应温度，使得碳纳米锥完全与金属丝反应生成所述金属碳化物；控制通入金属碳化物的电流，对金属碳化物施加预置电压，得到直径为10nm‑300nm的金属碳化物针尖。本申请提供了一种制备高强度，高硬度，高熔点，低功函数的单晶超细的金属碳化物针尖的方法。
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公开(公告)号：CN113130275A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010044329.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种热电子发射器件，其包括一栅极，该栅极的表面设置一绝缘层；一第一电极及一第二电极间隔设置于所述绝缘层的表面并与所述栅极绝缘设置；一根碳纳米管设置于所述绝缘层上方，所述碳纳米管具有相对的第一端和第二端以及位于第一端和第二端之间的中间部，所述碳纳米管的第一端与所述第一电极接触电连接，所述碳纳米管的第二端与所述第二电极接触电连接。本发明额外设置一栅极对所述热电子发射器件进行调控，可以进一步增强该热电子发射器件的热发射电流，有利于大电流密度和高亮度的应用。
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公开(公告)号：CN111048372B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201811190748.7
申请日：2018-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本公开提供了一种电子源工作方法，所述电子源包括至少一个固定在针尖上的发射点，所述发射点是针尖表面的金属原子与气体分子在电场下形成的反应产物，所述工作方法包括通过控制所述电子源的工作参数发射电子。
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公开(公告)号：CN109599311B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201710920120.7
申请日：2017-09-30
Applicant: 惠州市奥普康真空科技有限公司
Inventor： 苗丁
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明揭示一种电子束光斑及电子束束流的控制方法，包括如下步骤：步骤A：摇杆电位器、控制单片机以及高压电源柜依次连接，其中摇杆电位器的X轴电位器、Y轴电位器及Z轴电位器分别连接控制单片机的AD口，按钮连接控制单片机的IO口；步骤B：控制单片机通过IO口获取开按钮的开关信号；步骤C：控制单片机通过AD口获取X轴、Y轴以及Z轴电位器滑动端的电压；步骤D：控制单片机结合步骤B中的开关信号和步骤C中采集的电压，转换成对应的控制变量并输送至高压电源柜；步骤E：高压电源柜根据控制变量控制光斑的移动和尺寸变化以及束流变化。本发明的控制方法只需操作摇杆电位器即可控制光斑的位置、尺寸以及束流大小，操作简单直观。
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