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公开(公告)号：CN114512379A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210099674.6
申请日：2022-01-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米间隙电子源及其制备方法。所述纳米间隙电子源是在平面绝缘基片上制备纳米间隙电子源，结构是由基底(1)、介质层(2)，电子发射极(3)，控制电子发射的栅极(4)，绝缘层(5)，电子提取极(6)，控制电子聚焦等特性的电子光学系统(7)，以及收集极(8)组成。其制备方法结合了高精度的刻蚀或电子束曝光工艺，以及转移手段和薄膜工艺。本发明设计结合现有的半导体加工工艺，获得小型化和集成化的电子源器件的方案，以期获得高频和快速响应的技术优势，在新型电子元器件和微纳机电系统中具有较高的应用潜力，为未来实现片上集成的真空电子器件奠定技术基础。
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公开(公告)号：CN114512379B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210099674.6
申请日：2022-01-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米间隙电子源及其制备方法。所述纳米间隙电子源是在平面绝缘基片上制备纳米间隙电子源，结构是由基底(1)、介质层(2)，电子发射极(3)，控制电子发射的栅极等特性的电子光学系统(7)，以及收集极(8)组成。其制备方法结合了高精度的刻蚀或电子束曝光工艺，以及转移手段和薄膜工艺。本发明设计结合现有的半导体加工工艺，获得小型化和集成化的电子源器件的方案，以期获得高频和快速响应的技术优势，在新型电子元器件和微纳机电系统中具有较高的应用潜力，为未来实现片上集成的真空电子器件奠定技术基础。(4)，绝缘层(5)，电子提取极(6)，控制电子聚焦
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