公开(公告)号：WO2012038432A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/EP2011/066332

申请日：2011-09-20

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  DROPKA, Natascha ,  FRANK-ROTSCH, Christiane ,  RUDOLPH, Peter ,  LANGE, Ralph-Peter ,  REHSE, Uwe

Inventor： DROPKA, Natascha ,  FRANK-ROTSCH, Christiane ,  RUDOLPH, Peter ,  LANGE, Ralph-Peter ,  REHSE, Uwe

IPC: C30B11/00 ,  C30B30/04 ,  C30B28/06 ,  H01L31/18 ,  C30B35/00

CPC classification number: C30B11/003 ,  C30B11/007 ,  C30B28/06 ,  C30B30/04 ,  C30B35/002

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Kristallisationsanlage zur Herstellung eines Blocks aus einem Material, dessen Schmelze elektrisch leitend ist, sowie ein dazugehöriges Kristallisationsverfahren. Die Kristallisationsanlage umfasst dazu: -einen Container zur Aufnahme einer Schmelze des Materials; -ein Heizer-Magnet-Modul, das : a) einen unterhalb des Containers angeordneten Bodenheizer mit einer Vielzahl von in 3 oder mehr Heizer-Magnet-Segmenten angeordneten Heizer-Magnet-Spiralen umfasst, wobei die Heizer-Magnet-Segmente zusammengesetzt eine zum Beheizen des Containers und zur Erzeugung von magnetischen Feldern bereitstehende Grundfläche des Bodenheizers bilden, jedoch keinen gemeinsamen geometrischen Mittelpunkt in der Grundfläche des Bodenheizers besitzen; und/oder b) einen oberhalb des Containers angeordneten Deckenheizer mit einer Vielzahl von in 3 oder mehr Heizer-Magnet-Segmenten angeordneten Heizer-Magnet-Spiralen umfasst, wobei die Heizer-Magnet-Segmente zusammengesetzt eine zum Beheizen des Containers und zur Erzeugung von magnetischen Feldern bereitstehende Grundfläche des Deckenheizers bilden, jedoch keinen gemeinsamen geometrischen Mittelpunkt in der Grundfläche des Deckenheizers besitzen; und - eine Steuer- und Stromversorgungseinheit, mit der die Heizer-Magnet-Segmente separat mit einer vorgebbaren Stromstärke, Frequenz und Phasenverschiebung belegbar sind, wobei die Steuer-und Stromversorgungseinheit ausgelegt ist, wenigstens ein Karussell-Magnetfeld (KMF) durch sequentielle Belegung der Heizer- Magnet-Segmente mit einer vorgebbaren Stromstärke, Frequenz und Phasenverschiebung zu erzeugen, derart, dasseine Kristallisationsfront der Schmelze mit konvexer Kontur entsteht.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于生产其熔体是导电的材料制成的块的结晶植物，和结晶的相关方法。 用于此目的的结晶系统，包括：用于容纳材料的熔体-a容器; -a加热器磁铁模块，其中：a）包含具有以下配置在3个或更多个加热器磁体段加热器磁性线圈的多个容器基部设置加热器，其中所述加热器-磁体段，放在一起进行加热 容器的形式，并且随时准备用于产生底部加热器的磁场基区，但不具有在底部加热器的底表面上的公共几何中心; 和/或b）包括布置在上方具有多个设置在3个或更多个加热器磁体段加热器磁性线圈，其中，所述加热器-磁体段，放在一起，以加热容器中的容器顶部加热器和用于产生磁 字段形成天花板加热器的准备站立的基础上，但不具有在天花板加热器的底表面上的公共几何中心; 和 - 与该加热器磁体段可以分别与预定的电流强度，频率和相位偏移被分配一个控制和电源供应单元，其中所述控制和电源单元适于，至少一个传送带 - 磁场（KMF）通过加热器的顺序分配 - 以产生具有预定的电流强度，频率和相位偏移，使得熔体的具有凸轮廓的结晶前方形成磁段。

公开(公告)号：WO2011098534A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：PCT/EP2011/051985

申请日：2011-02-10

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  HILT, Oliver ,  WUERFL, Hans-Joachim

Inventor： HILT, Oliver ,  WUERFL, Hans-Joachim

IPC: H01L23/482 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L23/4824 ,  H01L23/4821 ,  H01L29/42316 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft Halbleiterbauelemente, insbesondere einen skalierbaren Aufbau für laterale Halbleiterbauelemente mit hoher Stromtragfähigkeit. Eine erfindungsgemäße Transistorzelle umfasst eine Steuerelektrode, (203) eine Vielzahl von Quellenfeldern (201) sowie eine Vielzahl von Senkenfeldern. (202) Die Steuerelektrode umschließt mindestens eines der Quellenfelder oder der Senkenfelder vollständig. Ein erfindungsgemäßer Transistor umfasst eine Vielzahl von Transistorzellen auf einem Substrat, deren jede ein Quellenkontaktfeld (206) und/oder ein Senkenkontaktfeld (207) umfasst. Die Quellenkontaktfelder sind jenseits des Substrats miteinander leitend verbunden, und die enkenkontaktfeider sind ebenfalls jenseits des Substrats miteinander leitend verbunden. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Transistors umfasst folgende Schritte: Bereitstellen eines Substrats; Ausbilden einer Vielzahl von Transistorzellen auf dem Substrat, deren jede eine Steuerelektrode, eine Vielzahl von Quellenfeldern und eine Vielzahl von Senkenfeldern umfasst; leitendes Verbinden der Steuerelektroden miteinander; Ausbilden eines Quellenkontaktfelds und/oder eines Senkenkontaktfelds in jeder Transistorzelle; leitendes Verbinden der Quellenfelder jeder Transistorzelle mit einem Quellenkontaktfeld; leitendes Verbinden der Senkenfelder jeder Transistorzelle mit einem Senkenkontaktfeld; Ausbilden mindestens eines Bumps (208) auf jedem der Quellenkontaktfelder und auf jedem der Senkenkontaktfeider; Bereitstellen einer Leiterplatine; leitendes Verbinden der Bumps der Quellenkontaktfelder miteinander über Leiterbahnen auf der Leiterplatine; und leitendes Verbinden der Bumps der Senkenkontaktfeider miteinander über Leiterbahnen auf der Leiterplatine. Die Anordnung der Bumps und der Leiterbahnen auf der Leiterplatine ermöglicht eine geringe Halbleiterflächenbelegung durch Verdrahtung. Die erfindungsgemäße Anordnung der Quellenfelder, Senkenfelder und Steuerelektroden bezüglich der Bumps ermöglicht einen geringen Wärmewiderstand zwischen den aktiven Transistorgebieten und den Bumps.

Abstract translation: 本发明涉及半导体器件，尤其是一个可伸缩的结构用于具有高电流承载能力的横向半导体器件。 本发明的晶体管单元包括一个控制电极（203）的多个光源阵列（201）和多个汇字段组成。 （202）控制电极包围所述源中的至少一个或信宿完全字段的字段。 根据本发明的晶体管包括在基板上的多个晶体管单元，每个源极接触垫（206）和/或漏极接触焊盘（207）的。 源极接触焊盘连接在所述基板的另一侧共同导通，而enkenkontaktfeider也被连接到彼此超过基板导通。 制造，包括以下步骤中的晶体管的本发明的方法：提供一基板; 在基板上形成多个晶体管单元，每个具有控制电极，多个源字段和多个接收器包括字段; 导电连接，所述控制电极彼此连接; 形成源极接触垫和/或在每个晶体管单元的漏极接触垫; 导电连接具有源极接触垫每个晶体管单元的源字段; 漏极字段，具有漏极接触焊盘每个晶体管单元的导电连接; 形成在每个的源极接触垫和在每个Senkenkontaktfeider中的至少一个凸块（208）; 提供印刷电路板; 接触焊盘的源连接到经由在印刷电路板的印制导线彼此导电凸块; 和导电性接合通过在印刷电路板的电路迹线一起Senkenkontaktfeider的凸块。 在印刷电路板的凸块和导体轨迹的布置允许由布线占据的小区域的半导体。 源字段，低级字段和相对于该凸块控制电极的本发明的布置允许有源晶体管区域和凸块之间的低热阻。

公开(公告)号：WO2011092298A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：PCT/EP2011/051234

申请日：2011-01-28

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KUEHN, Silvio ,  GESCHE, Roland ,  PORTEANU, Horia-Eugen

Inventor： KUEHN, Silvio ,  GESCHE, Roland ,  PORTEANU, Horia-Eugen

IPC: H05H1/24

CPC classification number: H05H1/46 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2240/10 ,  H05H2245/125

Abstract: Eine Plasmaquelle mit einem Oszillator, welcher ein aktives Element und einen mit dem aktiven Element verbundenen Resonator besitzt. Der Resonator weist einen Hohlkörper, einen Gaseinlass, einen an einem distalen Ende des Hohlkörpers um eine Längsachse des Hohlkörpers angeordneten Gasauslass und eine entlang der Längsachse des Hohlkörpers angeordnete Spule mit einer effektiven Länge von einem Viertel einer Wellenlänge bei einer Resonanzfrequenz des Resonators auf. Ein distales Ende der Spule ist relativ zum Gasauslass so angeordnet, dass sich eine Plasmastrecke zwischen dem als eine erste Plasmaelektrode fungierenden distalen Ende der Spule und dem als eine zweite Plasmaelektrode fungierenden Gasauslass des Hohlkörpers ausbilden kann. Die Spule ist an einem proximalen Ende des Hohlkörpers aus dem Inneren des Hohlkörpers durch eine elektrisch kontaktfreie Durchführung herausgeführt und ein proximales Ende der Spule kontaktiert den Hohlkörper an dessen Außenseite. Die Spule ist an einem zwischen dem proximalen Ende der Spule und der Durchführung gelegenen ersten Kontaktbereich mit einem ersten Tor des aktiven Elementes und an einem zwischen dem proximalen Ende der Spule und der Durchführung gelegenen zweiten Kontaktbereich mit einem zweiten Tor des aktiven Elementes gekoppelt.

Abstract translation: 具有一个振荡器，它有一个有源元件，并连接到所述有源元件谐振器的输出端的等离子体源。 该谐振器包括一中空体，一气体入口，其设置在围绕空心体气体出口的纵向轴线的中空体的远端，并沿在所述谐振器的谐振频率的波长的四分之一的有效长度的中空体线圈的纵向轴线设置装置。 线圈的远端相对于所述气体出口被定位成使可形成充当线圈的第一等离子体电极远端和作为中空体的第二等离子体电极气体出口之间的等离子体路径。 所述线圈由电非接触操作和线圈接点的近端外侧上的中空体其送出到从空心体的内部的中空体的近端。 线圈被耦合到位于所述线圈的近端和携带第一接触区域与所述有源元件的一个第一栅极之间以及在位于所述线圈的近端和承载第二接触区域与所述有源元件的一个第二栅极之间。

公开(公告)号：WO2011006995A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：PCT/EP2010/060333

申请日：2010-07-16

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KNEISSL, Michael ,  WEYERS, Markus ,  EINFELDT, Sven ,  RODRIGUEZ, Hernan

Inventor： KNEISSL, Michael ,  WEYERS, Markus ,  EINFELDT, Sven ,  RODRIGUEZ, Hernan

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/46

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen p-dotierten Kontakt für die Verwendung in einer Leuchtdiode für den ultravioletten Spektralbereich, umfassend eine p- Kontaktschicht mit einer ersten Oberfläche zur Kontaktierung einer Strahlungszone und einer zweiten Oberfläche, die auf der der ersten Oberfläche abgewandten Seite: a) eine Beschichtung aufweist, die 5%-99,99% der zweiten Oberfläche der p-Kontaktschicht direkt kontaktiert und die ein Material enthält oder daraus besteht, welches für Licht mit einer Wellenlänge von 200 nm bis 400 nm eine maximale Reflektivität von mindestens 60% aufweist; b) eine Mehrzahl von p-lnjektoren aufweist, die direkt auf der zweiten Oberfläche der p-Kontaktschicht angeordnet sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在对紫外光谱范围内的发光二极管中使用的p型掺杂的接触，包括具有用于上侧的辐射区和第二表面与第一表面侧相对接触的第一表面上的p型接触层：a）一种 具有涂层，该涂层接点5％直接在p型接触层的所述第二表面的-99.99％和含有材料或由其组成，其中具有至少60％的对于具有200nm至400nm的波长的光的最大反射率; b）包括多个被直接设置在p型接触层的所述第二表面上对喷射器。

公开(公告)号：WO2010106144A2

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：PCT/EP2010/053553

申请日：2010-03-18

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  SIDOROV, Victor ,  ZHYTNYTSKA, Rimma ,  WUERFL, Joachim

Inventor： SIDOROV, Victor ,  ZHYTNYTSKA, Rimma ,  WUERFL, Joachim

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad und einen Halbieiterwafer mit Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad. Es ist Aufgabe der voriiegenden Erfindung, eine Metallisierung (bzw. einen Halbleiterwafer mit entsprechender Metallisierung) und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, die einerseits mittels physikalischer Gasphasenabscheidung (Trockenabscheidung) herstellbar sind und andererseits eine ausreichend hohe Adhäsion eines Lot-Bumps gewährleisten. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung (40) für mindestens ein Kontaktpad (20) weist folgende Verfahrensschritte auf: Aufbringen mindestens eines Kontaktpads (20) auf ein Substrat (10), Aufbringen einer Barriereschicht (30) auf die Oberseite des mindestens einen Kontaktpads (20), und Aufbringen einer Metallisierung (40) auf die Oberseite der Barriereschicht (30), dadurch gekennzeichnet, dass die Barriereschicht (30) und die Metallisierung (40) mittels physikalischer Abscheidung aufgebracht werden und dass die Metallisierung (40) als Schichtstruktur zweier, mehrfach alternierender Metallisierungsschichten (41, 42) ausgebildet wird, wobei die erste Metallisierungsschicht (41) aus Nickel oder eine Ni-Legierung mit einer Schichtdicke kleiner als 500 nm und die zweite Metallisierungsschicht (42) aus einem von Nickel verschiedenen, elektrisch leitfähigen Material ausgebildet wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造金属化用于至少一个接触垫和一个与Halbieiterwafer金属化至少一个接触垫的方法。 它是可以制备的voriiegenden本发明的目的，金属化（或具有适当金属化的半导体晶片）通过物理气相沉积（干分离）的装置和用于它们的生产提供一种方法，在一方面和另一方面确保焊锡凸块的足够高的粘合性。 用于至少一个接触焊盘（20）一种制造金属化（40）的本发明方法具有以下方法步骤：在衬底（10）上施加至少一个接触焊盘（20），沉积阻挡层（30）（在所述至少一个接触垫的顶 20），和在该阻挡层（30）的顶部施加的金属化（40），其特征在于，所述阻挡层（30）和金属化（40）通过物理沉积的装置和在所施加的金属化两个作为层结构（40）， 多个交替的金属层（41,42）形成，其中所述镍的第一金属化层（41）或具有小于500nm的层的厚度和第二金属化层（42）Ni合金是从镍不同的角度，导电材料形成 ，

公开(公告)号：WO2009130058A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：PCT/EP2009/003350

申请日：2009-04-22

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  WEYERS, Markus ,  WÜRFL, Joachim ,  brunner, frank

Inventor： WEYERS, Markus ,  WÜRFL, Joachim ,  brunner, frank

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterbauelement-Einheit mit Schritten zum Ausbilden wenigstens eines Halbleiterbauelementes, eines solchen wie Feldeffekt-Transistors (FET), einer Diode oder eines optoelektronischen Halbleiterbauelementes, auf Basis von GaN-Halbleitem, aufweisend das Bereitstellen eines Träger-Substrates, das Aufwachsen mindestens einer, in der Regel jedoch einer Vielzahl von auf dem Träger-Substrat aufgebrachten Funktionsschichten aus p- und/oder n-leitendem oder semiisolierendem Halbleitermaterial, in-situ unter kontrollierter Atmosphäre, wobei wenigstens die äußere Funktionsschichten (3, 4) einkristalline Struktur aufweisen, und mit anschließend ex-situ ausgeführten lithografischen Schritten zum Ausbilden einer Halbleiterelement- und Kontaktstruktur. Es ist vorgesehen, dass auf die in vorherigen Schritten fertiggestellten Funktionsschichten in-situ unter kontrollierter Atmosphäre wenigstens eine erste dünne isolierende Schicht (1) flächendeckend aufgebracht wird. Die erste isolierende Schicht kann aus AIN oder AIGaN ausgebildet werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氮化镓Halbleitem的基础上具有形成至少一个半导体元件的步骤，诸如场效应晶体管（FET），二极管或光电子半导体器件的半导体器件单元，包括：提供承载基底 中，至少一个的生长，但一般对的支撑基板功能层的多个涂覆的p型和/或n导通或半绝缘的半导体材料，在原位在受控气氛中，其中至少所述外功能层（3，4） 具有单晶结构，并随后用于形成Halbleiterelement-和接触结构易地进行光刻步骤。 可以预期的是在受控气氛下，第一薄绝缘层的至少（1）将被广泛地应用到在原位在先前步骤中完成的功能层。 第一绝缘层可AIN或AlGaN形成。

公开(公告)号：WO2009015796A2

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：PCT/EP2008/005953

申请日：2008-07-21

Applicant: CREATEC FISCHER & CO. GMBH ,  FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  BRAUN, Wolfgang ,  FISCHER, Albrecht ,  WATAHIKI, Tatsuro

Inventor： BRAUN, Wolfgang ,  FISCHER, Albrecht ,  WATAHIKI, Tatsuro

IPC: C23C14/26

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/26 ,  C23C14/30 ,  C30B23/066

Abstract: Eine Verdampferzelle (100), die zur Verdampfung insbesondere eines hochschmelzenden Verdampfungsguts eingerichtet ist, umfasst einen Tiegel (10) zur Aufnahme des Verdampfungsguts, der einen Tiegelboden (11), eine Seitenwand (12), die sich in einer Axialrichtung des Tiegels (10) erstreckt, und eine Tiegelöffnung (13) aufweist, und eine Heizeinrichtung (20) mit einem Heizwiderstand (21), der eine Vielzahl von Heizbereichen (21.1, 21.2) umfasst, die auf einer Außenseite des Tiegels (10) angeordnet sind und sich entlang der Axialrichtung des Tiegels (10) erstrecken, wobei die Heizbereiche (21.1, 21.2) zur mehrseitigen Widerstandsheizung und/oder Elektronenstrahlheizung des Tiegels (10) eingerichtet sind, und wobei die Heizbereiche (21.1, 21.2) so gebildet sind, dass ein Heizstrom durch den Heizwiderstand (21), der z. B. durch eine Widerstandshülse gebildet wird, durch alle Heizbereiche (21.1, 21.2) parallel und gleichsinnig fließt. Es wird auch ein Verfahren zum Betrieb der Verdampferzelle beschrieben.

Abstract translation: 的蒸发器单元（100），其被布置成在尤其是高熔点蒸镀材料蒸发，包括用于容纳材料的坩埚（10），待蒸发，在坩埚的轴向方向上延伸的坩埚底座（11），侧壁（12）的（10） 延伸，并且在坩埚开口（13），并且具有的加热电阻器（21）的加热器（20）包括多个加热区（21.1，21.2），其被布置在所述坩埚（10）的外侧，并沿着延伸 坩埚（10）中，沿轴向方向，其中，所述加热区（21.1，21.2），以多页电阻加热和/或坩埚的电子束加热（10）布置，并且其中所述加热区（21.1,21.2）形成的，使得通过加热电阻器的加热电流 （21）z的。 B.由电阻套筒形成的，通过所有加热区（21.1，21.2）并行地流，并在同一方向上。 还提供的是用于描述的蒸发器单元的操作的方法。

公开(公告)号：WO2008155137A1

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：PCT/EP2008/005190

申请日：2008-06-17

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  LANGE, Ralph-Peter ,  RUDOLPH, Peter ,  KLEIN, Olaf ,  FRANK-ROTSCH, Christiane ,  NACKE, Bernard

Inventor： LANGE, Ralph-Peter ,  RUDOLPH, Peter ,  KLEIN, Olaf ,  FRANK-ROTSCH, Christiane ,  NACKE, Bernard

IPC: C30B15/30 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B15/305 ,  C30B11/007

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, mindestens aufweisend einen in einer Züchtungskammer (1) angeordneten, eine Schmelze (2) enthaltenen Tiegel (3) mit einem Tiegelboden (3b), eine den Tiegel umgebende Heizeinrichtung (4), welche als Mehrspulenanordnung von über einander angeordneten Spulen (5), (6), (7) ausgeführt ist und zur gleichzeitigen Erzeugung eines magnetischen Wanderfeldes dient, wobei die Spulen elektrisch mit mindestens einer außerhalb der Züchtungskammer (1) angeordneten Energieversorgungseinrichtung (14) über durch die Züchtungskammer (1) geführte Spulenanschlüsse (10), (11), (12), (13), (14) elektrisch verbunden sind. Es ist vorgesehen, dass Windungen (8) der Mehrspulenanordnung einen Abstand (4a) von einer gedachten Tiegelmittelachse (3c) zum Innenrand (4c) der Windungen (8) aufweisen, der mindestens bei einer Windung (8) verschieden von den übrigen Windungen (8) bei gleichem oder verschiedenen Windungsquerschnitten (4b) ist. Weiterhin ist ein Verfahren zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen vorgesehen.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于生产导电熔体的结晶的装置，设置在至少包括在生长室（1），熔体（2）包含坩埚（3）具有一个罐的底部（3b）中，周围的坩埚加热器（4） 其中，（6），（7）被设计成叠加线圈（5）的多线圈装置，并用于同时产生一个运动磁场，线圈电布置成与所述生长室（1）电源装置外部的至少一个（14） 由生长室（1）被引导线圈端子（10），（11），（12），（13），（14）被电连接。 在此规定，匝（8）的多线圈排列的具有从假想坩埚中心轴的距离（图4a）（3c）的内缘的（4c）的绕组（8），至少在一匝（8）不同的（来自其它绕组8 ）（在相同或不同的Windungsquerschnitten 4B）。 此外，提供了一种用于制备导电熔体的结晶的方法。

公开(公告)号：WO2008040332A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：PCT/DE2007/001768

申请日：2007-09-25

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KÜHNE, Ronald ,  OSCHKINAT, Hartmut ,  BROCKMANN, Christoph ,  SCHMALZ, Hans-Günther

Inventor： KÜHNE, Ronald ,  OSCHKINAT, Hartmut ,  BROCKMANN, Christoph ,  SCHMALZ, Hans-Günther

IPC: C07D487/14 ,  A61K31/55 ,  A61P25/00 ,  A61P31/00 ,  A61P33/00

CPC classification number: C07D487/14

Abstract: Die Erfindung betrifft Verbindungen gemäß der allgemeinen Formel (I), die insbesondere als Strukturmimetika prolinreicher Peptide eingesetzt werden können und demgemäß in der Lage sind, PRM-Bindungsdomänen (proline-rich-motif binding domains) von Proteinen zu binden. Die Erfindung betrifft weiterhin die Verwendung dieser Verbindungen als pharmazeutische Wirkstoffe sowie die Verwendung der pharmazeutischen Wirkstoffe zur Behandlung von bakteriellen Erkrankungen, neurodegenerativen Erkrankungen sowie Tumoren.

Abstract translation: 本发明涉及根据通式（I）至化合物中，富含脯氨酸的肽可以特别是作为结构模拟物使用，并相应地能够结合蛋白的PRM结合结构域（富含脯氨酸的基序的结合结构域）。 本发明还涉及使用这些化合物作为药物活性成分和用于细菌性疾病，神经变性疾病和肿瘤的治疗中的用途药剂的。

公开(公告)号：WO2007141207A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：PCT/EP2007/055391

申请日：2007-06-01

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  GÜTHER, Reiner ,  ERBERT, Götz

Inventor： GÜTHER, Reiner ,  ERBERT, Götz

IPC: G02B3/08 ,  G02B27/09

CPC classification number: G02B27/0955 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/124 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0052

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Strahlformungsoptik, die Strahlung, welche durch eine Punktlichtquelle in einem planaren Wellenleiter emittiert wird, stigmatisch fokussiert. Derartige Lichtquellen liegen beispielsweise in der Form bestimmter Hochleistungshalbleiter-Laser-Dioden vor, insbesondere bei den Taperlasern. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Lichtaustrittsfläche (S 1 ) des Wellenleiters (11) und dem Bildpunkt (P B ) mindestens eine geschlossene, durch Brechung abbildend wirkende Grenzfläche (S 2 ) der Flächenform z 2 =z 2 (x 2 ,y 2 ) angeordnet ist, wobei entlang der optischen Achse (Z) hinter der Grenzfläche (S 2 ) ein optisches Medium (22) angeordnet ist, und wobei die Lichtaustrittsfläche (S 1 ) und die Grenzfläche (S 2 ) in einem ersten paraxialen Abstand (a 1 ) zueinander und die Grenzfläche (S 2 ) und der Bildpunkt (P B ) in einem zweiten paraxialen Abstand (a 2 ) zueinander angeordnet sind, und die Grenzfläche (S 2 ) über die Lösung eines Gleichungssystems definiert ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种光学光束整形系统，这是由在一个平面波导的点光源发射的辐射，stigmatically聚焦。 这种光源是，例如，在某些高功率半导体激光二极管的形式，特别是在Taperlasern。 （S _{1 ）本发明的特征在于，所述光出射表面之间的波导（11）和像素（P 乙）中的至少一个封闭的，映射作用通过折射界面（ 表面形状ž 2 = Z 2 （X 2 ，Y 2 2 ） 布置>），其中> 2 ），光学介质（22）被布置成沿光轴（Z）的界面后面（S 1 ）及接口（S 2 ）（在第一近轴距离的 1 ）对于彼此和所述接口（S 2 ）和像素（ 由等式系统的解定义P 乙）（在第二近轴距离的 2 ）被布置成彼此，和接口（S 2 ） 是。}