公开(公告)号：JP2016520713A

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：JP2016504535

申请日：2014-02-25

Applicant: ネオコート ソシエテ アノニム ,  ネオコート ソシエテ アノニム

Inventor： ラッツ、デイヴィッド ,  プロヴァン、クリストフ

IPC: C23C16/27 ,  C01B31/06 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/274 ,  B81C1/00373 ,  C01B32/25 ,  C23C16/045 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32678 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274

Abstract: 本発明は、以下の要素:真空源に接続された反応チャンバーを含む真空反応器(3);反応チャンバー内の少なくとも二次元であるマトリックスに沿って配置された複数のプラズマ源;及び、該反応器内に配置された基板ホルダー(5)、を備えたダイヤモンド蒸着設備を使用して、ナノ結晶ダイヤモンドを堆積するための方法に関し、当該方法は、該堆積が、100と500℃の間に含まれる温度で行われることを特徴とする。

Abstract translation: 本发明包括以下内容：一真空反应器，其包括连接到一个真空源（3）的反应室;沿矩阵布置的多个等离子体源是至少二维的反应室;以及，将反应 在容器（5），其布置衬底保持器，使用设置有金刚石沉积设备，用于沉积纳米晶金刚石的方法，该方法该堆产物由100和500℃之间 特征在于，它是在温度下进行。

公开(公告)号：JP5817906B2

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：JP2014500614

申请日：2013-01-15

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 金子 和史 ,  舩▲崎▼ 一憲 ,  加藤 秀生

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32311 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3444 ,  H01Q21/064 ,  H01Q21/20 ,  H05H1/46 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/4682

公开(公告)号：JP2014512950A

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：JP2014506980

申请日：2012-04-27

Applicant: ガスプラス エーエスGasplas As

Inventor： フィリップ ジョン リズビー， ,  デール ペニントン，

IPC: B01J19/08 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32357 ,  H05H1/30 ,  H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/3478 ,  H05H2001/4622

Abstract: 本発明は、ガスのマイクロ波プラズマを形成することによってガスを処理する方法および装置に関する。 処理対象のガスは、装置内部の２つまたは３つの同軸渦流内に設定され、マイクロ波場に曝されて内部同軸渦流にプラズマを形成し、これは後に、プラズマアフターグローとして装置の出口部を通って排出される。 装置は、出口通路の直径を０よりも大きく、かつ、マイクロ波室内の定常マイクロ波の波長の１／１６よりも小さくすることにより、マイクロ波場チョーク効果を備え、これに対応して、出口通路の長さＥは、ｎを０，１，２または３として、０よりも大きく、かつ、マイクロ波室内の定常マイクロ波の波長の（ｎ＋１／８）よりも小さい、いずれかの範囲を取ってよい。
【選択図】 図２

公开(公告)号：JP2006128075A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：JP2005212297

申请日：2005-07-22

Applicant: Seiko Epson Corp ,  セイコーエプソン株式会社

Inventor： TAKADA YUTAKA ,  FUJII SATORU

IPC: H05B6/66 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H03B5/326 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32311 ,  H01L21/67115 ,  H01L2924/0002 ,  H03H7/18 ,  H03H9/02582 ,  H05B6/686 ,  H05B6/705 ,  H05B6/806 ,  Y02B40/143 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To generate a microwave while achieving size reduction and an increase in lifetime. SOLUTION: A high-frequency heating device includes: an oscillator 1 that generates a high-frequency wave in a microwave band; an amplifier 2 that amplifies the high-frequency wave generated by the oscillator 1; and an isolator 3 that blocks a reflected wave from an object irradiated with the microwave. The microwave generated by the oscillator 1 is amplified by the amplifier 2 and sent to an antenna 5 through the isolator 3. The microwave sent to the antenna 5 is emitted into a metal cavity 4, and water molecules of a substance placed in the metal cavity 4 are vibrated to thereby heat a substance. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：在实现尺寸减小和寿命增加的同时产生微波。 解决方案：高频加热装置包括：振荡器1，其在微波频带中产生高频波; 放大器2，其放大由振荡器1产生的高频波; 以及阻挡来自被微波照射的物体的反射波的隔离器3。 由振荡器1产生的微波被放大器2放大并通过隔离器3发送到天线5.发送到天线5的微波被发射到金属腔4中，物质的水分子放置在金属腔 4振动，从而加热物质。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：KR102230560B1

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020157025573A

申请日：2014-02-25

Applicant: 네오코트 에스에이

Inventor： 다비드 라츠 ,  크리스토프 프로벵

IPC: C23C16/27 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/274 ,  C23C16/27 ,  B81C1/00373 ,  C01B32/25 ,  C01B32/26 ,  C23C16/045 ,  C23C16/276 ,  C23C16/279 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32678 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323

Abstract: 본 발명은 진공원에 연결된 반응 챔버를 포함하는 진공 반응기(3); 반응 챔버에 적어도 2-차원인 행렬을 따라 배열된 복수의 플라즈마 공급원; 및 반응기에 배열된 기판 홀더(5)를 포함하는 다이아몬드 증착 설비를 사용하여 나노결정질 다이아몬드를 부착하는 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 부착이 100 내지 500℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR102225685B1

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020190106658A

申请日：2019-08-29

Applicant: 세메스 주식회사

Inventor： 김동훈

IPC: H01J37/32 ,  H01Q1/26

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32201 ,  H01Q1/26

Abstract: 본 기재의 안테나 유닛은 베이스부와, 상기 베이스 부재의 내부를 관통하고, 마이크로파를 전달하는 전력분배부를 포함하는 안테나 부재; 및 일단이 외부로 노출되도록 상기 베이스부 내부에 설치되고, 타단은 상기 전력분배부에 인접하게 위치되는 공진 부재;를 포함한다.

公开(公告)号：JP2018148499A

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：JP2017044180

申请日：2017-03-08

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 芦田 光利

IPC: H03F3/24 ,  H05H1/46 ,  H03B27/00

CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32311

Abstract: 【課題】出力する高周波のパワー及び位相の制御の精度が高い高周波発生器を提供する。 【解決手段】高周波発生器10は、ベクトル乗算器12によるIQ変調及び増幅器14による増幅によって生成された高周波が出力部18から出力される。方向性結合器20が、進行波の一部を含む第1の高周波及び反射波の一部を含む第2の高周波を出力する。制御部22が、第1の高周波の同相成分及び直交成分並びに第2の高周波の同相成分及び直交成分を多変数として各々が含む四つの多項式の演算である第1の行列演算により、出力部における進行波の同相成分及び直交成分並びに反射波の同相成分及び直交成分のそれぞれの推定値を求める。制御部は、これらの推定値とパワーの目標値及び位相の目標値に基づいてベクトル乗算器のIQ変調に用いられる同相信号のレベル及び直交信号のレベルを決定する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6022392B2

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：JP2013069710

申请日：2013-03-28

Applicant: ブラザー工業株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 金田 英樹 ,  篠田 健太郎 ,  滝 和也 ,  上坂 裕之 ,  高岡 泰之

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/26 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32266 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

公开(公告)号：JP5893865B2

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：JP2011172458

申请日：2011-08-06

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 藤野 豊 ,  植田 篤 ,  北川 淳一 ,  尾▲崎▼ 成則

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32431 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

公开(公告)号：JP2015076459A

公开(公告)日：2015-04-20

申请号：JP2013210656

申请日：2013-10-08

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 申 ▲ゼ▼ ,  小野 哲郎 ,  安並 久夫

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01L21/02532

Abstract: 【課題】本発明は、Si層とSiGe層が交互に繰り返し積層された構造を有する試料をプラズマエッチングするドライエッチング方法において、各SiGe層を各Si層に対して選択的に等方性エッチングできるドライエッチング方法を提供する。 【解決手段】本発明は、Si層とSiGe層が交互に繰り返し積層された積層膜の各SiGe膜を各前記Si層に対して選択的に等方性エッチングするドライエッチング方法において、NF 3 ガスを用いてパルス変調されたプラズマにより前記各SiGe膜をプラズマエッチングすることを特徴とする。 【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种用于等离子体蚀刻等离子体蚀刻的干蚀刻方法，该样品具有通过交替和重复地层叠Si层和SiGe层而布置的结构，通过该蚀刻方法可以对SiGe层而不是Si- 层.SOLUTION：用于选择性地对通过交替和重复地层叠Si层和SiGe层布置的多层膜的每个SiGe膜进行各向同性蚀刻的干蚀刻方法包括通过脉冲修正等离子体蚀刻SiGe膜的步骤， 使用NFgas。