公开(公告)号：CN106463391B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201580025777.6

申请日：2015-06-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 保坂勇贵 ,  梅泽義弘 ,  中岛俊希

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6719

Abstract: 在一个实施方式的等离子体处理装置中，在载置台与处理容器之间设置有挡板构造。挡板构造具有第一构件和第二构件。第一构件具有在载置台与处理容器之间延伸的第一圆筒部，在铅垂方向上长的多个贯通孔以沿周向排列的方式形成于该第一圆筒部。第二构件具有第二圆筒部，该第二圆筒部具有比第一构件的圆筒部的外径大的内径。第二构件通过驱动装置而在包括第一构件与处理容器之间的间隙的区域中上下移动。

公开(公告)号：CN106206287B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610365868.0

申请日：2016-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽田石真之 ,  三轮智典 ,  金子雄基

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/00 ,  H01J2237/334

Abstract: 本发明提供蚀刻方法。该方法是对第一区域和第二区域进行蚀刻的方法。所述第一区域具有：第一电介质膜与为氮化硅膜的第二电介质膜交替层叠而构成的多层膜。所述第二区域具有单层的氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法包括：第一等离子体处理工序：在等离子体处理装置的处理容器内生成包含全氟烃气体和氧气的第一处理气体的等离子体；以及第二等离子体处理工序：在处理容器内生成包含氢气、三氟化氮气体和含碳气体的第二处理气体的等离子体。该方法中，第一等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为第一温度；第二等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为低于第一温度的第二温度。

公开(公告)号：CN109791871A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780060918.7

申请日：2017-09-15

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 巴德里·N·瓦拉达拉简 ,  龚波 ,  袁广毕 ,  桂哲 ,  赖丰源

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02216 ,  C23C14/48 ,  C23C16/325 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/768 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了使用远程等离子体沉积渐变或多层的碳化硅膜的方法和装置。可以在反应室中在工艺条件下形成渐变或多层的碳化硅膜，所述工艺条件在衬底上提供一种或多种有机硅前体。从远程等离子体源向反应室提供处于实质上低能态的源气体的自由基，例如处于基态的氢自由基。另外，共反应气体流向反应室。在一些实现方式中，共反应气体的自由基从远程等离子体源提供到反应室中。共反应气体的流率可随时间的推移递增地或逐渐变化，以形成多层的碳化硅膜或渐变的碳化硅膜，其具有从渐变的碳化硅膜的第一表面到第二表面的组分梯度。

公开(公告)号：CN109690744A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780043306.7

申请日：2017-07-14

Applicant: ASM ,  IP控股有限公司

Inventor： V·珀尔 ,  W·科内鹏 ,  B·琼布罗德 ,  D·皮尔勒 ,  S·范阿尔德 ,  S·霍卡 ,  深泽笃毅 ,  福田秀明

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/76224

Abstract: 根据本发明，提供了一种通过提供沉积方法来填充在基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，所述沉积方法包括：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上。所述第一反应物以亚饱和第一剂量引入，从而仅到达所述一个或多个间隙的表面的顶部区域，并且所述第二反应物以饱和第二剂量引入，从而到达所述一个或多个间隙的表面的底部区域。可以以第三剂量将第三反应物提供至反应室中的所述基底，所述第三反应物与所述第一和第二反应物中的至少一种反应。

公开(公告)号：CN109564870A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780047699.9

申请日：2017-07-28

Applicant: 日本新工芯技株式会社

Inventor： 碇敦 ,  藤井智

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3255 ,  H01J37/32541 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069

Abstract: 其特征在于，具备多个板状电极构件(32、34)、以及将所述电极构件(32、34)彼此在厚度方向上接合的接合部，所述接合部具有能承受至少150℃的耐热性，在700℃以下熔解，并含有氧化硼。

公开(公告)号：CN109216147A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810696992.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  崔明善 ,  姜南俊 ,  成德镛 ,  郑相旻 ,  韩丙勋

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32697

Abstract: 本申请提供了一种半导体制造装置和操作半导体制造装置的方法。该半导体制造装置包括等离子体腔室、源电源以及第一偏置电源和第二偏置电源。源电源在第一时间将第一源电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二源电压施加至等离子体腔室。第一偏置电源在第一时间将第一导通电压施加至等离子体腔室并且在第二时间将第一截止电压施加至等离子体腔室。第二偏置电源在第一时间将第二截止电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二导通电压施加至等离子体腔室。等离子体腔室基于源电压、导通电压和截止电压从等离子体腔室中的气体混合物形成不同条件的等离子体。

公开(公告)号：CN109148326A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810613271.2

申请日：2018-06-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 津田荣之辅 ,  村上诚志 ,  釜石贵之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32522 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248

Abstract: 本公开涉及基板处理装置、基板载置机构和基板处理方法。能够在一个处理容器内对被处理基板以高生产率连续地进行温度不同的多个工序。基板处理装置具有：处理容器；处理气体供给机构，其向处理容器内供给处理气体；基板载置台，其载置被处理基板；制冷剂流路，其设置于基板载置台的主体；制冷剂抽取机构，其从制冷剂流路抽取制冷剂；加热器，其被印刷在静电卡盘的背面；温度控制部，其使制冷剂流通于制冷剂流路中，将被处理基板温度调整为第一温度，利用加热器进行加热并且利用制冷剂抽取机构抽取制冷剂流路的制冷剂，将被处理基板温度调整为比第一温度高的第二温度，连续地进行基于第一温度的处理和基于第二温度的处理。

公开(公告)号：CN109037017A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201711499227.5

申请日：2017-12-29

Applicant: ASM IP控股有限公司

Inventor： 近藤裕志

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67103

Abstract: 本发明公开一种适于安装在包含喷淋头和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中的加热器块，所述加热器块适于布置在所述反应室中以支撑衬底，并且包含：至少一个通孔，所述至少一个通孔通过所述加热器块；在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定，并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部；和在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部，所述凹状部或凹陷部具有与所述多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸。

公开(公告)号：CN108878244A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810275028.4

申请日：2018-03-29

Applicant: ASM IP控股有限公司

Inventor： 近藤裕志 ,  平山昌树

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01J37/32798

Abstract: 一种绝缘体，用于包括上电极、下电极和反应腔室的加工设备，该绝缘体适于被布置在上电极周围，该绝缘体包括：适于面向反应腔室的底端部；和面向上电极的侧壁的侧壁，其中，绝缘体的底端部的边缘部分径向向内延伸，以形成突出部分，使得突出部分覆盖上电极的底表面的边缘以及介于上电极的侧壁和绝缘体的侧壁之间的间隙。

公开(公告)号：CN108847386A

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201810371597.9

申请日：2018-04-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿德里安·拉瓦伊 ,  普尔凯特·阿加瓦尔 ,  普鲁肖坦·库马尔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/0274

Abstract: 本发明涉及用于图案化应用的原子层蚀刻、反应性前体和能量源。本文提供了在待蚀刻的层上图案化含碳材料的方法和装置。方法涉及通过原子层蚀刻来修整含碳材料，原子层蚀刻包括在没有等离子体的情况下将含碳材料暴露于含氧气体以修改含碳材料的表面和将含碳材料暴露于惰性气体并点燃等离子体以去除含碳材料的经修改的表面。方法可用于多重图案化技术。方法还包括在不破坏真空的情况下在使用原子层蚀刻图案化的含碳材料上沉积共形膜。含氧气体可以是含氧气、臭氧、水蒸气、一氧化二氮、一氧化碳、甲酸蒸气和/或二氧化碳中的任一种或多种的气体。装置可包括替代的能量源，能量源包括27和/或13MHz电容耦合等离子体和/或电感耦合等离子体。