公开(公告)号：WO2007025930A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：PCT/EP2006/065659

申请日：2006-08-24

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  HENNIG, Christian ,  WEYERS, Markus ,  RICHTER, Eberhard ,  TRAENKLE, Guenther

Inventor： HENNIG, Christian ,  WEYERS, Markus ,  RICHTER, Eberhard ,  TRAENKLE, Guenther

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: Die Erfindung betrifft ein freistehendes Halbleitersubstrat sowie ein Verfahren und eine Maskenschicht zur Herstellung eines freistehenden Halbleiterschicht-Substrats, bei dem sich das Halbleitersubstrat selbständig ohne weitere Prozessschritte vom Ausgangssubstrat ablöst. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats umfasst folgende Verfahrensschritte: Bereitstellen eines Ausgangssubstrats, Aufbringen einer Maskenschicht mit einer Vielzahl von Öffnungen auf dem Ausgangssubstrat, Aufwachsen mindestens eines Halbleitersubstrats, wobei die Maskenschicht von mindestens einem Halbleitermaterial lateral überwachsen wird, und anschließendem Abkühlen von Ausgangssubstrat, Maskenschicht und Halbleitersubstrat, wobei das Material zu Ausbildung der Maskenschicht zumindest teilweise aus Wolframsilizidnitrid oder Wolframsilizid besteht, und es während des Wachstums mindestens eines Halbleitersubstrats oder beim Abkühlen zu einer Trennung von Halbleitersubstrat und Ausgangssubstrat kommt und ein Halbleitersubstrat freistehend erhalten wird. Die erfindungsgemäße Maskenschicht für die Herstellung eines freistehenden Halbleitersubstrats besteht dabei zumindest teilweise aus Wolframsilizidnitrid oder Wolframsilizid.

Abstract translation: 本发明涉及一种独立式的半导体衬底和一种方法和用于制造支撑的半导体层衬底，其中半导体衬底是自动剥离而不从起始衬底进一步的处理步骤的掩模层。 用于生产半导体衬底的本发明方法包括以下方法步骤：提供起始衬底，施加具有多个所述起始衬底上的孔的掩模层，生长至少一个半导体衬底，掩模层被侧面由至少一个半导体材料，并且所述起始衬底的随后的冷却中，掩模层杂草丛生 和半导体衬底，其中，用于形成所述掩模层的材料至少部分地由钨硅化物或钨硅化物，以及至少一个半导体衬底的生长期间或在冷却到半导体衬底的分离和起始衬底和半导体衬底发生获得独立。 本发明的用于支撑的半导体基板的制造的掩模层至少部分地由硅化钨或硅化钨。

公开(公告)号：WO2005075508A3

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：PCT/EP2005/001462

申请日：2005-02-10

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  MEYER, Thomas ,  VINKEMEYER, Uwe

Inventor： MEYER, Thomas ,  VINKEMEYER, Uwe

IPC: C07K14/47 ,  A61K38/17 ,  G01N33/50 ,  C12N15/01

Abstract: The invention relates to Stat molecules which are mutated and their use in the activation of gene expression, in the screening of inhibitors or activators of transcription factors, the identification of binding proteins, the production of a drug for diagnosis and/or treatment of diseases associated with the activation of gene expression as well as in the targeting of active substances. The Stat molecules occurring in the nucleus of a cutaneous T cell lymphoma cell line are characterized in that at least one conserved hydrophobic amino acid on the surface of the N-domain of the Stat wild type is mutated.

公开(公告)号：WO2004056158A2

公开(公告)日：2004-07-01

申请号：PCT/DE2003/004129

申请日：2003-12-11

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  TER-AVETISYAN, Sargis ,  SCHNÜRER, Matthias ,  NICKLES, Peter-Viktor

Inventor： TER-AVETISYAN, Sargis ,  SCHNÜRER, Matthias ,  NICKLES, Peter-Viktor

IPC: H05G2/00

CPC classification number: H05G2/003 ,  H05G2/006 ,  H05G2/008

Abstract: Für die effektive Erzeugung von Röntgenstrahlen oder EUV-Licht ist es notwendig, dass Tröpfchen-Targets zur Verfügung stehen, die eine Ausdehnung in der Größe möglicher Laserwellenlängen haben und somit im Vergleich zumStand der Technik einen kleineren Durchmesser aufweisen und die einen Nebel bilden, der eine Atomdichte von > 10 18 Atome/cm 3 aufweist. Deshalb soll eine Lösung angegeben werden, die dieErzeugung von derartigen Tröpfchen-Targets ermöglicht. Die hohe Dichte soll auch in größerem Abstand von der Düse realisiert sein, d.h. das Tröpfchen-Target weist eine im Vergleich zum Stand der Technik bessere Kollimation auf, um die Lebensdauer der Düse zu erhöhen. Die Aufgabe wird durch eine Vorrichtung, mindestens aufweisend ein Gefäß zur Aufnahme einer Target Flüssigkeit, in dem mittels eines nichtreaktiven Gases ein hoher Druck realisiert ist, ein mit dem Gefäß verbundenes im ms-Bereich schaltendes elektromagnetisches Ventil und eine Düse, dadurch gelöst, dass erfindungsgemäß die Düse als Überschalldüse ausgebildet ist, das Ventil mit der Überschalldüse über einen Expansionskanal verbunden ist, um den Expansionskanal Mittel zur Heizung derart ausgebildet sind, dass die Temperatur auf eine Größe einstellbar ist, bei der ein übersättigter Dampf im Expansionskanal ausgebildet ist, und zwischen elektromagnetischem Ventil und dem Mittel zur Heizung ein Isolator angeordnet ist. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ermöglicht die Erzeugung von hochdichten sub-µ Flüssigkeitstargets.

Abstract translation: 为有效产生X射线或EUV光的，必要的是，液滴的目标是可用的，其具有在可能的激光波长的尺寸相比技术zumStand的延伸，并因此具有更小的直径和其形成的雾 /具有> 10 <18>原子厘米原子密度<3>。 因此，一个解决方案是被指定，这种液滴的生成靶向成为可能。 高密度是在离喷嘴，即更大的距离，以实现 液滴靶具有更好的相对于现有技术中，准直，以增加喷嘴的使用寿命。 该目的是通过至少包含溶解的容器，用于接收处理液，其中，高压是由非反应性气体来实现的装置来实现，并在MS的容器切换附属公司根据本发明范围内的电磁阀和其特征在于，喷嘴 喷嘴形成为超音速喷嘴，所述阀以通过膨胀通道与膨胀通道连接在所述超音速喷嘴装置，用于加热被设计为使得将温度设定为使形成在所述扩展通道的过饱和蒸气的大小，和电磁之间 阀和用于加热的装置是一种绝缘体。 本发明的装置使得能够生产的高密度分液μ目标。

公开(公告)号：WO2003100929A1

公开(公告)日：2003-12-04

申请号：PCT/DE2003/001689

申请日：2003-05-21

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  JANULEWICZ, Karol ,  LUCIANETTI, Antonio ,  NICKLES, Peter ,  PRIEBE, Gerd ,  SANDNER, Wolfgang

Inventor： JANULEWICZ, Karol ,  LUCIANETTI, Antonio ,  NICKLES, Peter ,  PRIEBE, Gerd ,  SANDNER, Wolfgang

IPC: H01S4/00

CPC classification number: H05G2/00 ,  H01S3/0915 ,  H01S3/1024 ,  H01S4/00 ,  H05G2/001

Abstract: Es soll ein Verfahren zur Erzeugung verstärkter spontaner Emission kohärenter kurzwelliger Strahlung, insbesondere zum Pumpen von transienten Kurzpuls-Röntgenlasern, angegeben werden, das mit weniger technisch aufwendigen Mitteln realisiert werden kann und den Aufbau von entsprechenden Geräten mit hoher Folgefrequenz und höherer mittlerer Ausgangsleistung in Tischgröße ermöglicht. Hierzu wird erfindungsgemäß mit nur einem Pumpstrahl im sub-ns-Bereich mit zeitlich modulierter Intensitätsverteilung, aufweisend einen Vorder- und einen Hauptteil, ein Target bestrahlt, wobei der Vorderteil des Pumpstrahls über eine Dauer von einigen 100 ps eine Intensität aufweist, deren Niveau im Vergleich zum sich anschließenden kurzen Hauptteil des Pumpstrahls mit einer maximalen Intensität von 10 12 W/cm 2 bis 10 18 W/cm 2 um mindestens zwei Größenordnungen geringer ist.

Abstract translation: 它是用于产生放大的相干短波辐射的自发辐射，尤其是用于通过瞬时短脉冲X射线激光器抽中规定的方法，它可以以较少的技术上复杂的装置来实现和使对应于表尺寸的高重复率和较高的平均输出功率器件的设计 ， 为了这个目的，根据本发明的具有在亚纳秒范围只有一个泵浦光束与时间调制的强度分布，其包括照射前和主要部分，一个目标具有一段大约100皮秒的其电平的强度泵浦光束的前部相比 对于用10 <12> w ^ <2>的最大强度到10 <18> w ^厘米泵浦光束的随后短主要部分<2>是幅度/厘米/至少两个数量级低。

公开(公告)号：WO2003096498A3

公开(公告)日：2003-11-20

申请号：PCT/EP2003/004836

申请日：2003-05-08

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  RESSEL, Peter ,  ERBERT, Götz

Inventor： RESSEL, Peter ,  ERBERT, Götz

IPC: H01S5/028

Abstract: Ziel des Verfahrens ist eine Vereinfachung bisher bekannter Passivierungsverfahren. Nach dem Verfahren werden die Halbleiterbauelemente erwärmt und unter Hochvakuum mit einem gasförmigen, reaktiven und niederenergetischen Medium gereinigt und in-situ wird eine geschlossene, isolierende oder niedrigleitende, lichtdurchlässige Schutzschicht aufgebracht, die in Bezug auf das Material an der Spiegelfläche sowie verbliebener Komponenten des Eigenoxids inert ist. In einer bevorzugten Realisierung ist das optische Halbleiterbauelement ein GaAs-basierende Halbleiterlaser, das reaktive und niederenergetische Medium ist atomarer Wasserstoff und die Schutzschicht besteht aus ZnSe.

公开(公告)号：WO1997034022A1

公开(公告)日：1997-09-18

申请号：PCT/DE1997000568

申请日：1997-03-14

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  CAMPBELL, Eleanor ,  HERTEL, Ingolf ,  TELLGMANN, Ralf

Inventor： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

IPC: C23C14/06

CPC classification number: C23C14/5833 ,  C23C14/0605 ,  C30B31/22

Abstract: Amounts of endohedral fullerenes or fullerene derivatives which can be isolated macroscopically are to be prepared efficiently irrespective of the type of doping agent to be implanted. To that end, according to the invention, fullerenes or fullerene derivatives are applied to a target and irradiated in the solid phase with low-energy ions having kinetic energy of between 5 eV and 500 eV of the doping agents to be implanted. The application of fullerenes or fullerene derivatives and irradiation are carried out simultaneously or successively. The energy of the ions and the irradiation dose at which most of the ions of the doping agents to be implanted penetrate the fullerene or fullerene derivatives to be applied to the target are determined in series of measurements.

Abstract translation: 宏观富勒烯富勒烯或富勒烯衍生物的可分离量应 - 有效地生产 - 不管掺入掺杂剂的类型。 为了这个目的，在本发明方法的富勒烯或富勒烯衍生物是沉积在靶和在固相为5eV和掺杂剂的500eV的要掺入之间的动能低能量离子照射。 富勒烯或富勒烯衍生物和照射的应用同时或依次进行。 在测试系列中的离子的能量和照射剂量可以在其中大部分掺杂剂的离子被掺入到所述目标施加富勒烯或富勒烯衍生物的渗透来确定。

公开(公告)号：WO1997010209A2

公开(公告)日：1997-03-20

申请号：PCT/DE1996001742

申请日：1996-09-11

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH ,  FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  BAUER, Paul, J. ,  HAGEN, Volker

Inventor： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH ,  FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

IPC: C07D207/44

CPC classification number: C07D207/452 ,  C08F8/30

Abstract: The invention concerns novel dimaleinimido-substituted dihydroxyalkanes, a process for their preparation and their use as crosslinking reagents. The disadvantage with the cleavable bismaleinimido derivatives used hitherto which react with SH groups is that the subsequent cleavage of the crosslinking reagents from the proteins has to be carried out in acid or alkaline media. The object of the invention is to prepare novel cleavable crosslinking reagents which react with SH groups and do not require subsequent cleavage of the crosslinking reagents from the proteins in acid or alkaline media. This object is achieved by dimaleinimido-substituted dihydroxyalkanes of the general formula given in figure 3.

Abstract translation: 本发明涉及新的dimaleinimidosubstituierte dihydroxyalkanes，它们的制备方法和它们作为交联试剂的用途。 的先前的缺点使用，这与SH基团，该联试剂随后裂解，必须从在酸性或碱性介质中的蛋白质进行切割的双马来酰亚胺衍生物反应。 发明内容本发明的目的是提供新颖与SH基团，可裂解的连接试剂，其不需要从在酸性或碱性介质中的蛋白质的联试剂随后裂解反应。 该目的是通过提供一种具有其在图3中所示的通式dimaleinimidosubstituierten dihydroxyalkanes实现。

公开(公告)号：WO1997005304A1

公开(公告)日：1997-02-13

申请号：PCT/DE1996001439

申请日：1996-07-26

Applicant: INSTITUT FÜR KRISTALLZÜCHTUNG IM FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  BOECK, Torsten ,  SCHMIDT, Klaus ,  BRAUN, Andreas

Inventor： INSTITUT FÜR KRISTALLZÜCHTUNG IM FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

IPC: C30B25/18

CPC classification number: C30B11/12

Abstract: The invention concerns a method of producing large-area crystalline layers on economical carriers, in particular for constructing high-efficiency solar cells. According to the invention, in order to produce the locally selective nucleation centres on the substrate surface, a solvent is disposed in a structured manner, the substance to be crystallized is then deposited, dissolves and crystallites are formed at the solution/substrate interface. Finally, these crystallites undergo epitaxial growth to form a completely closed crystalline layer. In order to dispose a solvent in a structured manner on the substrate surface, either a solvent is applied which is then structured in droplet form or first a surface relief in the form of conical or pyramidal depressions is produced and a layer of solvent is then applied to the structured substrate surface.

Abstract translation: 为了生产廉价媒体大面积的结晶层，特别是用于太阳能电池的高效率的结构，提供了一种方法，其中溶剂被构造成产生此后布置沉积待结晶材料的衬底表面上的局部选择性成核中心， 此进入溶液并且在界面溶液/基底微晶形成并且这些晶粒生长至完全闭合的结晶层穷尽性的。 用于在基材表面上的溶剂的结构化设计被应用于任一溶剂中，然后这个以液滴的形式或者首先在锥形或金字塔形的凹陷，然后再进行图案化的基板表面上的溶剂层的形式的表面浮雕图案化。

公开(公告)号：WO2022117405A1

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：PCT/EP2021/082758

申请日：2021-11-24

Applicant: JENOPTIK OPTICAL SYSTEMS GMBH ,  FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： BOSCHKER, Jos ,  FRANK-ROTSCH, Christiane ,  SCHRÖDER, Thomas ,  ZORN, Martin

IPC: H01L21/02

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung (300) mit einem Substrat (310) und einem aluminiumgalliumarsenidbasierten Halbleiterbauelement (320), wobei das Substrat (310) einkristallin ist, wobei das Substrat (310) einen Galliumindiumarsenid-Mischkristall mit der Summenformel Ga(1-x)In(x)As aufweist, wobei der Indiumanteil x zwischen 0,1 Prozent und 4 Prozent beträgt.

公开(公告)号：WO2022117387A1

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：PCT/EP2021/082505

申请日：2021-11-22

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： SCHWARZKOPF, Jutta ,  BAKI, Aykut ,  IRMSCHER, Klaus ,  STÖVER, Julian ,  ALBRECHT, Martin ,  SCHULZ, Tobias

IPC: C30B25/02 ,  C23C16/18 ,  C30B29/22 ,  C30B29/32 ,  H01L41/18

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Verfahren zum Herstellen eines Oxidkristalls mit Perowskitstruktur und einer chemischen Formel ABO3, wobei die Komponenten A und B unterschiedliche Kationen mit unterschiedlichen Ionenradien sind und das Verfahren den Schritt aufweist: - Kontrollieren von wenigstens einem Wachstumsparameter beim Herstellen des Oxidkristalls derart, dass der hergestellte Oxidkristall eine Stöchiometrieabweichung aufweist, die dadurch verursacht wird, dass eine Anzahl von denjenigen Gitterplätzen des Oxidkristalls, die ohne Stöchiometrieabweichung von Kationen mit größerem Ionenradius besetzt würden, durch Kationen mit kleinerem Ionenradius besetzt werden.