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    211.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT512114T

    公开(公告)日：2011-06-15

    申请号：AT09169175

    申请日：2009-09-01

    Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： MORAND JEAN-LUC

    IPC: B81B3/00 ,  H01L29/92 ,  H01M8/10

    Abstract: The structure has a large number of parallelepipedic thin blades (21) extending from bottom of a recess to a substrate surface while being oriented perpendicular to each other and formed in a pattern covering whole surface of the recess. Some of the blades are placed non-secant to one of walls (13-19), where each non-secant blade is connected to one of the walls by another perpendicular blade. The substrate and the blades are made of silicon. The blades have a thickness smaller than 0.8 micrometer, and are separated from each other by distance shorter than 0.8 micrometer.

    PROCEDE DE FORMATION D'UNE BATTERIE LITHIUM-ION VERTICALE EN COUCHES MINCES
    212.
    发明专利
    PROCEDE DE FORMATION D'UNE BATTERIE LITHIUM-ION VERTICALE EN COUCHES MINCES 未知

    公开(公告)号：FR2950741A1

    公开(公告)日：2011-04-01

    申请号：FR0956676

    申请日：2009-09-28

    Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： BOUILLON PIERRE

    IPC: H01M10/38

    Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'une batterie de type lithium-ion, comprenant les étapes suivantes : (a) former, sur un substrat au moins localement conducteur (10), une couche isolante (12) comprenant une ouverture traversante ; (b) déposer successivement et de façon conforme, un empilement comprenant une couche de collecteur de cathode (18), une couche de cathode (20), une couche d'électrolyte (22) et une couche d'anode (24), cet empilement ayant une épaisseur inférieure à l'épaisseur de la couche isolante ; (c) former, sur la structure, une couche de collecteur d'anode (28) remplissant l'espace restant dans l'ouverture ; et (d) réaliser une planarisation de la structure pour faire apparaître la surface supérieure de la couche isolante (12) .

    COMMUTATEUR BIDIRECTIONNEL A COMMANDE EN Q1, Q4
    216.
    发明公开
    COMMUTATEUR BIDIRECTIONNEL A COMMANDE EN Q1, Q4 审中-公开
    双向开关和Q1-Q4控制

    公开(公告)号：EP2564421A1

    公开(公告)日：2013-03-06

    申请号：EP11723498.9

    申请日：2011-04-22

    Applicant: ST Microelectronics (Tours) SAS

    Inventor： MENARD, Samuel

    IPC: H01L29/747

    CPC classification number: H01L29/747

    Abstract: The invention relates to a vertical bi-directional switch of the type having control referenced to the rear surface, comprising a first main electrode (A1) on the rear surface thereof, and a second main electrode (A2) on the front surface thereof, and a gate electrode (G). Said switch can be controlled by a positive voltage between the gate electrode and the first electrode. In said switch, the gate electrode (G) is arranged on the front surface of a via passing through the chip in which the switch is formed.

    Adaptation d'impédance
    217.
    发明专利
    Adaptation d'impédance 未知

    公开(公告)号：FR3110792B1

    公开(公告)日：2022-06-03

    申请号：FR2005058

    申请日：2020-05-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： PROOT JEAN PIERRE ,  PAILLET PASCAL ,  DUPONT FRANCOIS

    IPC: H04B1/18 ,  H01Q1/24 ,  H01Q21/24

    Abstract: Adaptation d'impédance La présente description concerne un dispositif comprenant : une antenne (2) ; un coupleur directionnel (4) comprenant un premier port (401) recevant un signal radiofréquence, un deuxième port (402) vers lequel est transmis un signal reçu par le premier port (401) et un troisième port (403) vers lequel est transmis un signal reçu par le deuxième port (402) ; un réseau d'adaptation d'impédance (3') connecté entre le deuxième port (402) et l'antenne (2) et comprenant des composants inductifs et/ou capacitifs (C1', L1, C2', L2, C3) dont un unique composant inductif ou capacitif (C3) à valeur réglable ; et une diode (6) reliant le troisième port (403) du coupleur (4) à une borne de mesure (104) du dispositif (1') configurée pour être connectée à un convertisseur analogique numérique. Figure pour l'abrégé : Fig. 3

    Dispositif de décharge d’une capacité
    218.
    发明专利
    Dispositif de décharge d’une capacité 未知

    公开(公告)号：FR3108456B1

    公开(公告)日：2022-06-03

    申请号：FR2002751

    申请日：2020-03-20

    Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： COLLEONI ERIC

    IPC: H02M1/32 ,  H03K17/0812

    Abstract: Dispositif de décharge d’une capacité La présente description concerne un dispositif (2) de décharge d’une capacité (C) comprenant : un composant résistif (201) à valeur sélectionnable parmi au moins trois valeurs, destiné à être connecté en parallèle de la capacité (C) ; et un circuit (207) configuré pour sélectionner la valeur du composant (201). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    Dispositif de commande d'une diode OFT
    219.
    发明专利
    Dispositif de commande d'une diode OFT 未知

    公开(公告)号：FR3113792A1

    公开(公告)日：2022-03-04

    申请号：FR2008791

    申请日：2020-08-28

    Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： GAUTIER FREDERIC

    IPC: H02M3/10 ,  H02M1/00

    Abstract: Dispositif de commande d'une diode OFT La présente description concerne un dispositif (6) comprenant :une source de courant commandable (606) connectée entre un premier noeud (608) et une première borne (602) destinée à être reliée à une cathode (K) d'une diode commandable (10) ; une capacité (C1) connectée entre le premier noeud (608) et une deuxième borne (600) destinée à être reliée à une anode (A) de la diode commandable (10) ; un premier interrupteur (IT1) connecté entre le premier noeud (608) et une troisième borne (604) destinée à être reliée à une grille (G) de la diode commandable (10) ; un deuxième interrupteur (IT2) connecté entre les deuxième (600) et troisième (604) bornes ; etune première diode (D1) connectée entre la troisième borne (604) et la deuxième borne (600), une anode de la première diode (D1) étant de préférence reliée à la troisième borne (604). Figure pour l'abrégé : Fig. 3

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