Abstract:
The invention relates to a method for forming, on a substrate (5), a priming layer enabling a subsequent deposit of a layer of a metal, which comprises immersing the substrate in a bath (7) including a material in the ethoxysilanes or siloxanes families and a copper or nickel amidinate.
Abstract:
The invention relates to a device comprising a hydrogen/air fuel cell, having a movable element (32) capable, in the closed position, of covering the cathode of the cell (31) in a substantially sealed manner.
Abstract:
L'invention concerne l'utilisation d'un polymère mixte poly(3,4-éthylènedioxythiophène) poly(styrènesulfonate) pour la fabrication d'une encre catalytique, ainsi que l'encre catalytique elle-même. Elle concerne également une électrode de pile à combustible, un assemblage électrodes-membrane de pile à combustible et une pile à combustible comprenant un polymère mixte poly(3,4-éthylènedioxythiophène) poly(styrènesulfonate). L'invention trouve application en particulier dans le domaine de l'alimentation en énergie des moteurs à combustion interne.
Abstract:
The invention relates to the use of a poly(3,4-ethylene dioxythiophene)/polystyrene sulfonate mixed polymer for manufacturing a catalytic ink and to the catalytic ink itself. The invention also relates to a fuel cell electrode, to a fuel cell electrode-membrane assembly and to a fuel cell comprising a poly(3,4-ethylene dioxythiophene)/polystyrene sulfonate mixed polymer. The invention is applicable in particular in the field of supplying energy for internal combustion engines.
Abstract:
Commande d'un transistor La présente description concerne un procédé de commande d'un transistor MOS à canal N, dans lequel : - lorsque la première tension (VDS4) est inférieure à une troisième tension (VTHON4), une quatrième tension de commande (VGS4) dudit transistor est supérieure à une cinquième tension de seuil dudit transistor ; - lorsque la première tension (VDS4) est supérieure à la deuxième tension (Reg_Vthoff4), la quatrième tension de commande (VGS4) est inférieure à la cinquième tension, dans lequel ladite deuxième tension (Reg_Vthoff4) est égale à : - une première valeur constante (Ref_Vthoff5) entre un premier instant (t51) et un deuxième instant (t52) ; - une deuxième valeur variable, entre le deuxième instant (t52) et un troisième instant (t55), la deuxième valeur étant égale à la somme de la première tension (VDS4) et d'une sixième tension positive, le troisième instant (t55) correspondant à l'instant où la première tension (VDS4) s'inverse. Figure pour l'abrégé : Fig. 5
Abstract:
Fabrication de puces électroniques La présente description concerne une puce électronique (1) comportant un substrat semi-conducteur (11) portant au moins un contact métallique (31) s'étendant, dans l'épaisseur du substrat, le long d'au moins un flanc de la puce. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
Abstract:
Diodes fines La présente description concerne un dispositif comprenant une diode (10) dans laquelle la cathode de la diode comprend des première (30), deuxième (32) et troisième (34) zones, la première zone (30) recouvrant partiellement la deuxième zone (32) et ayant un niveau de dopage supérieur au niveau de dopage de la deuxième zone (32), la deuxième zone (32) recouvrant partiellement la troisième zone (34) et ayant un niveau de dopage supérieur au niveau de dopage de la troisième zone (34), une première couche isolante (24) chevauchant partiellement les première et deuxième zones. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
Abstract:
Dispositif de décharge d’une capacité La présente description concerne un dispositif (2) de décharge d’une capacité (C) comprenant : un composant résistif (201) à valeur sélectionnable parmi au moins trois valeurs, destiné à être connecté en parallèle de la capacité (C) ; et un circuit (207) configuré pour sélectionner la valeur du composant (201). Figure pour l'abrégé : Fig. 2
Abstract:
Protection contre des surtensions La présente description concerne une interface d’alimentation (414) comprenant :un premier interrupteur (309) reliant une borne d’entrée (301) de l’interface à une borne de sortie (305) de l’interface ;un pont diviseur (311) de tension reliant la borne d’entrée (301) à un nœud de référence (313) configuré pour recevoir un potentiel de référence (GND) ; un comparateur (323) dont une première entrée est connectée à un premier nœud (319) du pont diviseur et dont une deuxième entrée est configurée pour recevoir un potentiel constant (Vth) ; un convertisseur numérique analogique (DAC) ;un deuxième interrupteur (329) reliant une sortie du convertisseur (DAC) à un deuxième nœud (321) du pont diviseur (311) ; etun premier circuit (331) configuré pour commander le deuxième interrupteur (329) et le convertisseur (DAC), dans lequel une commande du premier interrupteur est déterminée par un signal de sortie (comp_sig) du comparateur (323). Figure pour l'abrégé : Fig. 2
Abstract:
L'invention concerne un ensemble batterie (BAT) comprenant deux batteries (BAT-A, BAT-B) ayant leurs couches actives (3) en regard l'une de l'autre et partageant une couche d'encapsulation (E).