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公开(公告)号：CN100585772C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200480019647.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H05K3/0023 , H05K3/4069 , H05K3/4664 , H05K2203/0139 , H05K2203/0514
Abstract: 本发明涉及一种使用厚膜膏填塞电子器件中的孔的方法。孔可预先前存在于包括厚膜材料的基板中或在包覆基板的光致抗蚀剂层中被制造。本发明具体有用于电子场发射三极管阵列的制造，在其中孔具有细微尺寸(直径＜100μm)，以及可包含碳纳米管的电子发射器厚膜膏具有高价值。
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公开(公告)号：CN101622686A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006085.7
申请日：2008-02-20
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种通过含有具有最佳范围的粒径的导电性粒子而能够保持CNT与阴极电极的良好电接触的电子发射源用膏。本发明的电子发射源用膏，含有直径为1nm以上且不到10nm的碳纳米管和平均粒径为0.1～1μm的导电性粒子。
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公开(公告)号：CN100573777C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610060128.2
申请日：2006-03-31
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J7/18 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射电子源，其包括至少一个电子发射体，该电子发射体包括导电基底和形成在导电基底上的电子发射层，该电子发射层至少覆盖于导电基底的顶部，其包含吸气剂微粒、导电金属微粒、纳米材料和玻璃，且该吸气剂微粒、导电金属微粒、纳米材料和玻璃混合形成所述电子发射层。本发明还涉及一种制造上述场发射电子源的方法。
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公开(公告)号：CN100555529C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510101028.5
申请日：2005-11-04
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种场发射元件，其包括一基体，至少一根碳纳米管线及一导电助剂。该碳纳米管线缠绕在该基体表面，并通过该导电助剂的作用固定缠绕在该基体表面。该种场发射元件其的碳纳米管线与基体之间结合牢固，在较大电场力作用下也不易被拔出或脱落。本发明还提供该种场发射元件的制备方法。
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公开(公告)号：CN100547713C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200410035278.9
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种制造场发射器件的方法。在该方法中，发射体使用浮脱工艺形成，隔离层形成在用于对发射体构图的牺牲层和发射体材料之间。该隔离层防止牺牲层与发射体材料起反应，以有助于浮脱工艺。因此，可以获得均匀发射具有高亮度的光的场发射器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101541894A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780043467.2
申请日：2007-11-27
Applicant: 富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司
Inventor： 简·萨梅雷尔
IPC: C09D11/00
CPC classification number: B41J3/00 , B41M3/006 , B41M5/0023 , B82Y30/00 , C09D11/30 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明描述了碳纳米管喷墨溶液和喷射方法。
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公开(公告)号：CN100527310C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN02816284.6
申请日：2002-11-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 冷阴极场电子发射元件的制造方法由下列工序组成：(a)在设置于支撑体(10)上的阴极电极(11)的所希望的区域上，形成由母材(21)掩埋了碳纳米管结构体(20)的复合体层(22)的工序；以及(b)在使剥离层(24)附着于复合体层(22)的表面后，用机械方法将剥离层(24)剥离，在顶端部突出的状态下，得到碳纳米管结构体(20)被埋入母材(21)中的电子发射部(15)的工序。
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公开(公告)号：CN101425443A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710124243.6
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/304 , H01J29/862 , H01J31/123 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , H01J2329/86
Abstract: 本发明涉及一种场发射像素管，其包括一壳体以及置于壳体内的一阴极，一荧光粉层和一阳极。该阴极与阳极间隔设置，其中，该阴极包括一阴极支撑体与一阴极发射体，该阴极发射体一端与阴极支撑体电性连接；该阳极包括一端面，且所述荧光粉层设置在该阳极端面上。
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公开(公告)号：CN101425439A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710124244.0
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管长线；加热该碳纳米管长线；提供一电子发射源，使用该电子发射源轰击该碳纳米管长线，使该碳纳米管长线在被轰击处熔断；将熔断后的碳纳米管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。
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公开(公告)号：CN100473602C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410074935.0
申请日：2004-09-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/34 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管(CNT)结构，一种制造碳纳米管结构的方法，以及采用该碳纳米管结构的场发射器和显示装置。制造CNTs的方法包括在形成有催化剂材料层的基底上生长第一CNTs，以及由在第一CNTs表面上的催化剂材料、在第一CNTs的表面上生长第二CNTs。在第一CNTs的侧壁上生长的第二CNTs在低电压下发射电子。此外，由于将第二CNTs用作电子发射源，所提供的CNT结构获得高电子发射电流。而且，由于第一CNTs的均匀直径，该CNT结构获得均匀的场发射。
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