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公开(公告)号：CN107633986B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201710814676.8
申请日：2017-08-25
Applicant: 金华职业技术学院
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明涉及等离子体放电领域的一种产生电子束的方法，空心阴极通入氢气或氩气；电子枪通入氮气；空心阴极气压达到特定值时，在阳极盘与空心阴极之间施加电压，空心阴极上施加负压，从‑2kV逐渐增加到‑55kV，使得阳极盘与空心阴极之间产生击穿；并在空心阴极和浮地阳极之间产生连续的击穿，从而产生更多放电电子；调整触发模块与发射管外侧出口距离，以达到特定的触发击穿条件，在触发模块的指形触点电极与金属电极盘之间施加电势差为0到‑3kV时，触发模块也发射出初始电子；漂移区域施加高电场，所述初始电子与步骤四中产生的放电电子一起加速并进入漂移区域，与中性气体原子碰撞；调节漂移区域内中性气体气压，使电子束达到不同聚焦效果。
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公开(公告)号：CN113436946B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110712011.2
申请日：2021-06-25
Applicant: 广东粤港澳大湾区国家纳米科技创新研究院
IPC: H01J3/02
Abstract: 本申请属于金属材料功能化技术领域，尤其涉及一种金属碳化物针尖及其制备方法和应用、电子枪。本申请提供了一种金属碳化物针尖的制备方法，包括：将尖顶端加工处理后的金属丝注入碳纳米锥的中空区域使得金属丝的尖顶端和碳纳米锥接触；对金属丝和碳纳米锥的施加电压，碳纳米锥与金属丝在交界处发生熔融反应，直至温度达到金属碳化物的共价键反应温度，使得碳纳米锥完全与金属丝反应生成所述金属碳化物；控制通入金属碳化物的电流，对金属碳化物施加预置电压，得到直径为10nm‑300nm的金属碳化物针尖。本申请提供了一种制备高强度，高硬度，高熔点，低功函数的单晶超细的金属碳化物针尖的方法。
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公开(公告)号：CN115428114A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202080099514.0
申请日：2020-04-23
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供能够抑制引出电极中的不均匀的温度分布的电子枪(901)以及测长SEM(900)。电子枪(901)具备：带电粒子源(1)；引出电极(3)，其从带电粒子源(1)引出带电粒子，并且使带电粒子的一部分通过，遮蔽带电粒子的另一部分；以及辅助结构(5)，其与引出电极(3)接触。测长SEM(900)具备上述的电子枪(901)和控制电子枪(901)的计算机系统(920)。
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公开(公告)号：CN115335948A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024398.0
申请日：2021-02-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的电子束产生器的电子枪具备：阴极，其具有出射电子束的前端部；第1电极，其容纳包含阴极的前端部的部分；及第2电极，其在自沿着电子束的出射轴的方向观察时包围着第1电极。第1电极具有绕出射轴包围包含前端部的部分的第1侧壁。第2电极具有与第1侧壁分开且包围第1侧壁的第2侧壁。在第1侧壁设置有第1开口部，该第1开口部使由第1侧壁包围的第1空间、和第1侧壁与第2侧壁之间的第2空间连通。在第2电极设置有第2开口部，该第2开口部以使第2空间与外部空间连通的方式，朝沿着出射轴的方向开口。
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公开(公告)号：CN110854002B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201910751289.3
申请日：2019-08-12
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本公开提供由电子发射材料形成的直的或成角度取向的平坦发射器对，所述平坦发射器对定位在发射器支撑结构上并且彼此电连接，而不管上面安装有所述发射器的安装结构如何。所述发射器之间的所述电连接使用导电材料构件直接形成在所述发射器之间，所述导电材料构件放置在所述发射器之间并附连到所述发射器以在形成所述发射器之后在所述发射器之间提供电通路或电连接。这些电连接构件独立于阴极上的发射器支撑结构而在所述成角度的发射器对之间形成电连接，使得所述电连接构件和包括所述连接构件的成角度的发射器可以将阴极组件的机械架构与电气架构分开，从而为所述阴极组件和相关联的x射线管创建简化的结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114521282A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202080067855.X
申请日：2020-07-31
Applicant: 埃朗根-纽伦堡弗里德里希·亚历山大大学
Abstract: 本发明涉及一种用于产生电子束(8)的电子源(2)，其具有由碳化硅衬底(5)外延生长的以石墨烯层(6,12)形式的阴极(1)和阳极(4)。本发明适用于小型化高能聚焦电子束源的整体制备，包括其用作片上X射线源。所有元件都可以由单个碳化硅芯片或在单个碳化硅芯片上制备。
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公开(公告)号：CN113140434A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010055354.1
申请日：2020-01-17
Applicant: 北京大学
Inventor： 魏贤龙
Abstract: 本申请公开了一种片上微型电子源及其制造方法、电子源系统、电子设备，其中片上微型电子源包括衬底，衬底上形成有驱动电极对，驱动电极对存在间隙，间隙中形成有电子隧穿结，驱动电极对可以用于驱动电子隧穿结发出电子束，在衬底上方可以固定聚焦电极，聚焦电极上形成有纵向贯穿聚焦电极的聚焦通道，用于在电子束通过时减小电子束的束斑尺寸。也就是说，本申请实施例中，可以通过驱动电极驱动电子隧穿结发出电子束，电子隧穿结无需穿过多个材料层，具有更高的发射效率，通过聚焦电极可以对电子束进行聚集，从而减小电子束的束斑尺寸，这样可以得到发射电流较大，且束斑尺寸较小的电子束。
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公开(公告)号：CN109671601B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201811360134.9
申请日：2018-11-15
Applicant: 温州职业技术学院
Abstract: 本发明公开了一种基于热电子放电的电子源，包括法兰座以及两个电极，法兰座背对电极的一面固定安装有放电法兰腔，法兰座内部设有第一冷却腔，放电法兰腔内设有第三冷却腔，放电法兰腔的内腔为放电腔，放电腔外壁设有进气孔，两个电极之间连接钨丝，放电腔外壁设有连通的电子通道及加长放电腔，钨丝电极上设有第二冷却腔，电极上的进水管与第二冷却腔之间有流动间隙，电极外壁设有出水口，加长放电腔外套装有磁体，可有效增加电子的运动行程，提升电子浓度；本发明通过第一冷却腔、第二冷却腔以及第三冷却腔的设计保证热电子稳定且长期的进行放电，并通过接通不同电位及磁场约束来提高电子的离化率以及电子浓度。
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公开(公告)号：CN112466730A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011345391.2
申请日：2020-11-26
Applicant: 中国航空制造技术研究院
IPC: H01J3/02
Abstract: 一种大功率移动式脉冲电子枪，包括平行设于真空室内的两个竖直驱动组件，水平驱动组件，以及电子枪本体；电子枪本体包括上段壳体和下段壳体，顶盖，以及基座，上段壳体的内壁上安装有同轴绝缘子，顶盖与同轴绝缘子之间形成密封腔体，密封腔体内部充满绝缘油，密封腔体中设有水冷管。本发明通过在真空室内实现电子枪本体的水平方向和垂直方向的二维运动，这样既可在真空室有限空间内实现最大尺寸零件的成形，也可大幅降低设备成本，通过水冷带动油冷的方式冷却同轴绝缘子，可以保障电子枪本体的长期稳定工作，通过设置聚焦线圈和动态聚焦线圈，可以保障脉冲基值束流与峰值束流期间工件表面的焦点位置一致，避免产生热变形，从而保障成形质量。
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