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公开(公告)号：KR1019990062700A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019980052331
申请日：1998-12-01
Applicant: 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 , 삼성전자주식회사
IPC: H04N21/234 , H04N19/136
Abstract: 본 발명은 영상 정보 코딩 방법에 있어서, 블록의 영상 정보 필드의 확장을 통한 부호화 유무 표시 방법에 관한 것이다. 본 발명은 부호화 유무 표시 정보필드의 확장을 통한 부호화 유무 표시 방법을 에러 허용모드에 활용하며, 부호화되는 영상정보의 특성에 따른 비트량을 감소시킬 수 있다. 본 발명은 H.263 및 MPEG-4에서 이용되는 COD 필드를 확장하여, MV 및 DCT가 모두 부호화되지 않았음과 MV 및 DCT가 모두 부호화되어 있음과 MV만 부호화되었음을 나타내도록 하여 영상을 부호화함으로써, 에러가 존재하는 채널에서는 에러허용모드에서 사용이 가능하며, 영상의 움직임이 일정한 배경하에서는 영상 정보 부호화시 기존보다 비트량을 감소시킬 수있다.
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公开(公告)号：KR100209912B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019960060795
申请日：1996-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박정훈
IPC: G06F17/40
Abstract: 개시된 내용은 다지점을 연결하는 원격교육시스템에서 교육에 참가한 단말의 호접속이 끊어져도 재접속시 끊어진 시점부터의 데이타를 재전송하여 완전히 데이타를 받을 수 있도록 한 원격교육시스템에서의 데이타 재전송기능을 구비한 다지점제어장치에 관한 것이다. 본 발명의 원격교육시스템은 강의데이타를 전송하는 강사단말에 교육에 참가하는 단말들을 연결하며, 강사단말 접속시 그 강의데이타를 데이타베이스화하여 저장하는 제 1메모리와, 접속되는 교육참가단말들의 아이디(ID)와 접속시간 및 그 단말의 호접속이 끊긴 시점을 데이타베이스화하여 저장하는 제 2메모리에 연결되어 강의데이타를 실시간으로 교육참가단말들에 전송하며 호접속이 끊어진 단말이 재접속시 제 2메모리에 등록된 단말데이타베이스에 저장된 그 단말의 끊어진 시점을 체크하여 제 1메모리에 등록된 데이타베이스에 저장된 강의데이타중 그 시점에 해당하는 데이타부터 재전송하는 다지점제어장치(MCU)로 구성된다. 따라서, 본 발명은 네트워크의 불안정 및 기타 부주의로 호접속이 끊어져 재접속시 끊어진 시점부터 읽어버린 강의데이타를 손실없이 재전송받을 수 있는 효과를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100167686B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950030101
申请日：1995-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C5/14 , G11C11/407
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야: 반도체 메모리의 고전압 펌프회로에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제: 칩의 면적을 줄일 수 있는 고전압 펌프회로를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지: 전원전압에 의해 구동되는 구동트랜지스터에 단위펌프가 직렬로 다수개 연결된 펌프 스트링을 병렬로 다수개 가지는 반도체 메모리의 고전압 펌프회로는 서로 다른 고전압레벨을 상기 고전압 펌프회로의 하나의 출력단으로 제공하기 위해, 인가되는 스위칭제어신호에 응답하여 상기 직렬로 다수개 연결된 단위펌프를 전기적으로 모두 연결시키거나 일부만을 연결시키는 스위칭 수단을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도: 반도체 메모리의 고전압 발생장치.-
公开(公告)号：KR1019990001921A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970025394
申请日：1997-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박정훈
IPC: H01L21/28
Abstract: 콘택홀 내부에서 개방 결함 및 접촉저항이 저하되는 문제를 억제할 수 있는 반도체 장치의 메탈 콘택홀 형성방법에 관하여 개시한다. 이를 위하여 본 발명은 반도체 기판 상에 금속 실리사이드층, 식각저지층 및 층간절연막이 순차적으로 형성하는 제1 단계와, 반도체 기판에 1차 건식식각을 진행하여 층간절연막과 식각저지층의 일부를 식각하는 제2 단계와, 1차 건식식각이 진행된 결과물에 2차 습식식각을 진행하여 금속 실리사이드층을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 메탈 콘택홀 형성방법을 제공한다. 여기서, 2차 습식식각은 식각액으로 인산(H
3 PO
4 ), 불화암모늄(NH
4 F) 및 불화암모늄과 에틸렌클리콜(ethylene glycol) 혼합액과 같은 금속 실리사이드층과 식각저지층과의 식각선택비가 우수한 식각액을 사용하는 것이 적합하다.-
公开(公告)号：KR1019990001669A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970025062
申请日：1997-06-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박정훈
IPC: H04M1/60
Abstract: 개시된 내용은 음성통화시 단말기 스피커폰의 부가기능을 인터넷서버에 설치하는 인터넷서버를 통한 음성통화장치에 관한 것이다. 본 발명의 장치는 다중채널반향제거기를 구비하여 단말기 상호간에 스피커폰기능을 사용하는 음성통화를 가능하게 하는 인터넷서버와, 음성통화를 위해 인터넷서버와 접속하는 제 1단말과, 인터넷서버를 통한 음성통화에 응답하는 제 2단말로 구성된다. 따라서, 본 발명은 단말기의 부가기능장치를 인터넷서버에 설치하여 사용하므로 단말기에는 별도의 부가장치를 필요로 하지 않는 효과를 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990001107A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970024314
申请日：1997-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박정훈
IPC: G06F15/16
Abstract: 개시된 내용은 음성통화시 단말기 사용자가 부재중일 경우 별도 메모리공간의 필요 없이 인터넷 서비스를 이용하여 자동응답예약 기능을 구현하는 인터넷서버를 통한 자동응답 구현방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 부재중 메세지를 포함하는 자동응답예약을 인터넷서버에 설정하는 제 1단계와, 음성통화를 위해 인터넷서버와 타단말이 접속하는 제 2단계와, 인터넷서버가 음성통화를 원하는 단말과의 자동응답예약을 실행하여 그에 대응하는 응답실행메세지를 저장하는 제 3단계, 및 인터넷서버에 기저장된 응답실행메세지를 확인하는 제 4단계로 이루어진다. 따라서, 본 발명은 단말기에 자동응답기능을 수행할 음성데이타를 저장할 메모리공간이 없이도 인터넷서비스 측면에서 자동응답기능을 수행할 수 있는 효과를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019980077449A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970014569
申请日：1997-04-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박정훈
IPC: G11C11/407
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 복수 개의 메모리 셀들을 구비한 메모리 셀 어레이와; 복수 개의 비트 라인들과; 복수 개의 워드 라인들과; 상기 비트 라인들에 대응하는 복수 개의 데이터 라인들과; 외부로부터 인가되는 행 어드레스에 응답하여 상기 메모리 셀 어레이의 행을 선택하기 위한 행 선택 회로와; 외부로부터 인가되는 열 어드레스에 응답하여 상기 메모리 셀 어레이의 열을 선택하기 위한 열 선택 회로와; 상기 행 및 열 어드레스들을 입력받아, 상기 어드레스들의 상태 천이를 검출하여 숏 펄스 신호들을 발생하는 숏 펄스 발생 회로와; 상기 숏 펄스 신호들을 합하여 서메이터 신호를 발생하는 서메이터 회로와; 상기 서메이터 신호에 응답하여 데이터 독출 동작 동안에 프리 챠아지 신호, 디스 챠아지 신호, 그리고 독출 인에이블 신호를 발생하는 독출 제어 회로와; 데이터 독출 동작 동안에 상기 디스 챠아지 신호에 응답하여 상기 메모리 셀 어레이의 비트 라인들을 디스 챠아지하고 상기 프리 챠아지 신호에 응답하여 선택된 열의 비트 라인을 소정 레벨로 프리 챠아지한 후 상기 선택 회로들에 의해서 선택된 메모리 셀에 저장된 셀 데이터를 감지하고 증폭하는 감지 증폭기와; 상기 감지 증폭기로부터의 데이터를 선택된 비트 라인에 대응하는 데이터 라인 상으로 전달하고 상기 데이터를 래치하기 위한 래치 회로와; 데이터 독출 동작 동안 상기 래치 회로를 활성화시키기 위한 제 1 및 제 2 펄스 신호들을 발생하는 회로와; 상기 독출 인에이블 신호에 응답하여 상기 데이터 라인 상의 데이터를 외부로 출력하는 출력 버퍼 회로를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1019980065998A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970001299
申请日：1997-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박정훈
IPC: H01L21/30
Abstract: 각각 1:50∼150의 부피비를 갖는 불화 암모늄(NH
4 F)과 초산(CH
3 COOH)의 혼합 용액을 포함하는 반도체 장치의 세정액이 개시된다. 본 발명에 따른 세정액은 각종 산화막에 대해 유사한 식각율을 가지므로, 세정 후에 내측면의 프로파일이 양호한 콘택홀을 얻을 수 있어 후속 공정에서 보이드(void) 발생을 방지할 수 있다. -
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