中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

254 records (took 0.024 seconds)

    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
    3.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 审中-实审
    用于处理基板的装置和方法

    公开(公告)号：KR1020150139705A

    公开(公告)日：2015-12-14

    申请号：KR1020140067739

    申请日：2014-06-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김경섭 ,  고용선 ,  김석훈 ,  이근택 ,  이효산 ,  최길현

    IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/024

    Abstract: 본발명은기판처리장치및 기판처리방법에관한것으로, 기판을지지하는스핀척, 상기스핀척 상에서이동가능하게배치되고, 상기스핀척 상에지지되는기판의표면상에처리액의액적들을제공하는노즐, 상기스핀척 상에지지되는상기기판의표면을따라상기노즐을수평하게그리고상기기판의표면으로부터수직하게이동시키는노즐아암을포함한다. 상기노즐은상기기판의에지와상기기판의중심사이에서이동하되상기기판의중심으로갈수록상기기판의표면으로부터의거리가증가한다. 상기기판의중심에제공되는상기액적들의수직간격은상기기판의에지에제공되는상기액적들의수직간격에비해작다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于处理衬底的装置和方法。 用于处理衬底的设备包括：用于支撑衬底的旋转卡盘; 设置在所述旋转卡盘上以移动的喷嘴，并且将处理液体的液滴供给到由所述旋转卡盘的表面支撑的所述基板的表面上; 以及喷嘴臂，用于沿着支撑在旋转卡盘上的基板的表面沿水平方向沿着垂直方向从基板的表面移动喷嘴。 喷嘴在基板的边缘和基板的中心之间移动，其中当喷嘴移动到基板的中心时，距离基板的表面的距离增加。 供给到基板的中心的液滴的垂直间隙小于供给到基板的边缘的液滴的垂直间隙。

    초임계 세정제의 정제방법 및 그의 정제장치
    4.
    发明公开
    초임계 세정제의 정제방법 및 그의 정제장치 审中-实审
    用于净化超临界流体和其纯化装置的方法

    公开(公告)号：KR1020150066005A

    公开(公告)日：2015-06-16

    申请号：KR1020130150774

    申请日：2013-12-05

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 조용진 ,  오정민 ,  전용명 ,  고용선 ,  이근택 ,  이효산

    IPC: C11D11/00

    CPC classification number: H01L21/02101 ,  H01L21/02057

    Abstract: 본발명은초임계세정제의정제방법및 그의정제장치를개시한다. 그의정제방법은, 식각제와, 제 1 세정제, 및제 2 세정제가각각혼합된제 1 혼합용액을제 1 온도이하로가열하여상기식각제및 제 1 세정제를증류하고, 상기제 2 세정제를제거하는단계와, 상기식각제및 상기제 1 세정제를압축또는응축하여상기식각제및 상기제 1 세정제가혼합된제 2 혼합용액을생성하는단계와, 상기제 2 혼합용액을제 1 온도보다낮은제 2 온도이하로가열하여상기식각제를재 증류하고, 상기제 1 세정제를추출하는단계를포함한다.

    Abstract translation: 在本发明中，公开了一种超临界清洗剂的净化方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一温度下加热与蚀刻剂，第一清洗剂和第二清洗剂混合的第一混合溶液，蒸馏蚀刻剂和 第一清洗剂并除去第二清洗剂; 压缩或冷凝蚀刻剂和第一清洁剂，从而产生与蚀刻剂和第一清洁剂混合的第二混合溶液; 以及在低于第一温度的第二温度下加热第二混合溶液，再次蒸馏蚀刻剂并提取第一清洗剂及其净化装置。

    화학/기계적 연마장치의 리테이너 링
    5.
    发明公开
    화학/기계적 연마장치의 리테이너 링 无效
    化学机械抛光装置的保持环

    公开(公告)号：KR1020070041031A

    公开(公告)日：2007-04-18

    申请号：KR1020050096705

    申请日：2005-10-13

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김동근 ,  고용선 ,  윤병문 ,  김경현

    IPC: H01L21/304

    Abstract: 본 발명은 화학/기계적 연마장치의 리테이너 링에 관한 것으로, 플렛-존이 형성된 웨이퍼의 이탈을 방지하기 위한 화학/기계적 연마장치의 리테이너 링에 있어서, 상기 리테이너 링의 내주면에 상기 웨이퍼의 상기 플렛-존 형상에 대응되는 돌출부가 더 형성되며, 이에 따라 웨이퍼에 형성된 플렛-존과 리테이너 링의 내주면에서 발생되는 리바운딩 현상이 웨이퍼의 다른 부위에 대하여 균일하게 형성됨으로써, 웨이퍼의 표면에 일정한 연마압력이 형성되어 웨이퍼의 연마 균일도를 일정하게 유지할 수 있어 이에 따른 웨이퍼의 가공불량을 해소할 수 있으며, 웨이퍼에 일정한 연마압력이 형성됨에 따라 연마패드의 국부적인 마모를 방지하여 연마패드의 라이프 사이클을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

    패턴 형성 방법
    6.
    发明公开
    패턴 형성 방법 无效
    形成图案的方法

    公开(公告)号：KR1020070033493A

    公开(公告)日：2007-03-27

    申请号：KR1020050087706

    申请日：2005-09-21

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김동근 ,  고용선 ,  김경현

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

    CPC classification number: H01L21/0274 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

    Abstract: A pattern forming method is provided to prevent an oxide layer from being generated at a side of a pre-tungsten pattern by removing a hard mask using a wet etching process instead of a dry etching process. An interlayer dielectric is formed on a substrate(100) with a conductive pattern. A hard mask is formed on the interlayer dielectric. An opening portion(110) for exposing the conductive pattern to the outside is formed on the resultant structure by etching selectively the interlayer dielectric using the hard mask as an etch mask. A tungsten film for filling the opening portion is formed on the resultant structure. A pre tungsten pattern for exposing the hard mask to the outside is formed on the resultant structure by etching the tungsten film. The hard mask is then removed from the resultant structure by using wet etching. A tungsten pattern(116b) is formed by performing a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process on the pre tungsten pattern.

    Abstract translation: 提供了图案形成方法，以防止通过使用湿蚀刻工艺代替干蚀刻工艺去除硬掩模来在钨前图案的一侧产生氧化物层。 在具有导电图案的基板（100）上形成层间电介质。 在层间电介质上形成硬掩模。 通过使用硬掩模作为蚀刻掩模选择性地蚀刻层间电介质，在所得结构上形成用于将导电图案暴露于外部的开口部分（110）。 在所得结构上形成用于填充开口部的钨膜。 通过蚀刻钨膜，在所得结构上形成用于将硬掩模暴露于外部的预钨图案。 然后通过使用湿蚀刻从所得结构中除去硬掩模。 通过对钨前图案进行CMP（化学机械抛光）工艺来形成钨图案（116b）。

    마스크 구조물, 이의 제조 방법, 이를 이용한 패턴 형성방법 및 반도체 장치의 콘택 형성 방법
    8.
    发明授权
    마스크 구조물, 이의 제조 방법, 이를 이용한 패턴 형성방법 및 반도체 장치의 콘택 형성 방법 失效
    掩模结构，形成掩模结构的方法，使用掩模结构形成图案的方法以及使用掩模结构形成接触的方法

    公开(公告)号：KR100669107B1

    公开(公告)日：2007-01-16

    申请号：KR1020050062215

    申请日：2005-07-11

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 배용국 ,  유지용 ,  고용선 ,  성승원

    IPC: H01L21/28

    CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

    Abstract: A mask structure, a method for forming a mask structure, a method for forming a pattern using a mask structure, and a method for forming a contact using a mask structure are provided to prevent electrical disconnection of conductive patterns and form the conductive patterns having a correct dimension. An object(50) includes a first material. A first mask pattern(55) is formed on the object and includes a first material and a second material. The first mask pattern includes a first thickness and a first width. A second mask pattern(60) is formed on the object and includes a third material different from the first and second materials. The second mask pattern includes a first opening(65) and a second opening(70) and has a second thickness thicker than the first thickness.

    Abstract translation: 提供掩模结构，掩模结构的形成方法，使用掩模结构形成图案的方法以及使用掩模结构形成接触的方法，以防止导电图案的电断开并形成具有 正确的维度。 物体（50）包括第一材料。 第一掩模图案（55）形成在物体上并且包括第一材料和第二材料。 第一掩模图案包括第一厚度和第一宽度。 第二掩模图案（60）形成在物体上并且包括与第一和第二材料不同的第三材料。 第二掩模图案包括第一开口（65）和第二开口（70），并且具有比第一厚度厚的第二厚度。

Patent Agency Ranking