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公开(公告)号：KR1020060104653A
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020050026986
申请日：2005-03-31
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J1/30 , H01J9/185 , H01J11/36 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
Abstract: 본 발명은 접착층에 의한 오염 문제를 유발하지 않으면서 스페이서들을 기판에 보다 견고하게 고착시킬 수 있는 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 제1 기판과, 제1 기판에 대향 배치되며 제1 기판에 대향하는 일면에 스페이서 고정을 위한 홈부를 구비하는 제2 기판과, 제1 기판에 제공되는 전자 방출부와, 제2 기판 중 제1 기판과의 대향면에 제공되는 형광층들과, 형광층들의 일면에서 홈부의 표면에 걸쳐 형성되는 애노드 전극과, 그 일부가 홈부에 끼워진 상태로 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되며, 도전성 접착층을 매개로 제2 기판에 접착되는 스페이서들을 포함한다.
스페이서, 접착층, 도전성접착층, 형광층, 흑색층, 애노드전극, 전자방출부-
公开(公告)号：KR1020060104649A
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020050026982
申请日：2005-03-31
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
Inventor： 류경선
CPC classification number: H01J1/30 , H01J9/185 , H01J9/242 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
Abstract: 본 발명은 스페이서의 차징과 이로 인한 전자빔 왜곡을 억제하기 위한 스페이서 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 스페이서 제조 방법은 감광성 유리 일면에 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 감광성 유리 중 마스크 패턴이 형성되지 않은 부위를 선택적으로 노광하는 단계와, 감광성 유리를 고온 열처리하여 노광 부위와 비노광 부위간 조직적인 차이를 발생시키는 단계와, 감광성 유리의 노광 부위를 소정 두께로 제거하여 제1 스페이서부를 형성하는 단계와, 제1 스페이서부 표면에 기능막을 형성하는 단계와, 감광성 유리의 남은 노광 부위를 제거하여 제2 스페이서부를 형성하는 단계를 포함한다.
스페이서, 전자방출소자, 저항층, 도전층, 기능막, 감광성유리, 소성, 노광-
公开(公告)号：KR1020060019856A
公开(公告)日：2006-03-06
申请号：KR1020040068530
申请日：2004-08-30
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명은 화면 좌우측에서 휘도 차이가 발생하는 것을 방지하기 위한 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 본 발명의 전자 방출 소자는, 기판과; 기판 위에 형성되며, 데이터 신호를 인가받는 제1 캐소드 전극과; 절연층을 사이에 두고 제1 캐소드 전극 상부에 형성되며, 주사 신호를 인가받는 게이트 전극과; 게이트 전극과 같은 층에 위치하면서 제1 캐소드 전극과 동일 전압을 인가받는 제2 캐소드 전극과; 제2 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부를 포함한다.
전자방출, FEA, 캐소드전극, 게이트전극, 주사전극, 데이터전극, 전자방출부, 형광층, 애노드전극-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060015901A
公开(公告)日：2006-02-21
申请号：KR1020040064289
申请日：2004-08-16
Applicant: (주)넥센나노텍
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명은 뾰족한 형태의 금속이나 비금속 팁 또는 나노 카본계 물질로 만든 에미터(emitter)로부터 전계방출을 유도하는 삼전극형(Triode type) 표시소자를 제작하기 위해, 한 개의 산화막을 포함한 그물망 형태의 메쉬 구조물상의 게이트 전극을 갖는 전계 방출 소자(Field Emission Device) 및 그 제작 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 캐소우드상의 에미터로부터 방출되는 전자의 양을 조절, 아킹(Arcing) 발생시 에미터의 보호, 게이트 전극으로 손실되는 누설전류의 완전한 차단 및 방출된 전자의 집속(Focusing) 또는 퍼짐을 도와 주는 한 개의 산화막을 가진 그물망 형태의 메쉬 구조물을 이용한 삼전극형 전계 방출 표시 소자 (FED) 및 전계 방출 평면 램프(FEFL)는, 패턴된 에미터가 배열된 캐소우드 바로 직상에 에미터로부터 방출된 전자들이 통과할 수 있도록 개구부가 형성된 그물망 형태의 메쉬 전극이 한 개의 산화막을 층간으로 하여 놓이게 되고, 또한 아노드 전극과의 거리를 스페이서로 조절함으로써 아노드에 고전압의 인가가 가능하여 고휘도를 구현할 수 있는 소자의 구조로 이루어진다.
탄소나노튜브, 탄소나노파이버, 에미터, 전계 방출 표시 소자, 전계 방출 평면 램프, 삼전극형 구조, 메쉬 게이트-
公开(公告)号：KR1020050113829A
公开(公告)日：2005-12-05
申请号：KR1020040038946
申请日：2004-05-31
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
Inventor： 박진민
CPC classification number: H01J1/30 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명의 목적은 전자 방출부에서 방출된 전자들의 집속성을 높이면서 전자 방출량도 증폭시켜 우수한 색재현성을 확보하면서 휘도 특성을 극대화할 수 있는 전자 방출 소자를 제공한다.
본 발명의 목적은 전자들을 방출하는 전자 방출 수단이 구비된 제 1 기판; 제 1 기판에 대향하여 배치되고 전자들에 의해 이미지를 표시하는 이미지 표시 수단이 구비된 제 2 기판; 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 배치되고 다수개의 빔통과공을 구비하여 전자들을 집속시키는 그리드 전극; 및 빔통과공 내에 형성되어 전자들을 증폭시키는 2차 전자 방출부를 포함하는 평판 표시 소자에 의해 달성될 수 있다. 여기서, 2차 전자 방출부는 상기 빔통과공 내벽에 형성되고, MgO 또는 BN 으로 이루어진다.-
公开(公告)号：KR1020050112819A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：KR1020040038239
申请日：2004-05-28
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J1/30 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명은 전자 방출부와 게이트 전극간 미세 갭을 확보하여 저전압 구동을 실현하고, 전자빔 집속에 유리한 구조를 갖는 전자 방출 소자에 관한 것으로서,
전자 방출 소자는 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과; 캐소드 전극들과 전기 접촉을 이루며 형성되는 전자 방출부들과; 전자 방출부들을 개방시키면서 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 위에 형성되는 게이트 전극들과; 캐소드 전극과 소정의 간격을 두고 이와 동일 평면 상에 위치하며, 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 대향 전극을 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020050112817A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：KR1020040038237
申请日：2004-05-28
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
Inventor： 류경선
CPC classification number: H01J1/30 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명은 전극의 내부 저항으로 인한 전압 강하를 보상하여 전자 방출부들의 방출 전류량을 균일화할 수 있는 전자 방출 소자에 관한 것으로서,
전자 방출 소자는 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과; 각각의 캐소드 전극 위에서 캐소드 전극의 저항값보다 작은 저항값을 가지며 형성되고, 캐소드 전극의 길이 방향을 따라 개구부들을 형성하여 캐소드 전극의 일부 표면을 노출시키는 보조 전극들과; 각각의 개구부 내로 캐소드 전극 위에 형성되는 전자 방출부들과; 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 및 보조 전극들과 절연 상태로 배치되는 게이트 전극들을 포함하며, 보조 전극의 개구부들이 캐소드 전극의 길이 방향을 따라 그 크기가 서로 다르게 형성된다.-
公开(公告)号：KR100422244B1
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：KR1020007001404
申请日：1998-07-29
Applicant: 어플라이드 나노테크 홀딩스, 인크.
Inventor： 톨트,지히단리
IPC: H01J1/30
CPC classification number: C23C16/26 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30453 , H01J2329/0444
Abstract: A carbon film used for a field emission cathode comprises a layer of thin carbon film on a substrate. With 244 nm and 2-7 mW excitation, and within the wave number from 1100 to 1850 cm-1, the carbon film has a distinct UV Raman band in the range from 1578 cm-1 to 1620 cm-1 with a full width at half maximum from 25 to 165 cm-1. The carbon film can be deposited by chemical vapor deposition, physical vapor deposition, electrolysis, printing or painting, and can be continuous or noncontinuous.
Abstract translation: 用于场发射阴极的碳膜包括在基底上的一层薄碳膜。 在244 nm和2-7 mW激发下，在1100至1850 cm-1的波数范围内，碳膜具有1578 cm-1至1620 cm-1范围内的不同UV拉曼带，全宽 半最大值从25到165厘米-1。 碳膜可以通过化学气相沉积，物理气相沉积，电解，印刷或涂漆来沉积，并且可以是连续的或不连续的。
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