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公开(公告)号:CN111540563B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202010447199.8
申请日:2017-05-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明所涉及的层叠线圈部件具备:素体、配置于素体内的线圈、配置于素体并且与线圈相电连接的外部电极。素体具有安装面即主面、以与主面相邻接的形式定位并且在与主面相交叉的方向上延伸的端面。外部电极具有被形成于主面和端面的基底金属层、以覆盖基底金属层的形式形成的导电性树脂层。基底金属层的位于主面上的端部上的导电性树脂层的厚度为导电性树脂层的位于主面上的部分中的最大厚度的50%以上。
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公开(公告)号:CN109714014B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN201811244557.4
申请日:2018-10-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及电子部件。本发明的电子部件中的素体具有:由第一材料构成的第一功能部、由不同于第一材料的第二材料构成的第二功能部、以及位于第一功能部和第二功能部之间的中间部。中间部包括:包含在第一材料中的第一成分和包含在第二材料中的第二成分。素体的侧面包括第一功能部件、第二功能部件以及中间部件的各表面。多个端子电极分别具有以在第一功能部、第二功能部以及中间部的各表面延伸的方式形成在侧面上的电极部。绝缘层以至少与中间部的表面上的电极部之间从电极部露出的区域相接的方式形成在侧面上。
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公开(公告)号:CN111693911B
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202010165768.X
申请日:2020-03-11
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁传感器装置具有自旋阀型的磁阻效应元件,并且能够向该磁阻效应元件的自由层稳定地施加偏置磁场,其具备:自旋阀型的磁阻效应元件;基板,其配置有磁阻效应元件;电源,其供给施加于磁阻效应元件的实质上恒定的电流;以及磁场产生部,其被设置成串联连接于施加于磁阻效应元件的电流的电流路径,并且能够向至少一部分的磁阻效应元件施加偏置磁场,磁场产生部位于一部分的磁阻效应元件的附近,并且位于与基板不同的层。
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公开(公告)号:CN115993561A
公开(公告)日:2023-04-21
申请号:CN202211272375.4
申请日:2022-10-18
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供可高灵敏度地检测低频区域的磁场的改良了的磁传感器。磁传感器(1)具备:经由磁隙(G1)沿x方向排列且具有环状结构的磁性体结构物(10、20);配置于由磁隙(G1)形成的磁路上且将x方向设为灵敏度轴方向的感磁元件(R1);卷绕于磁性体结构物(10)的励磁线圈(C1、C2);卷绕于磁性体结构物(20)的励磁线圈(C1、C2)。由此,磁性体结构物(10、20)的集磁能力由于流过励磁线圈(C1~C4)的电流而变化。因此,如果向励磁线圈(C1~C4)流过具有规定的频率的电流,则以规定的频率调制从感磁元件(R1)输出的检测信号。由此,可高灵敏度地检测低频区域的磁场。
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公开(公告)号:CN113808851B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202111204579.X
申请日:2020-03-03
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种对于用户来说便利性高的电子部件。电子部件(10)具有:在两端面形成有端子电极(22、24)的电容器芯片(20a、20b);连接于端子电极(22、24)的个别金属端子(30、30);收容电容器芯片(20a、20b)的绝缘壳体(60);以及将多个绝缘壳体(60)各自连结的连结部(100)。
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公开(公告)号:CN109845101B
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN201780062923.1
申请日:2017-08-21
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 层叠型LC滤波器阵列包括:呈长方体形状的素体;第一滤波器,其包含配置于素体内的第一电感和第一电容;第二滤波器,其包含配置于素体内的第二电感和第二电容;与第一电感连接的第一输入端子电极和第一输出端子电极;与第二电感连接的第二输入端子电极和第二输出端子电极;与第一电容和第二电容连接的接地端子电极。素体具有彼此相对的第一和第二主面。接地端子电极配置于第一主面的中央。第一输入端子电极、第一输出端子电极、第二输入端子电极和第二输出端子电极从与第一主面正交的方向观察时,分别配置于素体的不同的角部。
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公开(公告)号:CN115942857A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202210915006.6
申请日:2022-08-01
Applicant: TDK株式会社
Inventor: 森下纯平
IPC: H10N30/853 , H10N30/50
Abstract: 本发明的压电薄膜具备下部层和直接或间接地重叠于下部层的第一压电层。第一压电层包含钙钛矿型氧化物的四方晶1。四方晶1的(001)面在第一压电层的表面的法线方向dn上取向。四方晶1的(100)面的间隔为a1。下部层所含的晶体的(100)面的间隔为aL。第一压电层和下部层之间的晶格不匹配率被定义为100×(aL-a1)/a1。晶格不匹配率为3.0%以上且12.1%以下。四方晶1的(001)面的衍射X射线的摇摆曲线是在第一压电层的表面的面外方向上测定的。摇摆曲线的半峰全宽为1.9°以上且5.5°以下。
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