公开(公告)号：WO2013026896A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：PCT/EP2012/066387

申请日：2012-08-23

Applicant: JULIUS-MAXIMILIANS-UNIVERSITÄT WÜRZBURG ,  FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  BLASIG, Ingolf ,  RITTNER, Heike ,  ZWANZIGER, Denise

Inventor： BLASIG, Ingolf ,  RITTNER, Heike ,  ZWANZIGER, Denise

IPC: A61K38/17 ,  A61P23/00 ,  A61P25/00

CPC classification number: A61K38/17

Abstract: The invention relates to peptides comprising an amino acid sequence of or derived from a claudin protein for use as a pharmaceutical agent, in particular as an adjuvant or drug delivery-enhancing agent in pain therapy.

Abstract translation: 本发明涉及包含用作药剂的克鲁丁蛋白的氨基酸序列或衍生自肽，特别是作为疼痛治疗中的佐剂或药物递送增强剂的肽。

公开(公告)号：WO2012097947A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：PCT/EP2011/074133

申请日：2011-12-28

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans ,  CRUMP, Paul

Inventor： ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans ,  CRUMP, Paul

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01S5/2018 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/3213 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/18

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit hoher Effizienz. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Laserdiode mit hohem Wirkungsgrad, geringem optischen Verlust und geringem ohmschen Widerstand anzugeben. Darüber hinaus soll die erfindungsgemäße Laserdiode preiswert herstellbar sein. Die erfindungsgemäße Laserdiode weist eine erste n-leitend ausgebildete Mantelschicht (14), eine erste n-leitend ausgebildete Wellenleiterschicht (12), die auf der ersten Mantelschicht (14) angeordnet ist, eine aktive Schicht (10), die zur Strahlungserzeugung geeignet ist und die auf der ersten Wellenleiterschicht (12) angeordnet ist, eine zweite p-leitend ausgebildete Wellenleiterschicht (16), die auf der aktiven Schicht (10) angeordnet ist, und eine zweite p-leitend ausgebildete Mantelschicht (18), die auf der zweiten Wellenleiterschicht (16) angeordnet ist, auf, wobei erfindungsgemäß die Summe der Schichtdicke der ersten Wellenleiterschicht (12), der Schichtdicke der aktiven Schicht (10) und der Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) größer als 1 μm ist und die Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) kleiner als 150 nm ist, wobei die aktive Schicht (10), die erste Mantelschicht (14), die zweite Mantelschicht (18), die erste Wellenleiterschicht (12) und die zweite Wellenleiterschicht (16) derart ausgebildet sind, dass die maximale Modenintensität der Grundmode (24) in einem Bereich außerhalb der aktiven Schicht (10) liegt, und wobei die Differenz der Brechzahl der ersten Wellenleiterschicht (12) und der Brechzahl der ersten Mantelschicht (14) zwischen 0,04 und 0,01 beträgt.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有高效率的激光二极管。 本发明提供具有高效率，低光学损耗和低欧姆电阻的激光二极管的一个目的。 另外，本发明的激光二极管被廉价地制造。 根据本发明的激光二极管包括：第一n型导电性形成鞘（14），（12），设置在所述第一n型导电性形成波导层的第一包层（14），有源层（10），其适合于产生辐射，并且 与第一波导层（12）被布置在，形成在所述有源层上的p型导电性形成第二波导层（16）（10）被设置，并形成了p型导电性的第二覆盖层（18）形成在所述第二波导层上 （16）设置在，其特征在于，根据本发明的大于1微米并且所述第二波导层的（层厚度的第一波导层（12），有源层（10）的层的厚度和所述第二波导层（16）的层厚度的厚度的总和 16）小于150纳米，其中所述活性层（10），所述第一包层（14），第二包层（18），所述第一波导层（12）和二 È第二波导层（16）被形成为使得所述基模的最大模强度（24）位于的区域中的有源层（10）的外部，并且其中，在所述第一波导层（12）和所述第一包层的折射率的折射率的差（ 14）为0.04〜0.01。

公开(公告)号：WO2012065980A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：PCT/EP2011/070128

申请日：2011-11-15

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  GESCHE, Roland ,  PORTEANU, Horia-Eugen ,  KÜHN, Silvio

Inventor： GESCHE, Roland ,  PORTEANU, Horia-Eugen ,  KÜHN, Silvio

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32247

Abstract: Ein Mikrowellenresonator zur induktiven Erzeugung eines Plasmas (5) wird eingeführt. Der Mikrowellenresonator umfasst eine erste Röhre (4) und eine leitfähige, vorzugsweise metallische Platte (1). Die Röhre (4) ist für das Anschließen an eine Zuführeinrichtung für ein Prozessgas und zum Leiten des Prozessgases ausgebildet und umfasst ein dielektrisches Material. Die leitfähige Platte (1) weist ein erstes, vorzugsweise zylindrisches, Loch (2) auf, das sich von einer ersten Öffnung auf einer ersten Seite der leitfähigen Platte (1) zu einer zweiten Öffnung auf einer der ersten Seite gegenüber liegenden zweiten Seite der leitfähigen Platte (1) erstreckt. Die erste Röhre (4) ist in dem ersten Loch (2) angeordnet. Die leitfähige Platte (1) weist außerdem einen ersten Schlitz (3) auf, der zu der ersten und der zweiten Seite der leitfähigen Platte (1) und zu dem ersten Loch (2) geöffnet ist. Die Erfindung führt außerdem einen Plasmagenerator mit einem solchen Mikrowellenresonator ein.

Abstract translation: 用于感应地产生等离子体（5）的微波谐振器被引入。 该微波谐振器包括第一管（4）和导电，优选金属板（1）。 所述管（4）被设计用于连接到用于处理气体的进料和用于引导工艺气体和包括介电材料。 导电板（1）具有从在导电板（1）位于与导电的第二侧相对的第一侧上的第二开口的第一侧的第一开口延伸的第一，优选为圆柱形的孔（2） 板（1）。 第一管（4）被布置在所述第一孔（2）。 导电板（1）还具有第一狭槽（3），其是开放的第一和所述导电板（1）的第二侧和所述第一孔（2）。 本发明还导致等离子体发生器，微波谐振器具有这样。

公开(公告)号：WO2011061283A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：PCT/EP2010/067815

申请日：2010-11-19

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  PORTEANU, Horia-Eugen ,  GESCHE, Roland ,  KÜHN, Silvio

Inventor： PORTEANU, Horia-Eugen ,  GESCHE, Roland ,  KÜHN, Silvio

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/24

CPC classification number: H05H1/46 ,  H05H1/24 ,  H05H2001/466

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas, umfassend eine Wechselspannungsquelle (10), einen Wanderwellenresonator (18) sowie Kopplungsmittel (16), die dazu ausgelegt sind, die von der Wechselspannungsquelle (10) erzeugte Wechselspannung in den Wanderwellenresonator (18) derart einzukoppeln, dass elektromagnetische Wanderwellen entstehen, wobei der Wanderwellenresonator (18) dazu ausgelegt ist, die elektrische Feldstärke der elektromagnetischen Wanderwellen derart zu überhöhen, dass in einem Gas ein Plasma gezündet wird. Die Erfindung betrifft ferner Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas, das folgende Schritte umfasst: Erzeugen einer Wechselspannung; Erzeugen elektromagnetischer Wanderwellen in einem Wanderwellenresonator (18) durch Einkoppeln der Wechselspannung in den Wanderwellenresonator (18); und Überhöhen der elektrischen Feldstärke der elektromagnetischen Wanderwellen in dem Wanderwellenresonator (18), um in einem Gas ein Plasma zu zünden. Des Weiteren betrifft die Erfindung die Verwendung der genannten Vorrichtung und/oder des genannten Verfahrens zur Plasmabehandlung.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置，用于产生等离子体，其包括通过以这样的方式在Wanderwellenresonator（18）产生的交流电压源（10）的交流电压适合于耦合的交流电压源（10），一个Wanderwellenresonator（18）和耦合装置（16） 使得形成电磁行波，其中，所述Wanderwellenresonator（18）适于以提高电磁行波的电场强度在这样的方式，在气体中，等离子体被点燃。 本发明还涉及用于产生等离子体的方法，包括以下步骤的方法：产生交流电压; 产生的电磁波通过所述AC电压（18）耦合到Wanderwellenresonator在Wanderwellenresonator（18）行进; 和超高仍电磁波在Wanderwellenresonator行进的电场强度，（18）的气体中点燃的等离子体。 此外，本发明涉及使用所述设备和/或用于等离子体处理，所述方法的。

公开(公告)号：WO2011033017A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：PCT/EP2010/063606

申请日：2010-09-16

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  SCHMIDT, Heinar ,  PÉREZ KAISER, Daniel ,  MAIWALD, Martin

Inventor： SCHMIDT, Heinar ,  PÉREZ KAISER, Daniel ,  MAIWALD, Martin

IPC: G01J3/44 ,  G01N21/65

CPC classification number: G01J3/44 ,  G01J3/28 ,  G01J3/457 ,  G01N21/274 ,  G01N21/65

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung und zur Detektion eines Raman-Spektrums. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung und zur Detektion eines Raman-Spektrums anzugeben, die eine automatisierte bzw. automatisierbare und gleichzeitig quantitative SERD-Spektroskopie (z.B. Konzentrationsmessreihen) ermöglichen. Dazu werden bei der SERD-Spektroskopie ein erstes Spektrum (16) und ein zweites Spektrum (17) in Bezug auf ihre Intensitätswerte zueinander normiert, und nachfolgend ein erstes Differenzspektrum (D1) berechnet, ein zweites Differenzspektrum (D2) berechnet, das erste Differenzspektrum (D1) in ein erstes Transformationsspektrum (K1) überführt, das zweite Differenzspektrum (D2) in ein zweites Transformationsspektrum (K2) überführt und das Raman-Spektrum (R1) durch Addition des ersten Transformationsspektrums (K1) und des zweiten Transformationsspektrums (K2) berechnet.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于产生和检测的拉曼光谱的方法和装置。 它是本发明的一个目的是提供一种方法和用于产生和检测的拉曼光谱，其允许自动化或自动化，并在同一定量SERD光谱（例如浓度测量）的装置。 为了这个目的，在SERD光谱第一频谱相对于归一化（16）和一第二频谱（17），其强度值以彼此，且随后，一个第一差谱（D1）被计算，一个第二差谱（D2）被计算，所述第一差谱（ D1）（在第一变换光谱K1）被传送时，在第二变换范围（K2第二差谱（D2））转移和拉曼光谱（R1）通过将第一变换频谱（K1）和第二变换光谱（K2）被计算。

公开(公告)号：WO2009033903A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：PCT/EP2008/060487

申请日：2008-08-08

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KHALIL, Ibrahim M. ,  BAHAT-TREIDEL, Eldad ,  WUERFL, Hans-Joachim ,  HILT, Oliver

Inventor： KHALIL, Ibrahim M. ,  BAHAT-TREIDEL, Eldad ,  WUERFL, Hans-Joachim ,  HILT, Oliver

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42376

Abstract: The invention concerns about electrical devices having improved transfer characteristics and a corresponding method of tailoring the transfer characteristics of such electrical devices. According to one aspect of the invention, there is provided an electrical device including at least two transistor segments or at least two transistors connected in parallel or in series characterized in that the at least two segments of the transistor or the at least two of the transistors have a different single transfer characteristic due to at least one of different topology and different material properties.

Abstract translation: 本发明涉及具有改进的传输特性的电气设备以及调整这种电气设备的传输特性的相应方法。 根据本发明的一个方面，提供一种电气装置，其包括并联或串联连接的至少两个晶体管段或至少两个晶体管，其特征在于晶体管的至少两个区段或至少两个晶体管 由于不同的拓扑和不同的材料性质中的至少一个具有不同的单转印特性。

公开(公告)号：WO2008101989A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：PCT/EP2008/052131

申请日：2008-02-21

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  BAHAT-TREIDEL, Eldat ,  SIDOROV, Victor ,  WUERFL, Joachim

Inventor： BAHAT-TREIDEL, Eldat ,  SIDOROV, Victor ,  WUERFL, Joachim

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66871 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/812

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Transistor, bei dem das elektrische Feld mittels Feldplatten in der aktiven Region in kritischen Gebieten reduziert und dadurch das elektrische Feld entlang des Bauelements gleichmäßiger verteilt wird. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Transistor und ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben, bei dem das elektrische Feld in der aktiven Region geglättet ist (bzw. Feldspitzen reduziert sind), wobei das Bauelement preiswerter und einfacher herstellbar ist. Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement weist ein Substrat (20) mit einer darauf angeordneten aktiven Schichtstruktur auf, wobei auf der aktiven Schichtstruktur (24, 26) ein Sourcekontakt (30) und ein Drainkontakt (28) angeordnet ist, und der Sourcekontakt (30) und der Drainkontakt (28) voneinander beabstandet sind, und mindestens ein Teil eines Gatekontakts (32) auf der aktiven Schichtstruktur (24, 26) im Bereich zwischen Sourcekontakt (30) und Drainkontakt (28) angeordnet ist, wobei eine Gate-Feldplatte (34) mit dem Gatekontakt (32) elektrisch verbunden ist, und wobei zusätzlich mindestens zwei separate Feldplatten (50, 52, 54, 56, 58, 60) direkt auf der aktiven Schichtstruktur (24, 26) oder direkt auf einer Passivierungsschicht (36) angeordnet sind.

Abstract translation: 本发明涉及其中通过电场的电场沿着所述装置在有源区中更均匀地通过场板减少在关键区域和分布式的晶体管。 它是本发明中，一个晶体管，并且提供其生产，其中，所述电场在活性区域平滑化的方法的一个对象（或场峰值被降低），该装置是更便宜和更容易制造。 根据本发明的半导体器件包括一个基片（20）具有设置在其上的有源层结构，其特征在于，在有源层结构（24，26），源极接触（30）和漏极接触（28）布置，并且源极接触（30）和漏极接触 （28）间隔开，并且至少在所述源极接触（30）之间的区域中的有源层结构（24，26）的栅极接触（32）的一部分和漏极接触（28）设置，其中栅极场板（34）与所述 栅极接触（32）电连接，并且其中，除了在至少两个单独的场板（50，52，54，56，58，60）直接在活性层结构（24，26）或直接在钝化层上（36）被布置。

公开(公告)号：WO2008071452A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：PCT/EP2007/011077

申请日：2007-12-12

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  WEYERS, Markus ,  ZORN, Martin

Inventor： WEYERS, Markus ,  ZORN, Martin

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/50 ,  H01L2933/0041

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung, welches auf mindestens zwei definierten Wellenlängen mit einem definierten Intensitätsverhältnis emittiert. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optisches Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben, welches auf mindestens zwei definierten Wellenlängen mit einem definierten Intensitätsverhältnis emittiert. Dabei sollen sowohl die Wellenlängen als auch das Intensitätsverhältnis äußerst präzise einstellbar sein. Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement weist ein Substrat (8), eine auf dem Substrat (8) angeordnete erste Ladungsträgerbarrierenschicht (7), eine auf der ersten Ladungsträgerbarrierenschicht (7) angeordnete photolumineszierende Schicht (6), eine auf der photolumineszierenden Schicht (6) angeordnete zweite Ladungsträgerbarrierenschicht (5) und eine auf der zweiten Ladungsträgerbarrierenschicht (5) angeordnete aktive, elektrolumineszierende Schicht (4) aus mindestens einem anorganischen Halbleiter auf, wobei die photolumineszierende Schicht (6) zumindest einen Teil des von der elektrolumineszierenden Schicht (4) emittierten Lichts absorbiert und weiterhin eine auf der aktiven, elektrolumineszierenden Schicht (4) angeordnete, zumindest teilweise transparente Kontaktschicht (1) vorgesehen ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件和其制造，其发射具有定义的强度比至少两个限定的波长的方法。 它是本发明中，光半导体装置，并提供用于其生产，其发射具有定义的强度比至少两个限定的波长的方法的对象。 这里应当非常精确地调节两个波长和强度比。 根据本发明的半导体器件包括衬底（8），布置在所述衬底上的一个（8）第一载流子阻挡层（7），一个第一载流子阻挡层（7）上设置的光致发光层（6），设置在所述光致发光层（6）第二电荷载流子阻挡层上的一个 （5）设置，并且所述第二载流子阻挡层（5）上的活性电致发光层（4）的至少一种无机半导体，其特征在于，所述光致发光层（6）吸收至少发射的电致发光层（4）的光的一部分，并且进一步 一个有源电致发光层（4）上设置的，至少部分是提供透明接触层（1）。

公开(公告)号：WO2008025746A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：PCT/EP2007/058885

申请日：2007-08-27

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  TRÄNKLE, Günther ,  ERBERT, Götz ,  KLEHR, Andreas ,  HOFMANN, Martin

Inventor： TRÄNKLE, Günther ,  ERBERT, Götz ,  KLEHR, Andreas ,  HOFMANN, Martin

IPC: H01S1/02

CPC classification number: H01S5/0265 ,  H01S1/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/30

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Erzeugung von Laserstrahlung im THz-Bereich. Dazu wird eine Halbleiter- Laserstruktur vorgesehen, wobei ein Substrat (1) in einem ersten Bereich (7) entlang einer Längsachse von Wellenleiterschichten aus einem ersten, semiisolierenden Substratmaterial mit einer geringen Dämpfung für elektromagnetische Strahlung im Bereich von 0.1 THz bis 10 THz und in einem zweiten Bereich (8) entlang dieser Längsachse aus einem zweiten Substratmaterial mit einer geringen Dämpfung für elektromagnetische Strahlung im Bereich von 0.1 THz bis 10 THz besteht, wobei auf der zweiten Mantelschicht (6) im zweiten Bereich des Substrats eine Schicht (10) aus einem dritten Material mit einer geringen Dämpfung für elektromagnetische Strahlung im Bereich von 0.1 THz bis 10 THz angeordnet ist und sowohl die der zweiten Mantelschicht abgewandte Seite der Schicht aus dem dritten Material als auch die der ersten Mantelschicht (2) abgewandte Seite des zweiten Substratmaterials eine reflektierende Schicht (11) aufweist.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置和用于在太赫兹范围内的激光辐射的产生的方法。 为了这个目的，提供了一种半导体激光器结构，其中在第一区域（7）沿着由第一半绝缘性基板的材料具有10赫兹和在一个在0.1太赫兹范围内的电磁辐射损耗小的波导层的纵向轴线的基底（1） 沿着从具有在0.1赫兹至10赫兹的范围内的电磁辐射损耗小的第二基底材料该纵向轴线的第二区域（8），其特征在于，在所述的衬底的所述第二区域的第二包层（6），第三层（10） 材料被布置成与在0.1赫兹至10赫兹的范围内的小的损失为电磁辐射，并且两个所述第二包层侧背离第三材料的层，以及在第一覆盖层（2）在第二基底材料的远程侧，反射层（远 11）。

公开(公告)号：WO2006075008A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：PCT/EP2006/050157

申请日：2006-01-11

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  GESCHE, Roland

Inventor： GESCHE, Roland

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32596 ,  H01J61/09

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Mikroplasmaarray zur Erzeugung von Niedertemperatur-Plasmen bei Atmosphärendruck oder atmosphärennahen Drücken. Vorgeschlagen wird, dass die Wände von in regelmäßigen Abständen voneinander in ein Substrat (1) eingebrachten Löchern, Hohlelektroden (2) bildend, metallisch beschichtet und diese Hohlelektroden (2) einzeln oder gruppenweise von einer Seite des Substrates (1) mit einer elektrischen Anregung im GHz-Bereich versorgt sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种微阵列，用于在大气压力或接近大气压的压力产生低温等离子体的等离子体。 所以建议以规则的间隔彼此的在衬底中的壁（1）中引入孔，中空电极（2）形成，金属涂覆的单独或这些中空电极（2）在衬底（1）的一侧上的基团与电激励在 GHz范围内被提供。