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公开(公告)号：JP2018509757A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2017541645
申请日：2016-01-28
Applicant: キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド , CAVENDISH KINETICS, INC.
Inventor： ロベルトゥス・ペトルス・ファン・カンペン , ロベルト・ガッディ , リチャード・エル・ナイプ
CPC classification number: H01G4/005 , B81B2201/016 , H01H1/0036 , H01H59/0009 , H01H2001/0057 , H01H2001/0084
Abstract: 本開示は、一般に、DVCのアンカー中に配置された1またはそれ以上のMIMキャパシタと、RF電極の上に配置されたオーミックコンタクトとを用いたMEMSDVCに関する。オーミックMEMSデバイスと組み合わせたMIMキャパシタは、MEMSDVCのための安定したキャパシタンスが与えられたRF電力で得られることを確実にする。
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公开(公告)号：JP2014525668A
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：JP2014528664
申请日：2012-08-31
Inventor： ロベルト・ガッディ , リチャード・エル・ナイプ , ロベルトゥス・ペトルス・ファン・カンペン , アナルツ・ウナムノ
CPC classification number: H01L28/60 , B81B3/0086 , B81B2201/016 , B81B2207/015 , H01G5/18 , H01G5/38 , H01G5/40 , H01H59/0009 , H03K17/162 , H03K17/6872 , H03K2217/0009 , H03K2217/0036 , H03K2217/009
Abstract: 本発明は、概して、基板及び駆動回路からＲＦ ＭＥＭＳデバイスを隔離するためのアーキテクチャ、直列及びシャントＤＶＣダイアーキテクチャ、及び高周波通信用のより小型のＭＥＭＳアレーに関する。 半導体デバイスは、複数のＭＥＭＳデバイスをそこに備えた１個以上のセルを有する。 ＭＥＭＳデバイスは、プルアップ電極及びプルオフ電極のいずれかに電気的なバイアスを印加して、ＲＦ電極から第１の距離にわたって離れた第１の位置と、ＲＦ電極から第１の距離とは異なる第２の距離にわたって離れた第２の位置との間で、ＭＥＭＳデバイスのスイッチング素子を動かすことによって動作する。 基板からＭＥＭＳデバイスを隔離するために、プルアップ電極及び／又はプルダウン電極が抵抗に接続されてもよい。
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公开(公告)号：JP4447940B2
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：JP2004055180
申请日：2004-02-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01H49/00 , B81B3/00 , B81B5/00 , B81B7/00 , B81C1/00 , H01H11/00 , H01H51/22 , H01H59/00 , H01L21/00 , H01L29/00
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B2201/016 , B81B2203/0127 , B81C1/00142 , B81C2201/0109
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公开(公告)号：JP2009516350A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：JP2008541133
申请日：2005-11-16
Applicant: アイディーシー、エルエルシー
Inventor： チュイ、クラレンス
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0086 , B81B2201/016 , B81B2201/042 , H01H59/0009
Abstract: 【課題】
【解決手段】第一の電極（７０２）と可動物質（７１４）の間にかけられた電圧でＭＥＭＳデバイスが電気的に動作される。 第一の電極から離れているラッチ電極（７３０ａ、７３０ｂ）によってデバイスが動作状態に維持されうる。
【選択図】-
275.发明专利
公开(公告)号：JP4087790B2
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：JP2003531608
申请日：2002-09-27
Applicant: インテル・コーポレーション
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B2201/016 , B81B2203/019 , H03H3/0077 , H03H9/2463
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2007513782A
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：JP2006537522
申请日：2004-10-26
Applicant: コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Inventor： マシウ ジェイ イー ウレナエルス , ベーク ヨゼフ ティ エム ファン
CPC classification number: H01G5/18 , B81B3/0078 , B81B2201/016 , B81B2201/038 , B81B2203/04 , B81B2203/053 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01H2239/01
Abstract: 基板上に基層及び機械層を設けることと、基層と機械層との間に犠牲層を設けることと、犠牲層と基板との間にエッチストップ層を設けることと、ドライ化学エッチングを用いて犠牲層を除去することとを含み、ドライ化学エッチングはフッ素含有プラズマを用いて行われ、エッチストップ層は、ＨｆＯ
２ ，ＺｒＯ
２ ，Ａｌ
２ Ｏ
３ 及びＴｉＯ
２ のような実質的に非導電性のフッ素の化学作用を起こさない材料を有するマイクロマシン技術（ＭＥＭＳ）デバイスの製造方法である。-
公开(公告)号：JP2005514728A
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：JP2003555566
申请日：2002-11-07
Inventor： ヴォラント、リチャード、ピー , グローブズ、ロバート、エイ , コウト、ドンナ、アール , サバンナ、セシャドリ , スタイン、ケネス、ジェイ , ダルトン、ティモシー、ジェイ , ビソン、ジョン、シー , ペトラルカ、ケヴィン、エス
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2201/016 , B81B2201/018 , B81B2203/0127 , B81B2207/07 , B81C1/00611 , B81C2201/0122 , B81C2203/0735 , H01G5/40 , H01H59/0009
Abstract: A method of fabricating micro-electromechanical switches (MEMS) integrated with conventional semiconductor interconnect levels, using compatible processes and materials is described. The method is based upon fabricating a capacitive switch that is easily modified to produce various configurations for contact switching and any number of metal-dielectric-metal switches. The process starts with a copper damascene interconnect layer, made of metal conductors inlaid in a dielectric. All or portions of the copper interconnects are recessed to a degree sufficient to provide a capacitive air gap when the switch is in the closed state, as well as provide space for a protective layer of, e.g., Ta/TaN. The metal structures defined within the area specified for the switch act as actuator electrodes to pull down the movable beam and provide one or more paths for the switched signal to traverse. The advantage of an air gap is that air is not subject to charge storage or trapping that can cause reliability and voltage drift problems. Instead of recessing the electrodes to provide a gap, one may just add dielectric on or around the electrode. The next layer is another dielectric layer which is deposited to the desired thickness of the gap formed between the lower electrodes and the moveable beam that forms the switching device. Vias are fabricated through this dielectric to provide connections between the metal interconnect layer and the next metal layer which will also contain the switchable beam. The via layer is then patterned and etched to provide a cavity area which contains the lower activation electrodes as well as the signal paths. The cavity is then back-filled with a sacrificial release material. This release material is then planarized with the top of the dielectric, thereby providing a planar surface upon which the beam layer is constructed.
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公开(公告)号：JP6165730B2
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：JP2014528634
申请日：2012-08-31
Applicant: キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド , CAVENDISH KINETICS, INC.
Inventor： ロベルトゥス・ペトルス・ファン・カンペン , ミカエル・ルノー , ビクラム・ジョシ , リチャード・エル・ナイプ , アナルツ・ウナムノ
CPC classification number: B81B7/00 , B81C1/00039 , H01G5/16 , H01H59/0009 , B81B2201/016 , B81B2203/0307 , B81C2203/0136 , Y10T29/49105
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公开(公告)号：JP5193639B2
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：JP2008071571
申请日：2008-03-19
Applicant: 株式会社東芝
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B2201/016 , B81B2203/0109 , H01H1/50 , H01H3/60 , H01H59/0009 , Y10T29/49002
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公开(公告)号：JP4744449B2
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：JP2006537522
申请日：2004-10-26
Applicant: エプコス アーゲーEpcos Ag
Inventor： マシウ ジェイ イー ウレナエルス , ベーク ヨゼフ ティ エム ファン
CPC classification number: H01G5/18 , B81B3/0078 , B81B2201/016 , B81B2201/038 , B81B2203/04 , B81B2203/053 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01H2239/01
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