公开(公告)号：TWI582906B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW104121988

申请日：2015-07-07

Applicant: 應美盛股份有限公司 ,  INVENSENSE, INC.

Inventor： 史麥斯 披特 ,  SMEYS, PETER

IPC: H01L21/8238 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0792

公开(公告)号：TW201606940A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW104121988

申请日：2015-07-07

Applicant: 應美盛股份有限公司 ,  INVENSENSE, INC.

Inventor： 史麥斯 披特 ,  SMEYS, PETER

IPC: H01L21/8238 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0792

Abstract: 揭示一種提供CMOS-MEMS結構之方法。本方法包含圖型化MEMS致動器基材上之第一頂端金屬及CMOS基材上之第二頂端金屬。MEMS致動器基材與CMOS基材各於其上包括氧化層。本方法包括蝕刻MEMS致動器基材及底座基材上之各氧化層，利用第一接合步驟將MEMS致動器基材之經圖型化的第一頂端金屬接合至底座基材之經圖型化的第二頂端金屬。最後，本方法包括將致動器層蝕刻成MEMS致動器基材，並且利用第二接合步驟將MEMS致動器基材接合至MEMS握把基材。

Abstract in simplified Chinese: 揭示一种提供CMOS-MEMS结构之方法。本方法包含图型化MEMS致动器基材上之第一顶端金属及CMOS基材上之第二顶端金属。MEMS致动器基材与CMOS基材各于其上包括氧化层。本方法包括蚀刻MEMS致动器基材及底座基材上之各氧化层，利用第一接合步骤将MEMS致动器基材之经图型化的第一顶端金属接合至底座基材之经图型化的第二顶端金属。最后，本方法包括将致动器层蚀刻成MEMS致动器基材，并且利用第二接合步骤将MEMS致动器基材接合至MEMS握把基材。

公开(公告)号：JP6279654B2

公开(公告)日：2018-02-14

申请号：JP2016109863

申请日：2016-06-01

Applicant: ソニー株式会社 ,  ソニー デーアーデーツェー オーストリア アクチェンゲゼルシャフト ,  Sony DADC Austria AG

Inventor： フュールマン ゲルダ ,  ネレス ガブリエレ ,  ロゼリ シルヴィア ,  クノール ニコラウス ,  パリス アルフレッド ,  カウフマン マリア ,  バウアー ゲオルク

IPC: C08J7/06 ,  C08J7/00 ,  G01N37/00 ,  C08J7/04

CPC classification number: B81B1/00 ,  B01L3/502707 ,  B01L2300/16 ,  B01L2300/161 ,  B05D1/62 ,  B81C1/00206 ,  B81C3/00 ,  B81C2201/0197 ,  C08J7/04 ,  C08J7/047 ,  C08J7/06 ,  C08J7/123 ,  C08J2383/04 ,  C08L83/04 ,  C23C16/045 ,  Y02P20/582 ,  Y10T156/10

公开(公告)号：JP6072253B2

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：JP2015526915

申请日：2013-07-18

Applicant: オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ,  OSRAM OLED GmbH

Inventor： エアヴィン ラング ,  ティロ ロイシュ ,  フィリップ シュヴァンプ

IPC: H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H05B33/10 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L51/5253 ,  B81C1/00269 ,  C23C16/45529 ,  H01L51/448 ,  H01L51/524 ,  H05K5/065 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/031 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/13

公开(公告)号：JP2016222913A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：JP2016109863

申请日：2016-06-01

Applicant: ソニー株式会社 ,  ソニー デーアーデーツェー オーストリア アクチェンゲゼルシャフト ,  Sony DADC Austria AG

Inventor： フュールマン ゲルダ ,  ネレス ガブリエレ ,  ロゼリ シルヴィア ,  クノール ニコラウス ,  パリス アルフレッド ,  カウフマン マリア ,  バウアー ゲオルク

IPC: C08J7/06 ,  C08J7/04 ,  C08J7/00

CPC classification number: B81B1/00 ,  C08J7/04 ,  C08J7/047 ,  C08J7/06 ,  C08J7/123 ,  B01L2300/16 ,  B01L2300/161 ,  B01L3/502707 ,  B05D1/62 ,  B81C1/00206 ,  B81C2201/0197 ,  B81C3/00 ,  C08J2383/04 ,  C08L83/04 ,  C23C16/045 ,  Y02P20/582 ,  Y10T156/10

Abstract: 【課題】生物工学的な応用のためのチップの効率的な製造方法の提供。同様に、生物工学的な応用のための効率的なアッセイ系の製造方法の提供。 【解決手段】高分子化合物基板の表面に、SiOx前駆体をコーティングし、前記SiOx前駆体をSiOxに変換し、さらに酸素プラズマで後処理する。高分子化合物基板表面に、コーティング材料をコーティングすること、コーティング材料は、高分子化合物であり、および/または高分子化合物基板またはコーティング表面へのアルゴンプラズマ処理および紫外線オゾン洗浄機による処理の逐次使用、および/または高分子化合物基板またはコーティング表面へのアルゴンプラズマ処理および酸素プラズマ処理の逐次使用、および/または表面に粗さおよび親水性を導入するための高分子化合物基板またはコーティング表面への反応性イオンエッチング(RIE)により、ガラス様表面の形態を高分子化合物基板の前記表面に付与。 【選択図】図1

Abstract translation: 本发明提供了用于高效地制造芯片生物技术应用的方法。 类似地，提供用于生物技术应用的制造效率的测定系统的方法。 高分子化合物衬底的A面，涂有前体的SiOx，将所述前体的SiOx的SiOx，用氧等离子体进行后处理进一步。 高分子化合物基材表面，涂敷涂层材料，该涂层材料是聚合物化合物，和/或顺序使用的治疗用氩等离子体处理和UV臭氧清洗机高分子化合物基材或涂层表面， 和/或氩等离子体处理和氧等离子体处理顺序使用，和/或反应性离子以用于引入粗糙度和亲水性聚合物化合物基材或涂层表面的表面上的聚合物化合物基材或涂层表面 蚀刻（RIE），该聚合物化合物基板的表面上赋予类似玻璃的表面的形式。 点域1

公开(公告)号：JP2016537292A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：JP2016543267

申请日：2014-09-08

Applicant: グリフィス・ユニバーシティGriffith University ,  グリフィス・ユニバーシティGriffith University

Inventor： イアコピ フランチェスカ ,  イアコピ フランチェスカ ,  アフメド モーシン ,  アフメド モーシン ,  ボーン カニング ベンジャミン ,  ボーン カニング ベンジャミン

IPC: C01B31/02 ,  B81C1/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/64

CPC classification number: C30B1/026 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0197 ,  C01B32/184 ,  C01B32/188 ,  C30B1/10 ,  C30B29/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02614

Abstract: グラフェンの形成方法であって、方法が、シリコンカーバイド(SiC)の表面に、少なくとも1種の第一の金属と少なくとも1種の第二の金属とを含む少なくとも2種の金属を堆積させることと、少なくとも1種の第一の金属がシリコンカーバイドのシリコンと反応する条件下において、SiCと第一及び第二の金属を加熱して、カーボンと少なくとも1種の安定なシリサイドとを形成させる工程とを含み、少なくとも1種の安定なシリサイド中及び少なくとも1種の第二の金属中のカーボンの対応する溶解度が十分に低く、シリサイド反応により製造されたカーボンが、SiC上のグラフェン層を形成する、方法。【選択図】図2

Abstract translation: 形成石墨烯的方法，的碳化硅（SiC）的表面上，并且沉积至少两种金属的方法，包括至少一个第一金属和至少一种第二金属和 条件下的至少一个第一金属与碳化硅的硅起反应，通过加热SiC和所述第一和第二金属，形成碳的步骤和至少一个稳定的硅化物 提示，一个稳定的硅化物中的至少一个并在对应的金属溶解度至少一个第二碳是足够低的，由硅化物反应产生的，形成在SiC上的石墨烯层的碳， 方法。 .The

公开(公告)号：JP5971312B2

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：JP2014232626

申请日：2014-11-17

Applicant: ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア

Inventor： アダム エル コーエン

IPC: B81C1/00 ,  C25D1/00

CPC classification number: C25D5/10 ,  B81C1/00126 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D5/22 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/241 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2201/032 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/239

公开(公告)号：JP5668124B2

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：JP2013232987

申请日：2013-11-11

Applicant: ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア ,  ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア

Inventor： エル コーエン アダム ,  エル コーエン アダム

IPC: B81C1/00 ,  C25D1/00 ,  B21C37/00 ,  C23F1/00 ,  C25D20060101 ,  C25D1/10 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D7/12 ,  C25D17/06 ,  C25D19/00 ,  C25D21/12 ,  H01L21/288 ,  H05K3/24

CPC classification number: C25D5/10 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D5/22 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/241 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/239

公开(公告)号：JP5478498B2

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：JP2010533559

申请日：2008-11-12

Applicant: ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム

Inventor： フィアッカブリーノ，ジャン−チャールズ ,  ヴェラルド，マルコ ,  コーヌス，ティエリー ,  ティーボー，ジャン−フィリップ ,  ピータース，ジャン−バーナード

IPC: B81C1/00 ,  B81C99/00 ,  G04B13/02

CPC classification number: F16H55/06 ,  B81B2201/035 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/08 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  G04B13/02 ,  G04B13/022 ,  G04B19/042 ,  Y10T74/1987

公开(公告)号：JP2014037635A

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：JP2013232987

申请日：2013-11-11

Applicant: Univ Of Southern California ,  ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア

Inventor： COHEN ADAM L

IPC: B81C1/00 ,  C25D5/02 ,  B21C37/00 ,  C23F1/00 ,  C25D20060101 ,  C25D1/00 ,  C25D1/10 ,  C25D5/10 ,  C25D5/48 ,  C25D7/12 ,  C25D17/06 ,  C25D19/00 ,  C25D21/12 ,  H01L21/288 ,  H05K3/24

CPC classification number: C25D5/10 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D5/22 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/241 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/239

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To form a multi-layer three-dimensional structure on the basis of the electrodeposition of both a structural material and a sacrificial material.SOLUTION: A substrate to be plated 2 is contacted with a first article 4a, which includes a mask 6 and a support 8; a first metal 12 (e.g., a sacrificial metal) is deposited in the presence of a first metal ion source; the substrate 2 is contacted with a second article 14a, which includes a mask 16 and a support 18; a second metal 20 (e.g., a structural metal) is deposited in the presence of a second metal ion source; the layer is planarized; and this method is repeated using differently patterned electroplating articles 4b, 4c, 14b, 14c to produce a multi-layered structure 24, which, after all of the sacrificial metal 12 is etched, becomes an element 26.

Abstract translation: 要解决的问题：在结构材料和牺牲材料的电沉积的基础上形成多层三维结构。解决方案：将待镀的基板2与第一制品4a接触，第一制品4a包括 面罩6和支架8; 在第一金属离子源的存在下沉积第一金属12（例如牺牲金属）; 基板2与包括掩模16和支架18的第二物品14a接触; 在第二金属离子源的存在下沉积第二金属20（例如，结构金属）; 该层被平坦化; 并且使用不同图案化的电镀制品4b，4c，14b，14c重复该方法，以产生多层结构24，其在所有牺牲金属12被蚀刻之后变成元件26。