-
公开(公告)号：CN1621340A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410054949.6
申请日：2004-07-26
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/36 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及形成碳纳米管的方法。该方法包括：在基底上沉积电极；在电极上形成聚酰亚胺层，通过刻蚀聚酰亚胺层和电极的表面在电极中形成多个突出部分，在电极表面的突出部分之间形成催化金属层，在催化金属层上形成碳纳米管。
-
公开(公告)号：CN1195312C
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN01142775.2
申请日：2001-08-31
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 塚本健夫
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 电子发射设备，其中特定电容和驱动电压减小，并且通过控制发射电子的轨道，能够得到更精细的电子束。电子发射部件的电子发射部分，定位在栅极高度与阳极高度之间。当栅板与阴极之间的距离为d；驱动设备的电势差为V1；阳极与基底之间的距离为H；并且阳极与阴极之间的电势差为V2时，那么驱动过程中的电场E1＝V1/d构成在E2＝V2/H的1到50倍的范围内。
-
公开(公告)号：CN1590291A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074935.0
申请日：2004-09-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/34 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管(CNT)结构，一种制造碳纳米管结构的方法，以及采用该碳纳米管结构的场发射器和显示装置。制造CNTs的方法包括在形成有催化剂材料层的基底上生长第一CNTs，以及由在第一CNTs表面上的催化剂材料、在第一CNTs的表面上生长第二CNTs。在第一CNTs的侧壁上生长的第二CNTs在低电压下发射电子。此外，由于将第二CNTs用作电子发射源，所提供的CNT结构获得高电子发射电流。而且，由于第一CNTs的均匀直径，该CNT结构获得均匀的场发射。
-
公开(公告)号：CN1174916C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN00106211.5
申请日：2000-04-21
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/844 , Y10S977/888
Abstract: 本发明涉及一种容易通过高密度等离子体形成经纯制的碳毫微管的方法，由该碳毫微管中已除去石墨相或碳颗粒。以1011cm-3或更高的等离子体密度使用等离子体化学气相沉积法在基底上生长碳毫微管层。碳毫微管的形成方法包括：通过等离子体沉积在基底上生长碳毫微管层直至预定的厚度；通过等离子体蚀刻纯制碳毫微管；以及重复碳毫微管的生长和纯制。在等离子体蚀刻时，使用包含卤素的气体作为源气体，例如四氟化碳气体。
-
公开(公告)号：CN1542887A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200310124424.0
申请日：2001-08-31
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 塚本健夫
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子发射设备，包括：A)包含碳的纤维；和B)电极，用于控制从所述包含碳的纤维上的电极发射，其中所述包含碳的纤维具有多个分层的石墨，使得不平行于所述纤维的轴向。本发明的图像显示装置，包括多个电子发射设备和光发射部件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1532867A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03114065.3
申请日：2003-03-26
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/00
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射显示装置的制备方法，包括下列步骤：在工作板表面形成一绝缘层，该绝缘层具有一平整表面；在绝缘层表面形成一催化剂层；在催化剂层表面形成阻隔壁，并形成显示点阵区域；生成碳纳米管阵列；在碳纳米管阵列顶部形成阴极电极；形成与阴极电极和阻隔壁外形相应的底板，以支撑所述阴极电极和阻隔壁；脱去工作板，在绝缘层表面形成栅极电极；去除绝缘层对应显示点阵的区域，露出碳纳米管阵列；封装阳极。本发明可使碳纳米管阵列发射端在同一平整面，从而实现电子均匀发射；而且，碳纳米管与栅极的间距可以控制。
-
公开(公告)号：CN1530997A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410035278.9
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种制造场发射器件的方法。在该方法中，发射体使用浮脱工艺形成，隔离层形成在用于对发射体构图的牺牲层和发射体材料之间。该隔离层防止牺牲层与发射体材料起反应，以有助于浮脱工艺。因此，可以获得均匀发射具有高亮度的光的场发射器件。
-
公开(公告)号：CN1420518A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02147239.4
申请日：2002-10-18
Applicant: 则武伊势电子株式会社 , 诺利塔克股份有限公司
Inventor： 森川光明
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/36 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10T428/1393
Abstract: 在用于电子发射源的碳纳米管中，碳纳米管具有由多个石墨层形成的圆柱体形状。该石墨层由碳的六元环形成。该圆柱体的外径是0.6－100nm。沿着该圆柱体的轴形成的中空部分的直径是圆柱体外径的0.1－0.9倍，且中空部分具有开口远端部分。
-
公开(公告)号：CN1405823A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02141665.6
申请日：2002-09-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/3048 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 本发明提供用电子发射元件特性良好，耐久性高，在面内能够实现均匀的电子发射的碳纤维的电子发射元件，电子源，图象显示装置，该电子发射元件的制造方法和用该电子发射元件的电子源和图象显示装置的制造方法。本发明的特征是在用多个碳纤维的电子发射元件中，多个碳纤维的平均直径在10nm以上100nm以下的范围内，直径分布的标准偏差在平均直径的30％以下。
-
公开(公告)号：CN1405821A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02131838.7
申请日：2002-09-06
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 塚本健夫
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供电子发射装置、电子源及其制造方法和成象设备。电子发射装置，具有以碳为主要成分的电子发射部件和设于此电子发射部件附近的取出电极，基本上能只从此电子发射部件中靠近取出电极附近的区域发射电子，在将此电子发射装置作为电子源构成扰像设备中，能减少亮度不匀和异常照明，其特征在于使电子发射部件(4)的电子发射阈值电场在取出电极(2)附近处低而在远离此电极(2)处高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
3756
records
(took 0.025 seconds)
