中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

292 records (took 0.023 seconds)

    Silicon / metal composite micromechanical component and a method of manufacturing the same
    283.
    发明专利
    Silicon / metal composite micromechanical component and a method of manufacturing the same 有权

    公开(公告)号：JP2011514846A

    公开(公告)日：2011-05-12

    申请号：JP2010533559

    申请日：2008-11-12

    Applicant: ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム

    Inventor： ヴェラルド，マルコ ,  コーヌス，ティエリー ,  ティーボー，ジャン−フィリップ ,  ピータース，ジャン−バーナード ,  フィアッカブリーノ，ジャン−チャールズ

    IPC: B81C1/00 ,  B81C99/00 ,  G04B13/02

    CPC classification number: F16H55/06 ,  B81B2201/035 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/08 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  G04B13/02 ,  G04B13/022 ,  G04B19/042 ,  Y10T74/1987

    Abstract: The process for manufacturing a micromechanical component made of silicon/metal composite, comprises selectively carving a cavity in an upper layer (5) of a substrate (3) to define a pattern of a silicon part (53) of the component, carving a cavity in an intermediate layer (9) of the substrate, growing a metallic layer from a portion of the cavities (37, 45) to form a metal part along the thickness of the component, and removing the silicon/metal composite micromechanical component from the substrate. The intermediate layer extends between the upper layer and a lower silicon layer (7). The process for manufacturing a micromechanical component made of silicon/metal composite, comprises selectively carving a cavity in an upper layer (5) of a substrate (3) to define a pattern of a silicon part (53) of the component, carving a cavity in an intermediate layer (9) of the substrate, growing a metallic layer from a portion of the cavities (37, 45) to form a metal part along the thickness of the component, and removing the silicon/metal composite micromechanical component from the substrate. The intermediate layer extends between the upper layer and a lower silicon layer (7) of the substrate. The metallic layer is developed by covering the top of the substrate by a photosensitive resin, selectively carrying out a photolithography process on the photosensitive resin according to the predetermined pattern of the metal part, placing a metallic layer in an upper conductive surface of the lower silicon layer by electroplating process, and removing the photostructured resin from the substrate. The upper surface of the lower layer is made conductive by doping the bottom layer and/or by placing a conductive layer on the upper surface. The photostructured resin makes protrusion in the upper layer of the substrate to continue the growth of a layer by electroplating and to prepare a second metal part of the micromechanical component above the silicon part. The upper side of the substrate is made to a level of the metal layer at a height same as the upper end of the photostructured resin, after forming the metal layer. A cavity is carved in the lower layer of the substrate to form a second silicon part of the micromechanical component according to a predetermined form and thickness, before removing the silicon/metal composite micromechanical component from the substrate. An independent claim is included for a micromechanical component made of silicon/metal composite.

    形成微結構的方法 PROCESS FOR FORMING MICROSTRUCTURES
    286.
    发明专利
    形成微結構的方法 PROCESS FOR FORMING MICROSTRUCTURES 失效
    形成微结构的方法 PROCESS FOR FORMING MICROSTRUCTURES

    公开(公告)号：TW200626490A

    公开(公告)日：2006-08-01

    申请号：TW094143810

    申请日：2005-12-12

    Applicant: 得分科技公司 TOUCHDOWN TECHNOLOGIES, INC.

    Inventor： 唐威龍 TANG, WEILONG ,  許財揚 HSU, TSENG-YANG ,  沙雷 伊斯梅爾 ISMAIL, SALLEH ,  尼姆 哈克 悌 TEA, NIM HAK ,  梅文B. 庫 KHOO, MELVIN B. ,  瑞菲 蓋洛貝迪恩 GARABEDIAN, RAFFI

    IPC: B81C

    CPC classification number: B81C1/00436 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0197

    Abstract: 本發明與在基板上形成微結構的方法相關。施加一個電鍍表面於基板上。第一光阻層施加在電鍍基材之上。第一光阻層以一個輻射線圖案暴露，以提供在第一圖案內可溶解的第一光阻層。除去可溶解光阻，然後電鍍第一層主要金屬在除去第一光阻層的區域上。然後除去剩餘的光阻部分，並且施加第二光阻層在電鍍基材以及第一層主要金屬上。第二光阻層然後暴露於第二輻射圖案，以使得光阻可溶解並且除去可溶解的光阻。第二圖案是一個圍繞主要結構的區域，但是它不包含整個基板。相反地它是圍繞主要金屬的一個島。然後機械加工次要金屬的暴露表面到主要金屬要求的一個高度。次要金屬然後被蝕刻掉。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明与在基板上形成微结构的方法相关。施加一个电镀表面于基板上。第一光阻层施加在电镀基材之上。第一光阻层以一个辐射线图案暴露，以提供在第一图案内可溶解的第一光阻层。除去可溶解光阻，然后电镀第一层主要金属在除去第一光阻层的区域上。然后除去剩余的光阻部分，并且施加第二光阻层在电镀基材以及第一层主要金属上。第二光阻层然后暴露于第二辐射图案，以使得光阻可溶解并且除去可溶解的光阻。第二图案是一个围绕主要结构的区域，但是它不包含整个基板。相反地它是围绕主要金属的一个岛。然后机械加工次要金属的暴露表面到主要金属要求的一个高度。次要金属然后被蚀刻掉。

    用以製造立體構造之方法及其裝置 Methods of and Apparatus for Producing a Three-Dimentional Structure
    287.
    发明专利
    用以製造立體構造之方法及其裝置 Methods of and Apparatus for Producing a Three-Dimentional Structure 有权
    用以制造三維构造之方法及其设备 Methods of and Apparatus for Producing a Three-Dimentional Structure

    公开(公告)号：TWI227285B

    公开(公告)日：2005-02-01

    申请号：TW091123605

    申请日：2002-10-14

    Applicant: 美國.南加州州立大學 UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA

    Inventor： 亞當L. 可漢 ADAM L. COHEN

    IPC: C25D

    CPC classification number: B81C1/0038 ,  B33Y10/00 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D7/12 ,  C25D17/02 ,  C25D21/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  H05K3/241

    Abstract: 本發明的各種實施例係展現藉電化擠製(ELEXTM)程序來形成構造(譬如HARMS型構造)之技術，較佳實施例經由通過無陽極順應性接觸罩幕的沉積進行擠製程序，無陽極順應性接觸罩幕起初係壓抵住基材，然後當沉積物變厚時漸進式拉離或分離。一沉積圖案可能在沉積過程中藉由在罩幕與基材元件之間包括更多複雜相對動作而改變，此複雜動作可能包括具有不與一分離軸線平行的組份之平移性動作或旋轉性組份。可能藉由合併電化擠製程序與多層電化製程(如EFABTM程序)的選擇性沉積、毯覆沉積、平面化、蝕刻及多層操作以形成較複雜的構造。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的各种实施例系展现藉电化挤制(ELEXTM)进程来形成构造(譬如HARMS型构造)之技术，较佳实施例经由通过无阳极顺应性接触罩幕的沉积进行挤制程序，无阳极顺应性接触罩幕起初系压抵住基材，然后当沉积物变厚时渐进式拉离或分离。一沉积图案可能在沉积过程中借由在罩幕与基材组件之间包括更多复杂相对动作而改变，此复杂动作可能包括具有不与一分离轴线平行的组份之平移性动作或旋转性组份。可能借由合并电化挤制程序与多层电化制程(如EFABTM进程)的选择性沉积、毯覆沉积、平面化、蚀刻及多层操作以形成较复杂的构造。

    晶片封裝體及其製造方法
    289.
    发明专利
    晶片封裝體及其製造方法 审中-公开
    芯片封装体及其制造方法

    公开(公告)号：TW201606948A

    公开(公告)日：2016-02-16

    申请号：TW103127488

    申请日：2014-08-11

    Applicant: 精材科技股份有限公司 ,  XINTEC INC.

    Inventor： 林建名 ,  LIN, CHIENMIN ,  黃郁庭 ,  HUANG, YUTING ,  傅振寧 ,  FU, CHENNING ,  何彥仕 ,  HO, YENSHIH

    IPC: H01L23/12 ,  H01L23/488

    CPC classification number: B81B7/007 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/0197 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 本發明提供一種晶片封裝體，包含半導體晶片、中介片、高分子黏著支撐層、重佈局線路以及封裝層。半導體晶片具有感應元件以及導電墊，導電墊電性連接感應元件。中介片配置於半導體晶片上方，中介片具有溝槽以及穿孔，其中溝槽暴露出部分感應元件，穿孔暴露出導電墊。高分子黏著支撐層夾設於半導體晶片與中介片之間。重佈局線路配置於中介片上方以及穿孔內以電性連接導電墊。封裝層覆蓋中介片以及重佈局線路，封裝層具有開口暴露出溝槽。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种芯片封装体，包含半导体芯片、中介片、高分子黏着支撑层、重布局线路以及封装层。半导体芯片具有感应组件以及导电垫，导电垫电性连接感应组件。中介片配置于半导体芯片上方，中介片具有沟槽以及穿孔，其中沟槽暴露出部分感应组件，穿孔暴露出导电垫。高分子黏着支撑层夹设于半导体芯片与中介片之间。重布局线路配置于中介片上方以及穿孔内以电性连接导电垫。封装层覆盖中介片以及重布局线路，封装层具有开口暴露出沟槽。

Patent Agency Ranking