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公开(公告)号：KR1020070014544A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050069286
申请日：2005-07-29
Applicant: (주)아이씨디
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32513 , H01J37/32834
Abstract: A plasma process apparatus is provided to more airtightly couple an upper case to a lower case by forming a vacuum groove on the end surfaces of the upper and the lower cases. A chamber includes a lower case(20) and an upper case(10). A lower electrode on which a processed article is placed is formed on the bottom of the lower case. An upper electrode assembly for a plasma reaction is formed in the upper case. The upper surface of the lower case is covered with the upper case so that the end surfaces of the lower and the upper cases meet each other. A plurality of O-rings(30) are installed between the end surfaces. A vacuum groove(50) is formed along at least one of the end surfaces of the upper and the lower cases. An exhaust hole is extended to the outside of the chamber, connected to the vacuum groove. A vacuum pump exhausts air through the exhaust hole. A pipe equipped with a valve is installed between the exhaust hole and the vacuum pump.
Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，通过在上壳体和下壳体的端面上形成真空槽，将上壳体更紧密地连接到下壳体。 腔室包括下壳体（20）和上壳体（10）。 在下壳体的底部形成有放置有加工物品的下电极。 用于等离子体反应的上电极组件形成在上壳体中。 下壳体的上表面被上壳体覆盖，使得下壳体和上壳体的端表面彼此相遇。 多个O形环（30）安装在端面之间。 沿着上壳体和下壳体的至少一个端面形成真空槽（50）。 排气孔延伸到室的外部，连接到真空槽。 真空泵通过排气孔排出空气。 配有阀门的管道安装在排气孔和真空泵之间。
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公开(公告)号：KR100637891B1
公开(公告)日：2006-10-24
申请号：KR1020050046553
申请日：2005-06-01
Applicant: (주)아이씨디
IPC: H05H1/00
Abstract: A plasma treatment apparatus for fixing multi-size glass substrate is provided to improve the work efficiency by selectively processing the variety of size of glass substrate as well as a big size of glass substrate within one apparatus. A plasma treatment apparatus for fixing multi-size glass substrate comprises a chamber, a lower electrode(30), fixing jigs(50a,50b,50c,50d) and an elevator unit. The chamber is composed of a lower case which has an open top surface and an upper case which is coupled to cover the top surface of the lower case and receives a glass substrate to be processed therein. The lower electrode(30) is installed at the bottom of the lower case. The glass substrate is located on the top surface of the lower electrode(30). The fixing jigs(50a,50b,50c,50d) are installed to the lower electrode(30) to support a first glass substrate(100S) having smaller size than an inherence glass substrate processed in the chamber. The elevator unit elevates the fixing jigs(50a,50b,50c,50d) to the lower electrode(30) up and down.
Abstract translation: 提供一种用于固定多尺寸玻璃基板的等离子体处理装置，以通过在一个装置内选择性处理玻璃基板的各种尺寸以及大尺寸的玻璃基板来提高工作效率。 用于固定多尺寸玻璃基板的等离子体处理装置包括腔室，下电极（30），固定夹具（50a，50b，50c，50d）和升降单元。 腔室由具有敞开的顶面的下壳体和结合以覆盖下壳体的顶面并接收要在其中处理的玻璃基板的上壳体组成。 下电极（30）安装在下壳体的底部。 玻璃基板位于下部电极（30）的上表面。 固定夹具（50a，50b，50c，50d）安装到下电极（30）以支撑尺寸小于在腔室中处理的相干玻璃基板的尺寸的第一玻璃基板（100S）。 升降单元使固定夹具（50a，50b，50c，50d）上下升降至下部电极（30）。
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公开(公告)号：KR100589702B1
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040061562
申请日：2004-08-05
Applicant: (주)아이씨디
Abstract: 본 발명은 진공챔버용 도어 조립체에 관한 것으로서, 구동수단을 하나만 구비하고 탄성부재의 탄성력과 가이드수단의 형상에 의해 진공챔버의 도어를 보다 부드럽게 개폐할 수 있게 하여 소음 및 진동을 줄이며, 파티클의 발생을 방지하는 동시에 개폐시간 및 제조비용을 줄일 수 있는 진공챔버용 도어 조립체에 관한 것이다.
진공챔버, 도어, 탄성부재, 실린더-
公开(公告)号：KR1020060026816A
公开(公告)日：2006-03-24
申请号：KR1020040075688
申请日：2004-09-21
Applicant: (주)아이씨디
IPC: H05H1/34
CPC classification number: H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32091 , H01J37/32477 , H01J37/32513 , H05H1/46 , H05H2001/4675
Abstract: 본 발명은 플라즈마 챔버에 관한 것으로서, 특히 용량 결합형 평행평판형 전극구조에서 그라운드 접지된 상부전극과 챔버 내벽에 요철부를 형성시켜 표면적을 증가시킴으로써, 동일한 전원을 사용하여도 하부전극 위의 대상물에 걸리는 전압을 높일 수 있는 플라즈마 챔버가 제공된다.
플라즈마, 용량 결합형, 평행 평판, 요철부, 표면적Abstract translation: 公开了一种等离子体室，更具体地，通过在室和内部上电极的内壁中形成不均匀性，能够通过使用相同的电源来增加施加到放置在下电极上的被摄体的电压的等离子体室 以增加它们在电容耦合平行板电极结构中的表面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101990195B1
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：KR1020170080494
申请日：2017-06-26
Applicant: (주)아이씨디
IPC: C23C16/455 , C23C16/452
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公开(公告)号：KR101926985B1
公开(公告)日：2018-12-10
申请号：KR1020170080533
申请日：2017-06-26
Applicant: (주)아이씨디
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 박막의 생성 및 결합 조건을 조절함으로써 고품질의 박막을 제조할 수 있는 고밀도 박막증착을 위한 증착장치가 개시된다. 이는 반응가스에 의한 플라즈마와 소스가스에 의한 플라즈마를 처리실과 분리된 공간에서 각각 분리하여 형성한 후 처리실 내부로 유입되도록 함으로써 챔버 내부의 오염 정도를 최소화 할 수 있기 때문에 설비 가동시간의 증대와 운영비의 절감을 가져올 수 있다. 또한, 노즐부의 높이 및 각도를 피처리 기판의 막의 특성 및 공정 조건에 따라 다양한 형태로 배치 가능하므로 증착 면적 및 증착 속도를 조절할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있는 고밀도 박막증착을 위한 증착장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020150094327A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：KR1020140015472
申请日：2014-02-11
Applicant: (주)아이씨디
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/67207 , H01L21/67389 , H01L21/67772
Abstract: 고진공 챔버구조가 개시된다. 이는 내부에 공간을 제공하고 하나 이상의 개구를 가지는 챔버벽체와, 하나 이상의 개구 각각에 개폐가능하게 결합되는 도어부와, 챔버벽체와 도어부 사이에 배치되는 오링부를 포함한다. 오링부는 간격을 가지고 배치된 제1오링부와 제2오링부를 포함하며, 그 사이에는 격리공간이 더 배치될 수 있다. 격리공간에는 진공라인 및 퍼지가스 공급라인이 연결되어 진공 펌핑하거나 퍼지가스를 공급할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种高度真空室结构。 高度真空室结构包括一个提供内部空间并具有至少一个开口的室壁，可以打开/关闭开口的门部，以及设置在室壁和门之间的O形环部分 部分。 O形环部分包括具有恒定距离的第一O形环部分和第二O形环部分。 隔离空间可以布置在第一和第二O形环部分之间。 真空管线和吹扫气体供应管线连接到隔离空间以供应净化气体或泵真空。
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公开(公告)号：KR1020150085904A
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：KR1020140005850
申请日：2014-01-17
Applicant: (주)아이씨디
CPC classification number: H05H1/24 , H01L21/3065
Abstract: 플라즈마발생시스템의가스분사제어시스템및 이를이용한제어방법이개시된다. 유전체창을지지하는프레임의분할구역각각에공급되는반응가스유량을독립적으로제어할수 있기때문에반응가스분포의균일성이향상되는효과가있다.
Abstract translation: 公开了一种等离子体发生系统的气体喷射控制系统和使用其的气体喷射控制方法。 由于气体喷射控制系统能够独立地控制供应到支撑介电窗口的框架的每个段的反应气体的通量，反应气体分布的均匀性得以改善。
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