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公开(公告)号：CN101542692B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200880000680.X
申请日：2008-07-16
Applicant: 林纯药工业株式会社 , 三洋电机株式会社 , 三洋半导体制造株式会社 , 三洋半导体株式会社
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/20 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供能够将铝膜或铝合金膜等金属膜控制性良好地、且在抑制、防止抗蚀涂层渗透发生的情况下进行蚀刻，从而得到具有所需锥形形状和优异平坦性的金属膜的蚀刻液组合物。将含有磷酸、硝酸、有机酸盐的水溶液作为用于蚀刻基板上的金属膜的蚀刻液组合物使用。作为所述有机酸盐，使用从选自脂肪族单羧酸、脂肪族多羧酸、脂肪族氧代羧酸、芳香族单羧酸、芳香族多羧酸、芳香族氧代羧酸中的至少1种的、铵盐、胺盐、季铵盐、碱金属盐中选出的至少1种。此外，所述有机酸盐的浓度为0.1～20重量％的范围。此外，本发明的蚀刻液组合物在所述金属膜是铝或铝合金时使用。
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公开(公告)号：CN100589324C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200610171724.8
申请日：2006-12-19
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H03K19/00 , H03K19/0175 , H03K19/0185 , H03K19/0944 , H03K17/687 , H03K17/693
CPC classification number: H03K17/005 , H03K17/6874 , H03K17/6877 , H03K17/693
Abstract: 提供一种可以稳定输出与输入电压相等的电压作为输出电压而没有功率损耗的电压选择电路。如下这样构成电压选择电路：进行可将控制信号输入到第1反相器(INV1)以及第3反相器(INV3)上、第1反相器(INV1)的输出被输入到第2反相器(INV2)以及第4MOSFET(M12)的栅极、第3反相器(INV3)的输出被输入到第4反相器(INV4)以及第3MOSFET(M11)的栅极、第4反相器(INV4)的输出被输入到第2MOSFET(M10)的栅极的连接，而第2MOSFET(M10)的源极上被输入根据控制信号(IN)所选择的第1输入电压(V1)，而第4MOSFET(M12)的源极上被输入根据控制信号(IN)所选择的第2输入电压(V2)。
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公开(公告)号：CN101519592A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910006600.8
申请日：2009-02-25
Applicant: 林纯药工业株式会社 , 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: C09K13/00 , C09K13/02 , H01L21/306
CPC classification number: C09K13/00 , C09K13/02 , H01L21/30608
Abstract: 本发明提供一种硅各向异性蚀刻液组合物，含有(a)作为有机碱化合物和无机碱化合物的混合物的碱化合物；以及(b)含硅化合物。作为有机碱化合物，使用氢氧化季铵盐或乙二胺中的1种以上。此外，作为无机碱化合物，使用氢氧化钠、氢氧化钾、氨或肼中的1种以上。此外，含硅无机化合物是金属硅、热解法二氧化硅、胶体二氧化硅、硅胶、硅溶胶、硅藻土、酸性白土、活性白土等，含硅有机化合物使用硅酸烷基酯或烷基硅酸的季铵盐中的1种以上。
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公开(公告)号：CN101604632B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200910140668.5
申请日：2009-06-12
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L21/329 , H01L21/31 , H01L21/306 , H01L29/861 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/0649 , H01L29/6609
Abstract: 本发明的目的在于确立高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法，以解决因位于PN接合部PNJC处的台沟内壁的第2绝缘膜的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的装置及方法，是对以干蚀刻形成的台沟，再以氟酸、硝酸系等蚀刻剂对该台沟的侧壁进行湿蚀刻，由此在台沟的上部形成由突出于台沟的第1绝缘膜所构成的檐部。且利用涂布法或印刷法将绝缘膜形成于台沟内、以及以台沟为中心以形成为比檐部区域还宽广的方式将绝缘膜形成于第1绝缘膜上，而该檐部成为阻止因之后的热处理而流动性变高的绝缘膜流往台沟的底部的障壁。故能以足够厚度的绝缘膜被覆位于PN接合部PNJC处的台沟侧壁，而达耐压的确保及漏电流的降低等目的。
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公开(公告)号：CN101515597B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200810149427.2
申请日：2008-09-12
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L29/732 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7322 , H01L29/735 , H01L29/8618
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置。在以往的半导体装置中，作为功率用半导体元件的纵型PNP晶体管有在饱和区域中使用时向衬底产生泄漏电流的问题。根据本发明的半导体装置，作为集电极区域的P型扩散层(22、23)形成在作为基极区域的N型扩散层(24)的周围。并且，P型扩散层(23)形成为杂质浓度比P型扩散层(22)低而且其扩散宽度窄。根据这种结构，在纵型PNP晶体管进行接通动作时，形成有P型扩散层(23)的区域主要作为寄生电流的路径。于是，能够抑制由衬底(14)、N型埋入层(16)、P型埋入层(18)构成的寄生晶体管的接通动作，防止向衬底(14)产生泄漏电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101740426A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910208198.1
申请日：2009-11-02
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，当在形成于半导体基板的开口部上形成凸起电极时，防止形成由密闭在开口部内的气体造成的气孔。本半导体装置的制造方法具有如下工序：在半导体基板的主面侧形成第一配线(3)的工序；为了将第一配线(3)的背面露出，在半导体基板(1)自其背面侧朝向主面侧形成开口部(5)的工序；形成与第一配线(3)的背面连接且自开口部(5)内延伸至半导体基板(1)背面的第二配线(7)的工序；形成焊料层(8)的工序，该焊料层(8)与开口部(5)底部的第二配线(7)的一部分连接，并自开口部(5)内延伸至半导体基板(1)的背面；使焊料层(8)回流而在开口部(5)上形成凸起电极(9)的工序。
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公开(公告)号：CN100572602C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200410098310.8
申请日：2004-12-03
Applicant: 关东化学株式会社 , 三洋电机株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
CPC classification number: C23F1/20 , H01L21/32134
Abstract: 本发明提供一种可以对金属膜以很好的控制性进行蚀刻，形成作为目标的锥形形状，且表面平滑，同时没有蚀刻溶液渗入痕的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有烷基硫酸酯或者全氟链烯基苯基醚磺酸以及它们的盐之中的1种、2种或以上的表面活性剂。
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公开(公告)号：CN1755904A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510082137.7
申请日：2005-07-04
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L21/283 , H01L29/73 , H01L21/76 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L29/66272 , H01L29/7322
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。目前存在埋入扩散层在其他的热处理工序中超出必要而爬上，而不能得到所希望的耐压特性的问题。在本发明中，形成N型埋入扩散层(2)后，为了将用于元件间隔离等的槽部(8)的角部(9)圆化，而进行干式蚀刻。进而，由采用例如CVD法的NSG膜(10)添埋槽部(8)，构成隔离区域的沟槽(12)由采用例如CVD法的HTO膜(13)及多晶硅膜(14)添埋。通过该制造方法，可抑制N型埋入扩散层(2)超出必要而爬上，得到具有所希望的耐压特性的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101519592B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200910006600.8
申请日：2009-02-25
Applicant: 林纯药工业株式会社 , 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: C09K13/00 , C09K13/02 , H01L21/30608
Abstract: 本发明提供一种硅各向异性蚀刻液组合物，含有(a)作为有机碱化合物和无机碱化合物的混合物的碱化合物；以及(b)含硅化合物。作为有机碱化合物，使用氢氧化季铵盐或乙二胺中的1种以上。此外，作为无机碱化合物，使用氢氧化钠、氢氧化钾、氨或肼中的1种以上。此外，含硅无机化合物是金属硅、热解法二氧化硅、胶体二氧化硅、硅胶、硅溶胶、硅藻土、酸性白土、活性白土等，含硅有机化合物使用硅酸烷基酯或烷基硅酸的季铵盐中的1种以上。
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公开(公告)号：CN101740426B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910208198.1
申请日：2009-11-02
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，当在形成于半导体基板的开口部上形成凸起电极时，防止形成由密闭在开口部内的气体造成的气孔。本半导体装置的制造方法具有如下工序：在半导体基板的主面侧形成第一配线(3)的工序；为了将第一配线(3)的背面露出，在半导体基板(1)自其背面侧朝向主面侧形成开口部(5)的工序；形成与第一配线(3)的背面连接且自开口部(5)内延伸至半导体基板(1)背面的第二配线(7)的工序；形成焊料层(8)的工序，该焊料层(8)与开口部(5)底部的第二配线(7)的一部分连接，并自开口部(5)内延伸至半导体基板(1)的背面；使焊料层(8)回流而在开口部(5)上形成凸起电极(9)的工序。
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