公开(公告)号：CN101519592B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200910006600.8

申请日：2009-02-25

Applicant: 林纯药工业株式会社 ,  三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 勇谦司 ,  木村真弓 ,  青山哲男 ,  田湖次广

IPC: H01L21/306

CPC classification number: C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  H01L21/30608

Abstract: 本发明提供一种硅各向异性蚀刻液组合物，含有(a)作为有机碱化合物和无机碱化合物的混合物的碱化合物；以及(b)含硅化合物。作为有机碱化合物，使用氢氧化季铵盐或乙二胺中的1种以上。此外，作为无机碱化合物，使用氢氧化钠、氢氧化钾、氨或肼中的1种以上。此外，含硅无机化合物是金属硅、热解法二氧化硅、胶体二氧化硅、硅胶、硅溶胶、硅藻土、酸性白土、活性白土等，含硅有机化合物使用硅酸烷基酯或烷基硅酸的季铵盐中的1种以上。

公开(公告)号：CN101542692A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000680.X

申请日：2008-07-16

Applicant: 林纯药工业株式会社 ,  三洋电机株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 田湖次广 ,  松田知丈 ,  木村直弓 ,  青山哲男

IPC: H01L21/308

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/20 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供能够将铝膜或铝合金膜等金属膜控制性良好地、且在抑制、防止抗蚀涂层渗透发生的情况下进行蚀刻，从而得到具有所需锥形形状和优异平坦性的金属膜的蚀刻液组合物。将含有磷酸、硝酸、有机酸盐的水溶液作为用于蚀刻基板上的金属膜的蚀刻液组合物使用。作为所述有机酸盐，使用从选自脂肪族单羧酸、脂肪族多羧酸、脂肪族氧代羧酸、芳香族单羧酸、芳香族多羧酸、芳香族氧代羧酸中的至少1种的、铵盐、胺盐、季铵盐、碱金属盐中选出的至少1种。此外，所述有机酸盐的浓度为0.1～20重量％的范围。此外，本发明的蚀刻液组合物在所述金属膜是铝或铝合金时使用。

公开(公告)号：CN103782373A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280042602.2

申请日：2012-08-17

Applicant: 林纯药工业株式会社

Inventor： 松井笃史 ,  木村真弓 ,  田湖次广

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: C09K13/08 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明涉及蚀刻液组合物以及蚀刻方法，是进行在被处理基板上形成的含硅膜的蚀刻时使用的蚀刻液组合物，蚀刻液组合物包含选自含羟基有机化合物、含羰基有机化合物、无机酸以及无机酸盐中的至少一种、氢氟酸、氟化铵和有机酸。

公开(公告)号：CN103125017B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180046558.8

申请日：2011-09-22

Applicant: 林纯药工业株式会社

Inventor： 勇谦司 ,  木村真弓 ,  田湖次广

IPC: H01L21/308 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明的蚀刻液组合物为包含无机酸和金属化合物的组成。进而，为包含有机酸、有机酸盐、无机酸盐、表面活性剂中的任一者的组成。进而，作为无机酸，为包含盐酸、磷酸、硫酸、硝酸中的任一者的组成。另外，作为金属化合物，使用铁系化合物。作为有机酸和有机酸盐，使用选自一元羧酸、多元羧酸、羟基羧酸、膦酸、磺酸及其盐中的至少1种。使用本发明的蚀刻液组合物对AlGaInP膜、AlGaAs膜、GaAsP膜中的任一半导体膜进行蚀刻，将表面粗面化。

公开(公告)号：CN103125017A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201180046558.8

申请日：2011-09-22

Applicant: 林纯药工业株式会社

Inventor： 勇谦司 ,  木村真弓 ,  田湖次广

IPC: H01L21/308 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明的蚀刻液组合物为包含无机酸和金属化合物的组成。进而，为包含有机酸、有机酸盐、无机酸盐、表面活性剂中的任一者的组成。进而，作为无机酸，为包含盐酸、磷酸、硫酸、硝酸中的任一者的组成。另外，作为金属化合物，使用铁系化合物。作为有机酸和有机酸盐，使用选自一元羧酸、多元羧酸、羟基羧酸、膦酸、磺酸及其盐中的至少1种。使用本发明的蚀刻液组合物对AlGaInP膜、AlGaAs膜、GaAsP膜中的任一半导体膜进行蚀刻，将表面粗面化。

公开(公告)号：CN101542692B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200880000680.X

申请日：2008-07-16

Applicant: 林纯药工业株式会社 ,  三洋电机株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 田湖次广 ,  松田知丈 ,  木村直弓 ,  青山哲男

IPC: H01L21/308

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/20 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供能够将铝膜或铝合金膜等金属膜控制性良好地、且在抑制、防止抗蚀涂层渗透发生的情况下进行蚀刻，从而得到具有所需锥形形状和优异平坦性的金属膜的蚀刻液组合物。将含有磷酸、硝酸、有机酸盐的水溶液作为用于蚀刻基板上的金属膜的蚀刻液组合物使用。作为所述有机酸盐，使用从选自脂肪族单羧酸、脂肪族多羧酸、脂肪族氧代羧酸、芳香族单羧酸、芳香族多羧酸、芳香族氧代羧酸中的至少1种的、铵盐、胺盐、季铵盐、碱金属盐中选出的至少1种。此外，所述有机酸盐的浓度为0.1～20重量％的范围。此外，本发明的蚀刻液组合物在所述金属膜是铝或铝合金时使用。

公开(公告)号：CN101519592A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910006600.8

申请日：2009-02-25

Applicant: 林纯药工业株式会社 ,  三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 勇谦司 ,  木村真弓 ,  青山哲男 ,  田湖次广

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  H01L21/30608

Abstract: 本发明提供一种硅各向异性蚀刻液组合物，含有(a)作为有机碱化合物和无机碱化合物的混合物的碱化合物；以及(b)含硅化合物。作为有机碱化合物，使用氢氧化季铵盐或乙二胺中的1种以上。此外，作为无机碱化合物，使用氢氧化钠、氢氧化钾、氨或肼中的1种以上。此外，含硅无机化合物是金属硅、热解法二氧化硅、胶体二氧化硅、硅胶、硅溶胶、硅藻土、酸性白土、活性白土等，含硅有机化合物使用硅酸烷基酯或烷基硅酸的季铵盐中的1种以上。