公开(公告)号：CN111801782B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201980015883.4

申请日：2019-02-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 水泽康

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种碳浓度评价方法，其中，向硅晶圆中注入规定的元素的离子，然后利用低温PL法由CiCs复合物的发光强度测定碳浓度，所述碳浓度评价方法的特征在于，以1.1×1011×[注入元素原子量]‑0.73

公开(公告)号：CN117501426A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202280043066.1

申请日：2022-06-20

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤圣二

IPC: H01L21/673

Abstract: 本发明是一种无尘室，其特征在于，该无尘室具备设置有物品管理库的储藏区域，所述物品管理库具备上侧开放部、以及构成为能够调整开口率的下侧排气口，所述储藏区域的顶板部具备调节片以及空气吹出口，所述物品管理库的所述上侧开放部及所述空气吹出口以被所述调节片包围的方式连接，从所述空气吹出口供给的空气通过所述上侧开放部而直接供给至所述物品管理库内，并从所述下侧排气口排出。由此，提供一种无尘室，其能够在不产生追加成本，不减少物品管理库的收纳容积的情况下，保持物品管理库内的洁净。

公开(公告)号：CN117480594A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280042090.3

申请日：2022-05-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤圣二

IPC: H01L21/673

Abstract: 本发明是一种无尘室之间的搬送物捆包用的捆包材料，其特征在于，该捆包材料用于在半导体工厂的设为洁净气氛的无尘室之间搬送FOUP或FOSB即搬送物时，对所述搬送物进行捆包，包含具有防尘性和防湿性的无尘布。由此能够提供一种捆包材料，其能够在将FOUP或FOSB即搬送物保持在高洁净度的状态下，以低成本在无尘室之间对搬送物进行搬送。

公开(公告)号：CN117413345A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202280038611.8

申请日：2022-03-03

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久保埜一平 ,  萩本和德 ,  篠宫胜

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板，其具备成膜用基板与在该成膜用基板上成膜的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板包含结合有多个层的复合基板及形成在该复合基板上的单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，所述氮化物半导体薄膜包含GaN层，所述GaN层至少掺杂有1×1019原子/cm3以上且小于5×1020原子/cm3的碳和/或5×1018原子/cm3以上且小于5×1020原子/cm3的铁。由此，能够提供一种提高了高频特性的氮化物半导体基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN117321732A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035568.X

申请日：2022-03-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  秋山智弘

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及化合物半导体接合基板的制造方法，其包括下述工序：(1)使化合物半导体功能层在起始基板上外延生长的工序；(2)将支撑基板暂时接合于所述外延生长面，制成第一化合物半导体接合基板的工序；(3)将所述起始基板从所述第一化合物半导体接合基板中去除，制成第二化合物半导体接合基板的工序；(4)将所述第二化合物半导体接合基板的去除了所述起始基板的面正式接合于永久基板，制成第三化合物半导体接合基板的工序；及(5)将所述支撑基板从所述第三化合物半导体接合基板中去除，制成第四化合物半导体接合基板的工序；其中，暂时接合通过热固性树脂而进行，且不使该热固性树脂固化而使其保持软化状态，并且，正式接合通过硅氧化膜或硅氮化膜而进行。由此，提供一种提高了器件或器件系统设计上的自由度的化合物半导体接合基板的制造方法。

公开(公告)号：CN116918052A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280019273.3

申请日：2022-02-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 志贺雄高 ,  高桥亨 ,  村木久男

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明是一种碳化硅单晶晶圆的结晶缺陷评价方法，通过熔融KOH对碳化硅单晶晶圆进行蚀刻，使得起因于贯通刃型位错的蚀刻坑的尺寸为10～50μm，对所述蚀刻后的所述碳化硅单晶晶圆表面的多处通过自动拍摄获得显微镜图像，对于所述获得的全部显微镜图像的每一个，基于通过所述蚀刻形成的蚀刻坑的相连长度，判定有无缺陷密集部，将所述获得的全部显微镜图像分类为具有所述缺陷密集部的显像镜图像与不具有所述缺陷密集部的显微镜图像，评价所述碳化硅单晶晶圆的结晶缺陷的密集状态。由此，提供能够轻易且简便地进行碳化硅单晶晶圆面内的结晶缺陷的密集部的评价的碳化硅单晶晶圆的结晶缺陷评价方法。

公开(公告)号：CN111386593B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201880075449.0

申请日：2018-10-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: H01L21/322 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  C30B31/22 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明是一种控制载流子的复合寿命的单晶硅基板的分选方法，其特征在于，具有：准备工序，由利用悬浮区熔法生长的单晶硅锭制作并准备作为单晶硅基板的候补的单晶硅基板；粒子束照射工序，向准备的单晶硅基板照射粒子束；测量工序，在粒子束照射工序后的单晶硅基板中，注入过剩载流子，并测量过剩载流子浓度相对于注入了过剩载流子后的经过时间的衰减曲线；判定工序，在测量的过剩载流子衰减曲线中，求出该衰减曲线中的去除衰减速度快的前半部分的尾部中剩余过剩载流子浓度衰减到注入时的过剩载流子浓度的规定比例的衰减时间，在该衰减时间的值为预先确定的判定值以下的情况下，判定单晶硅基板合格；以及分选工序，将由与制作出通过判定而判定为合格的单晶硅基板的单晶硅锭相同的单晶硅锭制作的单晶硅基板分选为控制载流子的复合寿命的单晶硅基板。由此，提供一种单晶硅基板的分选方法，该方法为了抑制微弱的尾电流，而在通过控制载流子的复合寿命来抑制尾电流的功率器件中分选低浓度的过剩载流子的衰减变快的单晶硅基板。

公开(公告)号：CN116779429A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310217186.5

申请日：2023-03-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  秋山智弘

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种接合型晶圆的制造方法，其能够减少因BCB(苯并环丁烯)的热固性不良而产生的外延层的不良部分。本发明的接合型晶圆的制造方法是隔着苯并环丁烯将含P(磷)的外延晶圆与待接合晶圆接合的接合型晶圆的制造方法，该制造方法的特征在于，使用具备起始基板与外延层的外延晶圆作为所述外延晶圆，所述起始基板具有第一面及与所述第一面相反一侧的第二面，所述外延层形成在所述起始基板的所述第一面上且含有磷，将在外延生长过程中绕至所述外延晶圆的所述起始基板的所述第二面而于该面析出的析出物后，进行所述苯并环丁烯的热固化。

公开(公告)号：CN112996954B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201980072061.X

申请日：2019-10-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 永井直树 ,  渡边一德 ,  铃木聪 ,  儿玉义博

IPC: C30B29/06 ,  C30B13/28

Abstract: 本发明是一种基于FZ法的单晶的制造方法，其利用感应加热线圈对原料晶棒进行加热熔融而形成悬浮区域，并使上侧的原料晶棒及下侧的单晶棒相对于感应加热线圈一边旋转一边相对地下降，使悬浮区域移动来生长单晶棒，其特征在于，具有：测量工序，当在结晶生长途中停止生长并结束单晶的制造时，测量剩余的原料晶棒的重量；判定工序，计算利用剩余的原料晶棒能够制造的单晶主体部的理论成品率，并确定能够再制造的单晶的最大直径，或确定不制造单晶；以及再制造工序，在确定了能够再制造的单晶的最大直径的情况下，再制造单晶。由此，提供一种单晶的制造方法，其在使结晶生长在途中停止的情况下，通过有效利用剩余的原料晶棒而抑制了成品率降低。

公开(公告)号：CN111512421B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201880084042.4

申请日：2018-12-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: H01L21/322 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种复合寿命的控制方法，其通过进行由利用FZ法培养的掺氮硅单晶准备硅单晶基板的工序；实施热处理的热处理工序A；对硅单晶基板照射粒子束的粒子束照射工序；及对硅单晶基板进行热处理的热处理工序B，从而控制硅单晶基板的载流子的复合寿命，该方法的特征在于，在热处理工序A中，根据在准备工序中准备的硅单晶基板的氧浓度Co，使硅单晶基板中的氮向外扩散，从而调节硅单晶基板的氮浓度Cn，然后，进行粒子束照射工序。由此，能够确实地减小起因于掺氮FZ硅单晶基板的复合寿命的偏差，能够以高精度控制复合寿命。