一种用于检索的图像向量获取方法

    公开(公告)号:CN118227822A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410662513.2

    申请日:2024-05-27

    Abstract: 本发明公开了计算机视觉技术领域的一种用于检索的图像向量获取方法,旨在解决现有的图像向量获取方法无法兼顾轻量化、精度要求,且无法学习输入描述符的技术问题。其包括:预先构建混合聚合特征索引图像检索模型,包括空间分割层、卷积层和BOF层,图像数据集输入混合聚合特征索引图像检索模型生成图像向量;在BOF层之前引入空间分割技术以便于分割空间段进行局部特征的提取,BOF层量化输出后,拼接每一个空间段的输出结果获得图像最终的特征向量,有效提高了图像检索的性能并减少网络中的参数数量,保留了图像中特征所携带的空间信息;即不降低图像检索模型精度的情况下提高模型的性能,降低存储开销、计算量和卷积神经网络参数数量。

    一种固定型纳米水合氧化铈的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116237022A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202310159029.3

    申请日:2023-02-23

    Abstract: 本发明公开了一种固定型纳米水合氧化铈的制备方法和应用,涉及到环境功能纳米复合材料技术领域,以纤维素为分散剂,以环氧氯丙烷为交联剂,通过溶解‑分散‑交联‑致孔的方法将水合氧化铈纳米颗粒均匀地固定至纤维素泡沫内部,本发明制备的固定型纳米水合氧化铈具有独特的纤维素网状交联结构,能够包裹在水合氧化铈纳米颗粒周围阻碍其在水中的自聚集并赋予其良好的水力学性能,突破了纳米水合氧化铈在实际工程应用中遇到的瓶颈,且固定型纳米水合氧化铈环境友好,在中酸性污染水体中对氟离子具有优异的吸附容量,球状外形方便吸附饱和后回收利用,经碱液多次再生后能保持形态不变和性能稳定,适用于实际氟污染废水处理。

    一种多模态信息嵌入的图像生成服务水印保护方法

    公开(公告)号:CN120070146A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510512474.2

    申请日:2025-04-23

    Abstract: 本发明公开一种多模态信息嵌入的图像生成服务水印保护方法,属于图像处理技术领域,包括:获取文本信息、原始图像以及所述原始图像经过图像生成服务编辑后的编辑图像;采用训练好的双可逆神经网络将所述原始图像和所述文本信息嵌入所述编辑图像,输出含水印图像。本发明解决了现有技术中水印容易被察觉,而且不能恢复图像编辑过程,导致取证时证据不全的问题。

    一种通用双端电流输出忆阻仿真器

    公开(公告)号:CN120068896A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510544724.0

    申请日:2025-04-28

    Abstract: 本发明提供了一种通用双端电流输出忆阻仿真器,包括双端电流输出模块、运算模块和积分模块。运算模块包含两个基于444电路的四象限乘法器:本发明通过运算模块的反馈控制,配合双端电流输出模块实现了双端电流输出,配合积分模块实现了忆阻内部变量的精确运算。本发明设计的双端忆阻仿真器结构紧凑、功能丰富,具有通用性强、适用范围广的特点,可广泛应用于非线性系统、神经网络计算、加密通信等领域。

    烟气脱硝NOx浓度的变论域模糊分数阶PID控制方法

    公开(公告)号:CN120065700A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510541764.X

    申请日:2025-04-28

    Abstract: 本发明公开了烟气脱硝NOx浓度的变论域模糊分数阶PID控制方法,该方法首先确定分数阶PID控制器的初始参数;其次,设计模糊控制器,确定其模糊规则和输入输出变量,输入变量为NOx质量浓度误差及误差变化率,输出变量为分数阶PID控制器参数的变化量;接着,设计变论域模糊系统,输入变量为NOx质量浓度误差及误差变化率,三个输出分别作为模糊控制器中输入的误差、误差变化率的变论域伸缩因子和输出的分数阶PID控制器参数变化量的变论域伸缩因子;最后,将分数阶PID控制器初始参数与模糊控制器输出的参数变化量结合作为最终分数阶PID控制器参数。本发明实现了NOx质量浓度的动态及稳态性能,更好地满足了环保指标要求。

    一种N型横向器件及制备方法

    公开(公告)号:CN119789486B

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202510281431.8

    申请日:2025-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种N型横向器件及制备方法,该器件在传统横向双扩散金属氧化物半导体基础上,增设另一组栅极与电流通路,通过下多晶硅栅与上多晶硅栅协同控制,形成两条并联的源漏电流通路;同时在N—硅层內嵌入一个浮置P型硅层,在相同击穿电压下,可以提高N—硅层的掺杂浓度,从而进一步降低器件的导通电阻。制备方法中利用Si‑SiO₂键合、离子注入、等离子刻蚀、原子层淀积及热氧化层生长等工艺方法制备器件,其制备工艺兼容标准CMOS工艺。在相同芯片面积下,本发明器件的电流密度提升至传统LDMOS的两倍以上;同时下层二氧化硅的设计,易于实现器件之间的完全隔离,提高器件的高温稳定性与抗辐照能力。

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