Abstract:
본 발명에 따른 파노라마 사진 촬영 방법은 파노라마 사진 촬영 방법에 있어서, 파노라마 사진을 구성하는 각 화상을 촬영시에, 미리 정해진 시간단위마다 연속적으로 입력되는 영상을 동일한 초점 거리를 갖는 가상의 면으로 투영하여 투영된 영상을 획득하는 과정과, 투영된 상기 영상에 노출 보정을 적용한 모션 추정 기법을 사용하여 실시간적으로 이전 영상을 비교함으로써 해당 촬영 장치의 움직임을 확인하는 과정과, 상기 확인한 해당 촬영 장치의 움직임에 따라 촬영 방향에 따른 움직임이 미리 설정된 임계값에 도달하였음을 확인함으로써 각 화상의 촬영 시점을 판단하는 과정과, 상기 각 화상의 촬영 시점에서 각 화상을 수동 입력에 따라, 또는 자동으로 촬영하는 과정을 포함한다. 파노라마, 움직임, 모션 벡터, 투영
Abstract:
본 발명은, 장애물과의 이격거리에 기반한 AP 안테나 설치 방법에 관한 것으로, 2.4GHz 대역을 사용하는 무선랜 AP(Access Point)의 안테나 설치에 있어서, 프레넬(Fresnel) 영역을 이용하여 AP 안테나와 천장과의 이격거리를 산출하고, 안테나의 위치에 따른 전파 모델링을 이용하여 AP 안테나와 벽과의 이격거리를 산출함으로써, AP의 안테나가 최적의 성능을 발휘할 수 있도록 하기 위한, 장애물과의 이격거리에 기반한 AP 안테나 설치 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 위하여, 본 발명은, 장애물과의 이격거리에 기반한 AP(Access Point) 안테나 설치 방법에 있어서, 프레넬(Fresnel) 영역을 이용하여 AP 안테나와 천장과의 제 1 이격거리를 산출하는 단계; 상기 AP 안테나의 위치에 따른 전파 모델링을 이용하여 상기 AP 안테나와 벽과의 제 2 이격거리를 산출하는 단계; 및 상기 산출된 제 1 이격거리 및 상기 산출된 제 2 이격거리에 따라 상기 AP 안테나가 설치되도록 하는 단계를 포함한다. 무선랜 AP, 프레넬 영역, 전파 모델, 천장, 벽, 이격거리
Abstract:
저항변화기록소자의 정보기록방법, 저항변화기록소자 제조방법 및 이를 이용한 저항변화기록소자가 개시된다. 본 발명에 따른 저항변화기록소자의 정보기록방법은 하부전극, 하부전극 상에 형성된 전이금속 산화물 박막, 전이금속 산화물 박막 상에 형성된 상부전극의 구조를 포함하는 저항변화기록소자의 정보기록방법에 있어서, 전이금속 산화물 박막에 전압을 인가하여 전이금속 산화물 박막을 양극 저항 스위칭(bipolar resistance switching, BRS) 특성이 나타나도록 포밍(forming)한다. 그리고, 포밍된 전이금속 산화물 박막에 전이금속 산화물 박막의 단극 저항 스위칭(unipolar reseistance swtching, URS)의 셋(set) 전압의 크기보다 작고, 소프트셋(soft set)의 전압의 크기보다 큰 상호 반대되는 극성을 가지는 전압을 각각 인가하여, 전이금속 산화물 박막의 저항을 변화시킨다. 그리고, 전이금속 산화물 박막의 저항 크기에 따라 "0" 또는 "1"을 할당한다. 본 발명에 따르면, 양극 저항 스위칭 특성을 이용하여 저항변화기록소자의 전력소모를 줄일 수 있고, 저항 스위칭 시간을 짧게 하여 소자의 속도를 향상시킬 수 있다. 그리고 컴플라이언스 전류를 인가하여 "0", "1"의 두 개의 상태뿐만 아니라 복수의 상태를 갖는 자기변화기록소자를 구현할 수 있다.
Abstract:
표시 품질 및 생산성을 향상시킨 표시 기판 및 이의 제조방법이 개시된다. 표시 기판은 복수의 화소 영역들을 포함하는 베이스 기판 및 베이스 기판 상에 형성되고, 액정층의 액정 분자들을 배향시키는 미세 패턴과, 액정층의 셀 갭을 유지시키는 셀 갭 유지 패턴이 형성된 폴리머층을 포함한다. 이에 따라, 미세 패턴에 의해 시야각을 향상시켜 표시 품질을 향상시킬 수 있고, 미세 패턴 및 셀 갭 유지 패턴을 동시에 형성함으로써 제조 공정의 단순화 및 제조 비용의 절감을 통해 생산성을 향상시킬 수 있다. 임프린팅, 플라스틱 기판, 미세구조, 배향, 스페이서
Abstract:
본 발명은 새로운 포토피지컬 프로세스 시스템을 규명하고 이를 적용한 하기 화학식 1로 표현되는 이리듐 착체에 발광성 보조 리간드를 도입함으로써 발광 전영역에 걸친 색조정이 가능한 새로운 유기전기인광소자를 제공한다. 또한 상기 포토피지컬 프로세스 시스템을 통해 전 가시광선 영역 및 백색을 구현할 수 있는 유기전기인광소자를 제작할 수 있다. [화학식 1]
Abstract:
본 발명은 게이트로는 외부 제어 신호(EMS)를 인가받으며 OLED의 캐소드 부분이 드레인영역에 접속되어 OLED 발광시 OLED 전류를 소스/드레인 전류통로로 인가받는 제5 스위칭 트랜지스터와(제5TFT T5), 설정된 스캔 신호(SCAN 신호)가 게이트로 접속되며 제3TFT T3의 게이트 부분과 드레인 부분을 소스/드레인 영역으로 접속된 제4 스위칭 트랜지스터(제4TFT T4)와, OLED 발광시 OLED 전류를 결정해주는 전류 구동 트랜지스터인 제3TFT T3과, 제3TFT T3의 게이트 부분과 VSS를 각기 상판과 하판으로 구성하는 캐패시터 C와, 게이트로는 외부 스캔신호 (SCAN)를 인가받으며 데이터 전압을 제3TFT T3의 소스 영역에 전달해주는 제1 스위칭 트랜지스터(제1TFT T1)과, 게이트로는 외부제어 신호(EMS)를 인가받으며 캐패시터 C의 하판 부분과 제3TFT T3의 소스 영역을 연결해주는 제2 스위칭 트랜지스터(제2TFT T2), 그리고 소스와 드레인 영역이 각기 외부 클럭 신호(CLK)와 제3TFT T3의 게이트 영역으로 연결되어 있고 동시에 게이트와 제3TFT T3의 게이트 부분이 접속되어 있는 제6스위칭 트랜지스터(제6TFT T6)로 구성된다. 이때 OLED의 애노드 부분은 VDD를 인가받는다. active matrix OLED, 비정질 실리콘 박막트랜지스터, 열화 보상