公开(公告)号：JP2006310857A

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：JP2006121508

申请日：2006-04-26

Applicant: Asm Internatl Nv ,  エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： BERENBAK BART ,  DE RIDDER CHRIS G G

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67126

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a door plate used in a semiconductor treatment that depends on process gases.
SOLUTION: The process chamber of a vertical furnace is provided with a closure, or door, comprising an upper and a lower door plates. The upper door plate has a gas exhaust opening close to its center, thereby allowing for a symmetrical flow of process gases via the process chamber and into the gas exhaust opening. The upper door plate is spaced from the lower door plate to form a sealing chamber purged with an inert gas. Optionally, both the gas exhaust opening and the sealing chamber empty into a gas exhaust channel formed inside the upper door plate. The gas exhaust channel leads to an exhaust which exhausts gases from the furnace and separates the flow path of corrosive process gases from surfaces of the lower door plate, which may be formed of a metal that is relatively easily-corroded.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种依赖于工艺气体的半导体处理中使用的门板。 解决方案：垂直炉的处理室设置有包括上门板和下门板的封闭件或门。 上门板具有靠近其中心的排气口，从而允许处理气体经由处理室对称地流入排气口。 上门板与下门板间隔开以形成用惰性气体吹扫的密封室。 可选地，气体排出口和密封室都排入形成在上门板内部的排气通道中。 排气通道导致排出来自炉子的气体排出的废气，并且将腐蚀性工艺气体的流路与下门板的表面分开，该下表面板可以由相对容易腐蚀的金属形成。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2006505127A

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：JP2004548400

申请日：2003-10-21

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： カイ−エリック エレース ,  ペッカ イィー． ソイニネン ,  エボ ラーエイマッケルス

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 拡散バリア膜と金属膜との間の接着性を改善するための方法が提唱される。 拡散バリア膜及び金属膜の両方は、いずれかのシークエンスで、半導体基板上へ堆積される。 拡散バリア膜又は金属膜のいずれか一方である第一膜（第一膜は、基板の表面領域の少なくとも一部で暴露される）を有する基板は、酸素含有リアクタントに暴露され、第一膜の露出部分に酸素含有基又は酸素原子の約１の単層の表面終端を生成する。 次いで、第二膜（これは、拡散バリア膜及び金属膜のうち他方である）が基板上に堆積される。 さらに、酸素架橋構造が提唱され、該構造は、拡散バリア膜及び該拡散バリア膜との界面を有する金属膜を含む（ここで、界面は、酸素原子の単層を含有する）。
【課題】
【解決手段】

公开(公告)号：JP2005064515A

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：JP2004234701

申请日：2004-08-11

Applicant: Asm Internatl Nv ,  エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： GARSSEN ADRIAAN ,  VAN GROEN JOOST ,  DE RIDDER CHRISTIANUS GERARDUS

IPC: H01L21/67 ,  G01V8/10 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67265 ,  G01V8/10

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image pick-up system equipped with a picture sensor for collecting the information of wafer in a cassette. SOLUTION: The wafer in the cassette is mapped without necessity to open the cassette. The cassette is at least partially transparent to a special type of radiation. Radiation source is oriented inside the cassette through the transparent or translucent portion of the cassette, and the picture sensor, sensitive to the above-mentioned radiation, detects the radiation reflected off the wafer in the cassette. A second radiation source and a second camera preferably provide additional pictures of the wafers from different angle. The specific direction of the wafer and the loading status of the cassette are judged by processing these pictures. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种配备有用于收集盒中的晶片信息的图像传感器的图像拾取系统。 解决方案：盒中的晶片被映射，无需打开磁带。 该盒对于特殊类型的辐射至少是部分透明的。 辐射源通过盒的透明或半透明部分定向在盒内，并且对上述辐射敏感的图像传感器检测从盒中的晶片反射的辐射。 第二辐射源和第二照相机优选地从不同的角度提供晶片的附加照片。 通过处理这些图像来判断晶片的具体方向和盒的装载状态。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2005039225A

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：JP2004175689

申请日：2004-06-14

Applicant: Asm Internatl Nv ,  エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： GRANNEMAN ERNST H A ,  KUZNETSOV VLADIMIR ,  PAGES XAVIER ,  VAN DER JEUGD CORNELIUS A

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/24 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L29/665

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To form a silicide film with a uniform resistance.
SOLUTION: This method is a processing method of a semiconductor wafer 180. The method comprises a step of mounting the semiconductor wafer provided with a metal film 165 which is in contact with silicon 190 at least on some zones of the wafer, on an annealing station, a step of holding the wafer at a silicification temperature, for a sufficient time for producing silicide 170 by uniformly heating the wafer at the silicification temperature and by reacting some metal with silicon, and a step of taking out the wafer from the annealing station, before all the metal at least on the some zones in the wafer reacts with the silicon.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：形成具有均匀电阻的硅化物膜。 解决方案：该方法是半导体晶片180的处理方法。该方法包括将设置有至少在晶片的某些区域上与硅190接触的金属膜165的半导体晶片安装在 退火站，通过在硅化温度下均匀加热晶片并使一些金属与硅反应而将晶片保持在硅化温度下足够的时间来制造硅化物170，以及从硅晶体中取出晶片的步骤 在退火站之前，所有的金属至少在晶片的一些区域上与硅反应。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2004538374A

公开(公告)日：2004-12-24

申请号：JP2003520873

申请日：2002-08-15

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： カイ−エリク エレルス ,  オッリ キルペラ ,  ユハナ コスタモ ,  ヴィッレ サーニラ ,  エルンスト フラッネマン ,  イーホ ラーエイマケルス ,  ウェイ−ミン リ

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509

Abstract: 基板を、複数の気相反応物質が交互に繰り返す表面反応にさらすことによって、基板（１６）に薄膜を成長させる様々な反応装置を開示する。 一実施形態では、反応装置（１２）は、反応室（１４）を備える。 シャワーヘッドプレート（６７）が、反応室（１４）を上部と下部とに分ける。 第１の前駆体が、反応室（１４）の下半分の部分へ方向付けられ、第２の前駆体が、反応室（１４）の上半分の部分へ方向付けられる。 基板（１６）は、反応室（１４）の下半分の部分内に配置される。 シャワーヘッドプレート（６７）は、複数の通路（７２）を含み、その結果、反応室（１４）の上半分の部分が、下半分の部分と連通する。 別の構成では、反応室（１４）は、シャッタープレート（１２０）を含む。 他の構成では、シャワーヘッドプレート（６７）は、反応室（１４）中を流れるガスの局所的な流れのパターンを変える構成とされる。

公开(公告)号：JP6391667B2

公开(公告)日：2018-09-19

申请号：JP2016504275

申请日：2014-03-18

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ. ヴェー. ,  ASM International N.V.

Inventor： フランネマン,アーンスト ヘンドリク オーガスト ,  タック,ペーテル

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/324 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  H01L21/677 ,  B65G49/07 ,  B65H5/22 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45544 ,  B65G51/03 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67784

公开(公告)号：JP2018515685A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2017545549

申请日：2016-03-21

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ. ヴェー. ,  ASM International N.V.

Inventor： フランネマン,エルンスト ヘンドリック アウフスト ,  コーレン,ミヒール レオナルド マチュー ,  ファン フェルゼン,ヴィルヘルムス ヘラルドゥス

IPC: C23C16/44 ,  C11D7/32 ,  C11D7/06 ,  H01L21/308 ,  C23C4/10 ,  C23C4/129 ,  C23G1/14 ,  C23C28/00

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4407

Abstract: CVD、PECVD、ALD、PVDおよび蒸着の1つを使用して少なくとも1つの層を付与するために基材が処理される、成膜装置の成膜空間部材から成膜残渣を容易に除去するための方法。成膜空間壁にて囲まれた成膜空間を有する成膜装置において、少なくとも1回の成膜処理を行って、成膜空間内の基材上に1つの層を付与する。成膜空間壁には皮膜を設ける。成膜空間壁は、選択的ウェットエッチング処理にて洗浄する。成膜空間壁に影響を与えずに成膜残渣が除去されるように、成膜空間壁の皮膜の組成は、成膜処理の間に成膜空間壁上に付着する成膜残渣、および選択的ウェットエッチング処理の間に使用される液体エッチング剤の組成に適応している。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2018021259A

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：JP2017143477

申请日：2017-07-25

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー. ,  ASM INTERNATIONAL N.V.

Inventor： マテロ ライジャ ,  リンドルース リンダ ,  スプレイ ヘッセル ,  マエス ジャン ヴィレム ,  デ ロエスト デイヴィッド ,  ピエルー ディーター ,  ヴァン デル ジェウド キース ,  ドゥルゾ ルシア ,  ブロムバーグ トム イー.

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/283 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23F1/26 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 【課題】アンチモン反応物質および酸素ソースを使用して酸化アンチモン薄膜を原子層堆積によって堆積させるプロセスの提供。 【解決手段】反応チャンバーの中で、基板をハロゲン化アンチモン、例えばSbCl 3 、アンチモンアルキルアミン、およびアンチモンアルコキシド、例えばSb(OEt) 3 を含んでもよいアンチモン前駆体及びオゾンであってもよい酸素ソースと、交互にかつ逐次的に接触させることを含む、酸化アンチモンを堆積するための原子層堆積プロセス。また、この酸化アンチモン薄膜は、バッチ反応器の中で堆積される。この酸化アンチモン薄膜は、例えば、エッチング停止層または犠牲層としての役割を果たしてもよい。 【選択図】図2C

公开(公告)号：JP6202798B2

公开(公告)日：2017-09-27

申请号：JP2012225541

申请日：2012-10-10

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー. ,  ASM INTERNATIONAL N.V.

Inventor： マテロ ライジャ ,  リンドルース リンダ ,  スプレイ ヘッセル ,  マエス ジャン ヴィレム ,  デ ロエスト デイヴィッド ,  ピエルー ディーター ,  ヴァン デル ジェウド キース ,  ドゥルゾ ルシア ,  ブロムバーグ トム イー.

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/225 ,  H01L21/283 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  C23F1/26

公开(公告)号：JP6095291B2

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：JP2012168882

申请日：2012-07-12

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ. ヴェー. ,  ASM International N.V.

Inventor： デ リッデル,クリス ヘー.エム. ,  ボーンストラ,クラース ペー. ,  オーステルラケン,テオドルス ヘー.エム. ,  ラフェンホルスト,バレント イェー.テー.

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67109 ,  F27B17/0025