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    TOF DISTANCE SENSOR
    21.
    发明申请
    TOF DISTANCE SENSOR 有权

    公开(公告)号：US20170293031A1

    公开(公告)日：2017-10-12

    申请号：US15596293

    申请日：2017-05-16

    Applicant: ESPROS Photonics AG

    Inventor： Martin POPP

    IPC: G01S17/89 ,  G01S7/491

    CPC classification number: G01S17/89 ,  G01S7/4914

    Abstract: TOF distance sensor for capturing the distance to an object by receiving radiation reflected by the object, said radiation emanating from a radiation source modulated by a modulation frequency, comprising a pixel matrix for recording a pixel image. The pixel matrix consists of demodulation pixels which are designed for rear-side reception of the radiation. The demodulation pixels comprise a conversion region for generating charge carriers from the received radiation, and a separating device for separating the charge carriers in accordance with the modulation frequency, and also a stop for partitioning-off the conversion region from the separating device in relation to the charge carriers, and also an aperture for passing the charge carriers from the conversion region into the separating device. The TOF distance sensor is embodied in such a way that in each case at least two demodulation pixels form a common aperture.

    ROTARY ENCODER SYSTEM
    22.
    发明申请
    ROTARY ENCODER SYSTEM 有权
    旋转编码器系统

    公开(公告)号：US20160140705A1

    公开(公告)日：2016-05-19

    申请号：US14942140

    申请日：2015-11-16

    Applicant: ESPROS Photonics AG

    Inventor： Beat DE COI

    IPC: G06T7/00

    CPC classification number: G06T7/0004 ,  G01D5/3473 ,  G01D5/36 ,  G01P3/38 ,  G06T2207/30164

    Abstract: A rotary encoder system for registering the rotary angle position and/or angular speed of a rotary shaft which extends along an axis of rotation, comprising at least two optical marks at the rotary shaft, an optical sensor with a pixel matrix having pixel points, an imaging device for imaging each mark in a substantially axial direction on the pixel matrix as a mark image, and an evaluation device for reading and evaluating the pixel matrix in order to determine data in relation to the rotary angle position and/or angular speed, wherein the marks, the imaging device and pixel points are embodied in such a way that the mark images on the pixel matrix have at least the area of a pixel point, wherein the evaluation device is embodied to establish the location of the centroids of the mark images on the pixel matrix.

    Abstract translation: 一种旋转编码器系统，用于记录沿着旋转轴线延伸的旋转轴的旋转角度位置和/或角速度，包括在旋转轴处的至少两个光学标记，具有像素点的像素矩阵的光学传感器， 用于在像素矩阵上的基本上轴向方向上的每个标记作为标记图像成像的成像装置，以及用于读取和评估像素矩阵以便确定关于旋转角度位置和/或角速度的数据的评估装置，其中 标记，成像装置和像素点被实现为使得像素矩阵上的标记图像至少具有像素点的区域，其中评估装置被体现为建立标记图像的质心的位置 在像素矩阵上。

    旋轉式編碼器系統
    24.
    发明专利
    旋轉式編碼器系統 审中-公开
    旋转式编码器系统

    公开(公告)号：TW201636580A

    公开(公告)日：2016-10-16

    申请号：TW104137733

    申请日：2015-11-16

    Applicant: 艾斯波思光電公司 ,  ESPROS PHOTONICS AG

    Inventor： 德蕭 彼特 ,  DE COI, BEAT

    IPC: G01D5/26 ,  G01B11/26

    CPC classification number: G06T7/0004 ,  G01D5/3473 ,  G01D5/36 ,  G01P3/38 ,  G06T2207/30164

    Abstract: 旋轉式編碼器系統，用於登記旋轉軸桿之旋轉角度位置及/或角速率，該旋轉軸桿沿著轉軸延伸；在該旋轉軸桿包含至少二光學記號；包含設有像素矩陣的光學感測器，該像素矩陣具有像素點；包含成像裝置，用於在實質上軸向之方向中將每一記號成像在該像素矩陣上當作記號影像；及包含評估裝置，用於讀取及評估該像素矩陣，以便決定關於該旋轉角度位置及/或角速率的資料；其中該等記號、該成像裝置、及像素點以使得該像素矩陣上之記號影像至少具有像素點的面積之方式被具體化，其中該評估裝置被具體化，以在該像素矩陣上建立該等記號影像的質心之位置。尤其是，該像素矩陣上的記號影像之質心可被以子矩陣分類法所建立。

    Abstract in simplified Chinese: 旋转式编码器系统，用于登记旋转轴杆之旋转角度位置及/或角速率，该旋转轴杆沿着转轴延伸；在该旋转轴杆包含至少二光学记号；包含设有像素矩阵的光学传感器，该像素矩阵具有像素点；包含成像设备，用于在实质上轴向之方向中将每一记号成像在该像素矩阵上当作记号影像；及包含评估设备，用于读取及评估该像素矩阵，以便决定关于该旋转角度位置及/或角速率的数据；其中该等记号、该成像设备、及像素点以使得该像素矩阵上之记号影像至少具有像素点的面积之方式被具体化，其中该评估设备被具体化，以在该像素矩阵上创建该等记号影像的质心之位置。尤其是，该像素矩阵上的记号影像之质心可被以子矩阵分类法所创建。

    LADUNGSÜBERTRAGUNGSVORRICHTUNG MIT EINEM AUSBUCHTUNGSBEREICH FÜR TAKTFREQUENZEN AB 100 MHZ
    25.
    发明申请
    LADUNGSÜBERTRAGUNGSVORRICHTUNG MIT EINEM AUSBUCHTUNGSBEREICH FÜR TAKTFREQUENZEN AB 100 MHZ 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023012067A1

    公开(公告)日：2023-02-09

    申请号：PCT/EP2022/071382

    申请日：2022-07-29

    Applicant: ESPROS PHOTONICS AG

    Inventor： DE COI, Beat ,  CHONGQI, Yu

    IPC: H01L27/148

    Abstract: Vorgeschlagen wird eine Ladungsübertragungsvorrichtung für Taktfrequenzen ab 100 MHz mit einem Ladungsübertragungskanal in einem Halbleitersubstrat mit einer dotierten Leitungsschicht, wobei zur Verringerung der Verluste der Ladungsübertragungskanal und insbesondere ein Gatter oder die Abfolge von zwei angrenzender Gatter einen Bereich einer Ausbuchtung aufweist, in welchem der Querschnitt in Flussrichtung zuerst zunimmt und dann wieder abnimmt und welcher über den Bereich von ein oder zwei aneinandergrenzenden Gattern erstreckend angeordnet ist und einen Bereich einer Verengung aufweist, in welchem der Querschnitt in Flussrichtung abnimmt, und insbesondere kontinuierlich, insbesondere konstant abnimmt und mindestens im Bereich des Gates vor dem Bereich der Ausbuchung oder in den Bereichen des Gates vor der Ausbuchtung und des angrenzenden Gates der Ausbuchtung angeordnet ist.

    SENSORVORRICHTUNG, HERSTELLUNGSVERFAHREN UND DETEKTIONSVORRICHTUNG
    26.
    发明申请
    SENSORVORRICHTUNG, HERSTELLUNGSVERFAHREN UND DETEKTIONSVORRICHTUNG 审中-公开
    传感器设备，方法和检测装置

    公开(公告)号：WO2013110475A1

    公开(公告)日：2013-08-01

    申请号：PCT/EP2013/000589

    申请日：2013-02-28

    Applicant: ESPROS PHOTONICS AG

    Inventor： DE COI, Beat ,  POPP, Martin

    IPC: G01S17/36 ,  G01S7/481 ,  G01S17/89 ,  G01S7/486

    CPC classification number: G01S17/36 ,  G01S7/4863 ,  G01S17/89

    Abstract: Vorgeschlagen wird eine Sensorvorrichtung (1), insbesondere TOF- bzw. CCD-Sensorvorrichtung für einen 3-D-Kamerasensor, die wenigstens eine analoge und eine digitale Schaltkreiskomponente sowie einen A/D-Wandler (8) zum Wandeln analoger Signale der analogen Schaltkreiskomponente in digitale Signale für die digitale Schaltkreiskomponente (2) und umgekehrt aufweist, wobei die analoge Schaltkreiskomponente sowie die digitale Schaltkreiskomponente jeweils wenigstens ein Modul zur elektronischen Ausführung einer Funktion umfassen, und wobei eines der Module der analogen Schaltkreiskomponente als Sensoreinrichtung (3) zur Detektion optischer Strahlung und eines der Module der digitalen Schaltkreiskomponente als Signalverarbeitungseinrichtung zur Verarbeitung digitaler Signale ausgebildet ist. Um eine verbesserte Integration in anwendungsbasierte Sensoreinrichtungen zu ermöglichen, sind die Schaltkreiskomponenten einschließlich dem A/D-Wandler als integrierter Schaltkreis in einem Chip integriert und der Chip als Halbleiterstruktur in 1-Poly-Technologie gefertigt.

    Abstract translation: 提供了一种传感器装置（1），特别是TOF或CCD传感器装置的3-D相机传感器，所述至少一个模拟和数字电路部件，以及用于在将所述的模拟电路部件的模拟信号的A / D转换器（8） 用于数字电路组件（2），反之亦然，其特征在于，所述模拟电路组件和数字电路组件中的每个包括至少一个电子装置用于执行功能，且其中数字信号的模拟电路元件作为传感器装置（3）的用于检测光辐射的模块中的一个，和 数字电路部件的模块中的一个被设计成用于处理数字信号的信号处理装置。 以使在基于应用程序的传感器装置更好地整合，电路组件，包括A / D转换器被集成为芯片的集成电路和1 - 聚技术制成的半导体结构的芯片。

    PHOTOSENSOR UND PHOTOSENSORMATRIX
    27.
    发明申请
    PHOTOSENSOR UND PHOTOSENSORMATRIX 审中-公开
    光传感器和光传感器矩阵

    公开(公告)号：WO2010094374A1

    公开(公告)日：2010-08-26

    申请号：PCT/EP2010/000182

    申请日：2010-01-15

    Applicant: ESPROS PHOTONICS AG ,  LEIPOLD, Dirk ,  ANNESE, Marco

    Inventor： LEIPOLD, Dirk ,  ANNESE, Marco

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/107

    Abstract: Vorgeschlagen wird ein Photosensor (1, 101) mit wenigstens einer integrierten CMOS-Schaltung (5, 105), die in einem Halbleitersubstrat (2, 102, 202) integriert ist, mit aktiven CMOS-Bauelementen sowie einer im Halbleitermaterial ausgebildeten Photodiode. Um eine hohe Lichtquantenausbeute zu ermöglichen, ist die Photodiode aus einer sich im Halbleitersubstrat befindenden dotierten Region (3, 103) und dem verbleibenden Bulkmaterial (6, 106) des Halbleitersubstrats ausgebildet, wobei die aktiven CMOS- Bauelemente von dem verbleibenden Bulkmaterial des Halbleitersubstrats durch die dotierte Region räumlich getrennt werden. Ferner wird eine Photosensormatrix (300) vorgeschlagen.

    Abstract translation: 一个光电传感器（1，101）提出一种包括集成在一个半导体衬底（2，102，202），与有源CMOS器件以及形成在所述半导体材料的光电二极管的开口的至少一个CMOS集成电路（5，105）。 为了使高的光量子产率，从所述光电二极管是在该半导体衬底掺杂区（3，103）和所述半导体衬底的剩余散装材料（6，106）可被形成，其中，从所述半导体衬底的剩余散装材料由有源CMOS器件 掺杂区在空间上分离。 此外，光电传感器阵列（300）的建议。

    Charge transfer device having a bulged portion for clock frequencies from 100 MHz
    29.
    发明申请
    Charge transfer device having a bulged portion for clock frequencies from 100 MHz 有权

    公开(公告)号：US20250119137A1

    公开(公告)日：2025-04-10

    申请号：US18293631

    申请日：2022-07-29

    Applicant: ESPROS Photonics AG

    Inventor： Beat DE COI ,  Chongqi YU

    IPC: H03K17/56

    Abstract: A charge transfer device having a charge transfer channel in a semiconductor substrate. The charge transfer channel is formed by overlap of the possible electrostatic effect of the gates with the conduction layer. A clock generator has a clock frequency of more than 100 MHz which applies changes in potential at the clock frequency to the gates, for transporting charge carriers at the clock frequency from adjacent regions of the overlap between adjacent gates and the conduction layer. The charge transfer channel in the region of one gate has a region of a constriction in which the cross-section in the flow direction decreases, and is arranged at least in the region of the gate upstream of the region of the protuberance or in the regions of the gate upstream of the protuberance and the adjoining gate of the protuberance.

    CHARGE TRANSFER DEVICE HAVING A TAPER AT THE GATE FOR CLOCK FREQUENCIES FROM 100 MHz
    30.
    发明公开
    CHARGE TRANSFER DEVICE HAVING A TAPER AT THE GATE FOR CLOCK FREQUENCIES FROM 100 MHz 审中-公开

    公开(公告)号：US20240339528A1

    公开(公告)日：2024-10-10

    申请号：US18293650

    申请日：2022-07-29

    Applicant: ESPROS Photonics AG

    Inventor： Beat DE COI ,  Chongqi YU

    IPC: H01L29/768

    CPC classification number: H01L29/7685 ,  H01L29/76808

    Abstract: A charge transfer device having a charge transfer channel in a semiconductor substrate. A doped conduction layer is provided for movably accepting the charge carriers, and a sequence of at least two electrically isolated gates which adjacently succeed one another for transferring the charge carriers in the conduction layer in a flow direction is provided. The charge transfer channel is formed by overlap of the possible electrostatic effect of the gates with the conduction layer. A clock generator has a clock frequency of more than 100 MHz which applies changes in potential at the clock frequency to the gates, for transporting charge carriers at the clock frequency from adjacent regions of the overlap between adjacent gates and the conduction layer. The charge transfer channel in the region of one gate has a region of a constriction in which the cross-section in the flow direction decreases, and has a region with a constant or widened cross-section.

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