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    半導體封裝件之製造方法
    27.
    发明专利
    半導體封裝件之製造方法 审中-公开
    半导体封装件之制造方法

    公开(公告)号：TW201810454A

    公开(公告)日：2018-03-16

    申请号：TW106119829

    申请日：2017-06-14

    Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

    Inventor： 荒木誠太 ,  ARAKI, SEITA ,  北野一彥 ,  KITANO, KAZUHIKO

    IPC: H01L21/56 ,  H01L21/78

    CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/03 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20

    Abstract: 在此提供一種具備高良率之半導體封裝件之製造方法。關於本發明之一實施型態之半導體封裝件之製造方法包含以下步驟。準備至少一半導體裝置，半導體裝置具備外部端子，於基材上以前述外部端子非朝向前述基材之方式配置半導體裝置。於設置有前述至少一半導體裝置之基材上以圍繞前述半導體裝置之周圍之方式形成框體。形成樹脂絕緣層，樹脂絕緣層於前述框體之內側含有樹脂絕緣材料，以密封前述半導體裝置。

    Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种具备高良率之半导体封装件之制造方法。关于本发明之一实施型态之半导体封装件之制造方法包含以下步骤。准备至少一半导体设备，半导体设备具备外部端子，于基材上以前述外部端子非朝向前述基材之方式配置半导体设备。于设置有前述至少一半导体设备之基材上以围绕前述半导体设备之周围之方式形成框体。形成树脂绝缘层，树脂绝缘层于前述框体之内侧含有树脂绝缘材料，以密封前述半导体设备。

    半導體製造裝置及製造方法
    28.
    发明专利
    半導體製造裝置及製造方法 审中-公开
    半导体制造设备及制造方法

    公开(公告)号：TW201806056A

    公开(公告)日：2018-02-16

    申请号：TW106116686

    申请日：2017-05-19

    Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

    Inventor： 甲斐稔 ,  KAI, MINORU

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L23/14 ,  H01L23/498

    CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/681 ,  H01L21/6838 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/05 ,  H01L24/75

    Abstract: 在此提供一種半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法，能夠維持半導體晶片對於被搭載體之被接合面之搭載精確度，且能夠縮短晶粒附著所耗費的時間。半導體製造裝置包含工作台、吸附控制部、擷取部及控制部。工作台接續於真空產生器，且用以吸附具有多個半導體晶片之半導體晶圓。吸附控制部接續於工作台及真空產生器，且用以控制工作台與真空產生器間之接續情形。擷取部用以分別擷取各個半導體晶片。控制部用以控制擷取部之移動及旋轉，且用以控制吸附控制部。控制部用以控制擷取部將半導體晶片自工作台移動至且接合於支撐基板上之裝設位置。

    Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种半导体制造设备及半导体设备之制造方法，能够维持半导体芯片对于被搭载体之被接合面之搭载精确度，且能够缩短晶粒附着所耗费的时间。半导体制造设备包含工作台、吸附控制部、截取部及控制部。工作台接续于真空产生器，且用以吸附具有多个半导体芯片之半导体晶圆。吸附控制部接续于工作台及真空产生器，且用以控制工作台与真空产生器间之接续情形。截取部用以分别截取各个半导体芯片。控制部用以控制截取部之移动及旋转，且用以控制吸附控制部。控制部用以控制截取部将半导体芯片自工作台移动至且接合于支撑基板上之装设位置。

    半導體裝置
    29.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201633485A

    公开(公告)日：2016-09-16

    申请号：TW104141901

    申请日：2015-12-14

    Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

    Inventor： 池元義彦 ,  IKEMOTO, YOSHIHIKO ,  澤地茂典 ,  SAWACHI, SHIGENORI ,  谷口文彦 ,  TANIGUCHI, FUMIHIKO ,  勝又章夫 ,  KATSUMATA, AKIO

    IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

    CPC classification number: H01L23/3142 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267

    Abstract: 本發明提供一種即使使用金屬平板作為支持體也能減少金屬平板中的渦電流之產生及提高其中的RF電路的Q值之半導體裝置。本發明之半導體裝置包括：金屬平板1；第一絕緣材料層4a，其係形成於該金屬平板1的一個主面上；半導體晶片2，其係以元件電路面朝上的方式透過黏著層3安裝在該第一絕緣材料層4a的表面上；第二絕緣材料層4b，其係密封該半導體晶片2及其周邊；配線層5，其係設在該第二絕緣材料層4b中且部分延伸到該半導體晶片2的周邊區域；導通部6，其係設在該第二絕緣材料層4b中且將該半導體晶片2的元件電路面上的電極22與該配線層5連接起來；以及外部電極7，其係形成於該配線層5上。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种即使使用金属平板作为支持体也能减少金属平板中的涡电流之产生及提高其中的RF电路的Q值之半导体设备。本发明之半导体设备包括：金属平板1；第一绝缘材料层4a，其系形成于该金属平板1的一个主面上；半导体芯片2，其系以组件电路面朝上的方式透过黏着层3安装在该第一绝缘材料层4a的表面上；第二绝缘材料层4b，其系密封该半导体芯片2及其周边；配线层5，其系设在该第二绝缘材料层4b中且部分延伸到该半导体芯片2的周边区域；导通部6，其系设在该第二绝缘材料层4b中且将该半导体芯片2的组件电路面上的电极22与该配线层5连接起来；以及外部电极7，其系形成于该配线层5上。

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