Ignition device for a passive retention system
    22.
    发明授权
    Ignition device for a passive retention system 失效
    用于被动保持系统的点火装置

    公开(公告)号:US4170939A

    公开(公告)日:1979-10-16

    申请号:US817030

    申请日:1977-07-19

    CPC classification number: B60N3/14 F23Q7/00 F42B3/182

    Abstract: An ignition device for a passive retention system, especially in motor vehicles, in which an ignition unit arranged in a housing includes two plug pins which freely project on one side with their free end out of a casing and which are intended for slidingly receiving thereon a plug coupling, while the two plug pins are connected at the other end with an incandescent bridge and are surrounded by an ignition or primer mixture disposed inside of a casing; protective contact means are provided which protect the plug pins against electrostatic charges by short-circuiting the same prior to the emplacement of the plug coupling on the plug pins; the protective contact means consist of an essentially U-shaped elastic clamp which electrically conductively connects with each other the plug pins, when the plug coupling is not inserted, and which is automatically opened, when the plug coupling is inserted, in such a manner that the clamp interrupts the contact between the plug pins only when the regular ignition circuit has already been established.

    Abstract translation: 一种用于被动保持系统的点火装置,特别是在机动车辆中,其中布置在壳体中的点火单元包括两个插头销,两个插头销在一侧自由地突出,其自由端从壳体中自由伸出并用于在其上滑动接收 插头联接,而两个插头销在另一端与白炽桥连接,并被设置在壳体内部的点火或底漆混合物包围; 提供了保护接触装置,其在将插塞连接件插入插头销之前,通过使插塞销短路来保护插头销免受静电电荷的影响; 保护接触装置包括基本上U形的弹性夹具,当插头联接器未被插入时,插头销彼此导电连接,并且当插头联接件被插入时自动打开,弹性夹具以这样的方式 仅当正常点火电路已经建立时,夹具才会中断插头引脚之间的接触。

    REGELVERFAHREN FÜR EIN EINSPRITZVENTIL UND EINSPRITZSYSTEM
    24.
    发明申请
    REGELVERFAHREN FÜR EIN EINSPRITZVENTIL UND EINSPRITZSYSTEM 审中-公开
    规则程序进样阀和注射

    公开(公告)号:WO2012152552A2

    公开(公告)日:2012-11-15

    申请号:PCT/EP2012/057056

    申请日:2012-04-18

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Regelverfahren für ein Einspritzventil zum Einspritzen von Kraftstoff in eine Brennkraftmaschine, wobei in wiederkehrenden Einspritzzyklen und in Abhängigkeit von einer Soll-Hubhöhe eines Verschlusselementes des Einspritzventils jeweils mindestens ein Steuersignal zum Ansteuern eines Antriebs des Einspritzventils erzeugt wird, wobei der Antrieb durch das Steuersignal zum Anheben des Verschlusselements auf die Soll-Hubhöhe angesteuert wird und das Verschlusselement mittels des Antriebs auf eine Ist-Hubhöhe angehoben wird, wobei mindestens eine mit der Ist-Hubhöhe korrelierte Messgrösse erfasst wird und die Ist-Hubhöhe in Abhängigkeit von dieser mindestens einen Messgrösse bestimmt wird, wobei das Steuersignal in mindestens einem der nachfolgenden Einspritzzyklen in Abhängigkeit von einer Abweichung der Ist-Hubhöhe von der Soll-Hubhöhe erzeugt wird. Die Erfindung betrifft ausserdem ein entsprechendes Einspritzsystem.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于喷射阀的控制方法,用于通过将燃料喷射到内燃发动机,其中,用于控制所述喷射阀的驱动器的至少一个控制信号在重复注射周期中产生的,并且依赖于喷射阀的在每种情况下的封闭元件的所希望的提升高度,所述驱动 控制信号被驱动以提升闭合构件向期望的提升高度和由驱动到实际行程高度的装置的封闭元件上升时,至少一个与实际提升高度检测测量的变量与实际提升高度,因为这至少一个测量的变量的函数相关 其中所述控制信号在随后的注射循环中的至少一个产生响应于所希望的提升高度的实际升程的偏差被确定。 本发明还涉及一种相应的喷射系统。

    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR VOLLHYDRIERUNG EINES KOHLENWASSERSTOFFSTROMES
    28.
    发明申请
    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR VOLLHYDRIERUNG EINES KOHLENWASSERSTOFFSTROMES 审中-公开
    方法和设备的完整加氢烃流

    公开(公告)号:WO2006053733A1

    公开(公告)日:2006-05-26

    申请号:PCT/EP2005/012284

    申请日:2005-11-16

    Abstract: Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Hydrierung von Stoffströmen in Anlagen zur Produktion von Alkenen durch katalytische Dehydrierung von leichten Alkanen sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens. Der gesamte Kohlenwasserstoffstrom zum Dehydrierreaktor, bestehend aus frischem und recycliertem Alkan, wird noch vor dem Dehydrierreaktor einer vollständigen Hydrierung aller in ihm enthaltener ungesättigter Kohlenwasserstoffe unterzogen. Dadurch wird die Koksbildung im Dehydrierreaktor drastisch vermindert. Der Energieaufwand für die Vorwärmung des Eduktstromes auf Reaktionstemperatur wird reduziert, da die bei der exothermen Hydrierung freigesetzte Energie nahezu vollständig im Kohlenwasserstoffstrom verbleibt.

    Abstract translation: 本发明是用于材料流在植物中的氢化通过的轻质烷烃催化脱氢生产烯烃的,以及用于执行该方法的装置的处理。 整个烃流的脱氢反应器,其由新鲜和再生烷烃被包含在它的不饱和烃所有的完全氢化之前经受脱氢反应器中。 这种焦炭形成在脱氢反应器中显着降低。 对于进料流至反应温度的预热能量消耗被降低,由于在放热氢化能量释放的几乎完全保留在烃流。

    LED-LEUCHTE
    29.
    发明申请
    LED-LEUCHTE 审中-公开
    LED灯

    公开(公告)号:WO2012004172A1

    公开(公告)日:2012-01-12

    申请号:PCT/EP2011/060933

    申请日:2011-06-29

    Inventor: PETER, Matthias

    Abstract: Offenbart ist eine Leuchte mit einem Lampengehäuse mit einer Aufnahme, die zur Aufnahme bzw. zum Einsetzten einer Fassung, insbesondere einer G9-Fassung nach dem IEC60432-Standard, einer Hochvolt-Halogen-Stiftsockellampe geeignet ist. Dabei ist erfindungsgemäß alternativ in der Aufnahme eine Wärmesenke aufgenommen bzw. eingesetzt, an der eine LED befestigt ist.

    Abstract translation: 本发明公开了包括具有插座根据IEC60432标准,一个高电压卤素管脚灯泡,其适合用于接收或用于插座的插入,特别是G9-插座的灯外壳的灯。 它是根据在所述容器和所使用的散热片在其上安装LED可选地接收本发明。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
    30.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号:WO2010045907A1

    公开(公告)日:2010-04-29

    申请号:PCT/DE2009/001322

    申请日:2009-09-16

    CPC classification number: H01L33/40 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierenden Halbleiterschichtenfolge (3), die einen n-dotierten Bereich (4), einen p-dotierten Bereich (8) und eine zwischen dem n-dotierten Bereich (4) und dem p-dotierten Bereich (8) angeordnete aktive Zone (5) enthält, angegeben. Der p-dotierte Bereich (8) umfasst eine p-Kontaktschicht (7) aus In x Al y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1. Die p-Kontaktschicht (7) grenzt an eine Anschlussschicht (9) aus einem Metall, einer Metalllegierung oder einem transparenten leitfähigen Oxid an, wobei die p-Kontaktschicht (7) an einer Grenzfläche zur Anschlussschicht (9) erste Domänen (1) mit einer Ga-face-Ausrichtung und zweite Domänen (2) mit einer N-face-Ausrichtung aufweist.

    Abstract translation: 它与光电子半导体器件的基于氮化物化合物半导体层序列(3),其包括n型掺杂区域(4),p掺杂区(8)和n掺杂区域(4)之间和p掺杂 包含布置区域(5)(8)所示的活性区域。 p掺杂区(8)包含(7)制成InxAlyGa1-x-yN构成的p接触层,其中0 = X = 1,0 = Y = 1且x + y = 1,p型接触层(7)相邻的 连接层(9),在界面处由金属,金属合金或,p接触层(7)上的透明导电氧化物与连接层(9)第一结构域(1)(用Ga面取向区域和第二区域 2)用N面取向。

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