Abstract:
A method for producing at least one product stream containing hydrogen from a feedstock containing glycerol and a device for performing the method is disclosed. By separation of unwanted substances and pyrolysis of glycerol, an intermediate product is obtained from the feedstock containing glycerol and is then converted into a crude synthesis gas containing hydrogen and carbon monoxide by steam reforming in an externally heated steam reforming reactor.
Abstract:
An ignition device for a passive retention system, especially in motor vehicles, in which an ignition unit arranged in a housing includes two plug pins which freely project on one side with their free end out of a casing and which are intended for slidingly receiving thereon a plug coupling, while the two plug pins are connected at the other end with an incandescent bridge and are surrounded by an ignition or primer mixture disposed inside of a casing; protective contact means are provided which protect the plug pins against electrostatic charges by short-circuiting the same prior to the emplacement of the plug coupling on the plug pins; the protective contact means consist of an essentially U-shaped elastic clamp which electrically conductively connects with each other the plug pins, when the plug coupling is not inserted, and which is automatically opened, when the plug coupling is inserted, in such a manner that the clamp interrupts the contact between the plug pins only when the regular ignition circuit has already been established.
Abstract:
An ignition device for a passive retention system, especially in motor vehicles, in which an ignition unit fitted into a housing includes two plug pins which protrude on one side with their free ends out of a covering and which, on the other side, are connected with a heater bridge and are surrounded by an ignition substance within a casing.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Regelverfahren für ein Einspritzventil zum Einspritzen von Kraftstoff in eine Brennkraftmaschine, wobei in wiederkehrenden Einspritzzyklen und in Abhängigkeit von einer Soll-Hubhöhe eines Verschlusselementes des Einspritzventils jeweils mindestens ein Steuersignal zum Ansteuern eines Antriebs des Einspritzventils erzeugt wird, wobei der Antrieb durch das Steuersignal zum Anheben des Verschlusselements auf die Soll-Hubhöhe angesteuert wird und das Verschlusselement mittels des Antriebs auf eine Ist-Hubhöhe angehoben wird, wobei mindestens eine mit der Ist-Hubhöhe korrelierte Messgrösse erfasst wird und die Ist-Hubhöhe in Abhängigkeit von dieser mindestens einen Messgrösse bestimmt wird, wobei das Steuersignal in mindestens einem der nachfolgenden Einspritzzyklen in Abhängigkeit von einer Abweichung der Ist-Hubhöhe von der Soll-Hubhöhe erzeugt wird. Die Erfindung betrifft ausserdem ein entsprechendes Einspritzsystem.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ermitteln einer Position eines Verschlusselements (4) eines Einspritzventils (3) für eine Brennkraftmaschine, bei dem zum Verschliessen des Einspritzventils das Verschlusselement in eine Schliessbewegung in Richtung einer Verschlussposition versetzt wird und anschliessend ein Schliesszeitpunkt gemessen wird, in dem das Verschlusselement in der Verschlussposition eintrifft, wobei eine Zeitdifferenz zwischen dem Schliesszeitpunkt und einem vorangegangenen StartZeitpunkt der Schliessbewegung bestimmt wird und unter Verwendung der Zeitdifferenz eine Position ermittelt wird, die das Verschlusselement im Startzeitpunkt der Schliessbewegung eingenommen hat. Die Erfindung betrifft ausserdem ein Einspritzsystem (1), das zur Durchführung eines derartigen Verfahrens eingerichtet ist.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (100) umfasst dieser eine auf GaN, InGaN, AlGaN und/oder InAlGaN basierende Halbleiterschichtenfolge (1). Die Halbleiterschichtenfolge (1) beinhaltet eine p-dotierte Schichtenfolge (2), eine n-dotierte Schichtenfolge (4) und eine aktive Zone (3), die sich zwischen der p-dotierten (2) und der n-dotierten Schichtenfolge (4) befindet. Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) zumindest eine auf Al x Ga 1-x N basierende Zwischenschicht (5), wobei 0
Abstract:
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Vorwärmung des Einsatzstoffstromes in Anlagen zur katalytischen Dehydrierung von Alkanen sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens. Um Konversion und Selektivität der Dehydrierung zu erhöhen, wird vorgeschlagen, die Vorwärmung des Einsatzstoffstromes in zwei Schritten durchzuführen, wobei im ersten Schritt in einer externen Konvektionszone (1) auf Temperaturen weit unterhalb der Reaktionstemperatur aufgewärmt wird, während die endgültige Aufheizung innerhalb des zu diesem Zweck verlängerten Reaktionsraumes erfolgt.
Abstract:
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Hydrierung von Stoffströmen in Anlagen zur Produktion von Alkenen durch katalytische Dehydrierung von leichten Alkanen sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens. Der gesamte Kohlenwasserstoffstrom zum Dehydrierreaktor, bestehend aus frischem und recycliertem Alkan, wird noch vor dem Dehydrierreaktor einer vollständigen Hydrierung aller in ihm enthaltener ungesättigter Kohlenwasserstoffe unterzogen. Dadurch wird die Koksbildung im Dehydrierreaktor drastisch vermindert. Der Energieaufwand für die Vorwärmung des Eduktstromes auf Reaktionstemperatur wird reduziert, da die bei der exothermen Hydrierung freigesetzte Energie nahezu vollständig im Kohlenwasserstoffstrom verbleibt.
Abstract:
Offenbart ist eine Leuchte mit einem Lampengehäuse mit einer Aufnahme, die zur Aufnahme bzw. zum Einsetzten einer Fassung, insbesondere einer G9-Fassung nach dem IEC60432-Standard, einer Hochvolt-Halogen-Stiftsockellampe geeignet ist. Dabei ist erfindungsgemäß alternativ in der Aufnahme eine Wärmesenke aufgenommen bzw. eingesetzt, an der eine LED befestigt ist.
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierenden Halbleiterschichtenfolge (3), die einen n-dotierten Bereich (4), einen p-dotierten Bereich (8) und eine zwischen dem n-dotierten Bereich (4) und dem p-dotierten Bereich (8) angeordnete aktive Zone (5) enthält, angegeben. Der p-dotierte Bereich (8) umfasst eine p-Kontaktschicht (7) aus In x Al y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1. Die p-Kontaktschicht (7) grenzt an eine Anschlussschicht (9) aus einem Metall, einer Metalllegierung oder einem transparenten leitfähigen Oxid an, wobei die p-Kontaktschicht (7) an einer Grenzfläche zur Anschlussschicht (9) erste Domänen (1) mit einer Ga-face-Ausrichtung und zweite Domänen (2) mit einer N-face-Ausrichtung aufweist.
Abstract translation:它与光电子半导体器件的基于氮化物化合物半导体层序列(3),其包括n型掺杂区域(4),p掺杂区(8)和n掺杂区域(4)之间和p掺杂 包含布置区域(5)(8)所示的活性区域。 p掺杂区(8)包含(7)制成InxAlyGa1-x-yN构成的p接触层,其中0 = X = 1,0 = Y = 1且x + y = 1,p型接触层(7)相邻的 连接层(9),在界面处由金属,金属合金或,p接触层(7)上的透明导电氧化物与连接层(9)第一结构域(1)(用Ga面取向区域和第二区域 2)用N面取向。