Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Mikrosystems, mit den Schritten: Bereitstellen eines Substrats (2) aus Aluminiumoxid; Herstellen einer Dünnschicht (6) auf dem Substrat (2) durch Abscheiden von Bleizirkonattitanat auf das Substrat (2) mit einem thermischen Abscheideverfahren derart, dass das Bleizirkonattitanat in der Dünnschicht (6) selbstpolarisiert ist und vorwiegend in der rhomboedrischen Phase vorliegt; Abkühlen des Substrats (2) mit der Dünnschicht (6).
Abstract:
Ein Infrarotlichtdetektor weist ein erstes Substrat (2), das einen Sensorchip (8) mit einer Bestrahlungsfläche (9) aufweist, die mit Infrarotlicht bestrahlbar ist, das von dem Sensorchip in ein elektrisches Signal umwandelbar ist, und ein zweites Substrat (3) auf, das ein Fenster (10) aufweist, das unmittelbar benachbart zu der Bestrahlungsfläche angeordnet ist und eingerichtet ist, Infrarotlicht von einer vorbestimmten Wellenlänge auszublenden, wobei die Abmaße des Fensters und dessen Abstand (12) zur Bestrahlungsfläche derart dimensioniert sind, dass das von dem Fenster durchgelassene Infrarotlicht vollständig auf den Sensorchip trifft.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung, aufweisend ein Substrat, ein auf dem Substrat angebrachtes und ein elektrisch leitendes Material aufweisendes Schutzgehäuse mit einer dem Substrat abgewandten Oberseite, in der eine Öffnung vorgesehen ist, und einen auf dem Substrat innerhalb des Schutzgehäuses angebrachten Stapel mit mindestens einem Detektorträger mit mindestens einem thermischen Detektorelement zur Umwandlung der Wärmestrahlung in ein elektrisches Signal, mindestens einem Schaltungsträger mit mindestens einer Ausleseschaltung zum Auslesen des elektrischen Signals, und mindestens einer Abdeckung zum Abdecken des Detektorelements, wobei der Detektorträger zwischen dem Schaltungsträger und der Abdeckung angeordnet ist, der Detektorträger und die Abdeckung derart aneinander angeordnet sind, dass zwischen dem Detektorelement des Detektorträgers und der Abdeckung mindestens ein, vom Detektorträger und von der Abdeckung begrenzter, erster Stapelhohlraum des Stapels vorhanden ist, der Schaltungsträger und der Detektorträger derart aneinander angeordnet sind, dass zwischen dem Detektorträger und dem Schaltungsträger mindestens ein, vom Schaltungsträger und vom Detektorträger begrenzter, zweiter Stapelhohlraum des Stapels vorhanden ist und der erste Stapelhohlraum und/oder der zweite Stapelhohlraum evakuiert oder evakuierbar sind, und wobei der Stapel eine dem Substrat angewandte Stapeloberseite aufweist, mit der der Stapel mit der Öffnung in Eingriff steht, so dass die Stapeloberseite von außerhalb des Schutzgehäuses zugänglich ist. Verwendung findet die Vorrichtung in Bewegungsmeldern, Präsenzmeldern und Wärmebildkameras.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1) zur Detektion von Wärmestrahlung, mit einer Membran (101) und mindestens zwei Detektorelementen (11), die jeweils zum Umwandeln von Wärmestrahlung in ein elektrisches Signal eingerichtet und auf der Membran nebeneinander liegend angebracht sind, wobei auf der den Detektorelementen zugewandten Seite der Membran und/oder auf der den Detektorelementen abgewandten Seite der Membran mindestens eine Wärmeableitbahn (104) vorgesehen ist, die eine höhere Wärmeleitfähigkeit als die Membran hat und mit den Detektorelementen via die Membran wärmeleitend verbunden ist, so dass Wärme von den Detektorelementen mit der Wärmeableitbahn abführbar ist, wodurch die Ansprechzeit der Detektorelemente hoch ist, und wobei in der Membran integriert mindestens eine Wärmebarriere (105) vorgesehen ist, die eine niedrigere Wärmeleitfähigkeit als die Membran hat und zwischen den Detektorelementen sich erstreckt, so dass von der Wärmebarriere eine Wärmeleitung in der Membran von dem einen Detektorelement zu dem anderen Detektorelement behindert ist, wodurch das Übersprechen der Detektorelemente gering ist.
Abstract:
The invention relates to a microsystem (1) comprising a substrate (12), a bottom electrode (3) arranged on the substrate (12), a ferroelectric layer (4) arranged on the bottom electrode (3), a top electrode (5) arranged on the ferroelectric layer (4) and an isolation layer (6) that is electrically isolating, that is arranged on the top electrode (5), that extends from the top electrode (5) to the substrate (12) so that the isolation layer (6) covers the bottom electrode (3), the ferroelectric layer (4) and the substrate (12) in a region around the complete circumference of the bottom electrode (3), and the isolation layer (6) has the shape of a ring that confines in its centre a through hole (11) that is arranged in the region of the top electrode (5).
Abstract:
A skin measuring device for spectroscopic measurement of the skin of a body part is provided. The skin measuring device has a press-on frame with a window and a flat face. The skin measuring device has an ATR infrared spectrometer which includes an ATR crystal that is secured to the press-on frame and that has a sample stage which is arranged in the window and faces in the same direction as the flat face of the press-on frame. An encircling means surrounds the body part and thereby supports the skin measuring device on the body part. The surface of the flat face of the press-on frame is pressed against the skin of the body pan by the encircling means in a comfortably wearable manner when the skin measuring device is worn such that the sample stage is in contact with the skin for spectroscopic measurement by the ATR spectrometer.
Abstract:
An ATR infrared spectrometer for analyzing a chemical composition of a sample is provided including an elongated ATR crystal and having an entrance face, a longitudinal axis, a width, first and second longitudinal ends and an infrared light detector line with infrared-light-detecting regions. A first overall extent of all of the infrared-light-detecting regions corresponds to the width of ATR crystal. An infrared light emitter line has infrared-light-emitting regions and is arranged directly adjacent to the entrance face of the elongated ATR crystal. A sample is arranged adjacent to the ATR crystal between the infrared light emitter line and the infrared light detector line. Infrared light is emitted by the infrared light emitter line to directly enter said ATR crystal via said entrance face. The light is guided in the ATR crystal to said infrared light detector line thereby undergoing total internal reflection and thereby interacting with said sample.
Abstract:
A method for producing a micro system, said method comprising: providing a substrate (2) made of aluminum oxide; producing a thin film (6) on the substrate (2) by depositing lead zirconate titanate onto the substrate (2) with a thermal deposition method such that the lead zirconate titanate in the thin film (6) is self-polarized and is present predominantly in the rhombohedral phase; and cooling down the substrate (2) together with the thin film (6).
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The invention relates to a microsystem (1) comprising a substrate (12), a bottom electrode (3) arranged on the substrate (12), a ferroelectric layer (4) arranged on the bottom electrode (3), a top electrode (5) arranged on the ferroelectric layer (4) and an isolation layer (6) that is electrically isolating, that is arranged on the top electrode (5), that extends from the top electrode (5) to the substrate (12) so that the isolation layer (6) covers the bottom electrode (3), the ferroelectric layer (4) and the substrate (12) in a region around the complete circumference of the bottom electrode (3), and the isolation layer (6) has the shape of a ring that confines in its centre a through hole (11) that is arranged in the region of the top electrode (5).
Abstract:
Ein Verfahren zum Herstellen des Dünnfilms aus Blei-Zirkonat- Titanat in 111-orientierter Perovskit-Struktur weist die Schritte auf: Bereitstellen eines Substrats mit einer Substrattemperatur von über 450°C und eines Blei-Targets, eines Zirkon-Targets und eines Titan-Targets; Aufbringen des Dünnfilms durch Sputtern von Blei, Zirkon und Titan von den jeweiligen Targets auf das Substrat, wobei die gesamte Abscheiderate von Blei, Zirkon und Titan größer als 10 nm/min ist, die Abscheiderate von Zirkon derart gewählt wird, dass die atomare Konzentration von Zirkon bezogen auf die atomare Konzentration von Zirkon zusammen mit Titan im Dünnfilm zwischen 0,2 und 0,3 liegt, und die Abscheiderate von Blei in Abhängigkeit der Substrattemperatur und der gesamten Abscheiderate von Blei, Zirkon und Titan so niedrig gewählt wird, dass ein Röntgendiffraktometerdiagramm des 111- orientierten Blei-Zirkonat-Titanats im Bereich des Beugungswinkels von 33 bis 35,5° einen signifikanten Spitzenwert (19) hat; und Fertigstelle des Dünnfilms.