ELEKTROAKUSTISCHES BAUELEMENT
    21.
    发明申请
    ELEKTROAKUSTISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    声电器COMPONENT

    公开(公告)号:WO2007059733A1

    公开(公告)日:2007-05-31

    申请号:PCT/DE2006/002005

    申请日:2006-11-15

    CPC classification number: H03H9/0222

    Abstract: Es wird ein elektroakustisches Bauelement mit einem zur Führung von GBAW geeigneten Schichtsystem (3), einem Trägersubstrat (2) und einem Piezosubstrat (1) angegeben. Das Schichtsystem (3) ist zwischen den beiden Substraten (2, 1) angeordnet. Die Dicke des Piezosubstrats (1) beträgt in einer ersten bevorzugten Ausführungsform maximal die Hälfte der Dicke des Trägersubstrats (2). Gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform weist das Piezosubstrat (1) eine monokristalline Struktur auf und ist dabei maximal 50 dick, wobei die Wellenlänge der GBAW bei der Mittenfrequenz des angegebenen Bauelements ist. Gemäß einer dritten bevorzugten Ausführungsform ist das Piezosubstrat (1) in einem mechanischen Verfahren abgedünnt.

    Abstract translation: 它与合适的指定用于引导GBAW层系统(3),载体衬底(2)和一个压电基片(1)的电声装置。 在两个衬底之间的层系统(3)(2,1)。 在压电基片(1)的厚度是在第一优选实施例在载体衬底的一半以上的厚度(2)。 根据本发明的第二优选实施例中,压电基片(1),单晶结构,并且最大为50厚时,GBAW的在指定的组件的中心频率的波长为。 根据本发明的第三优选实施例中,在压电基片(1)通过机械方法变薄。

    OSCILLATOR
    22.
    发明申请
    OSCILLATOR 审中-公开
    OSC

    公开(公告)号:WO2005122390A3

    公开(公告)日:2006-12-14

    申请号:PCT/EP2005005055

    申请日:2005-05-10

    CPC classification number: H03B5/1864 H03B5/1841 H03B5/32 H03B5/366

    Abstract: The invention relates to an oscillator comprising a resonator element and a control element for setting the resonant frequency of the resonator element to different values, said resonator element consisting of at least one resonator. The control element can be implemented as a control layer for controlling the propagation velocity of the acoustic wave in the resonator. Alternatively, the control element can be configured as a switch element and can be used to commutate various sub-branches of a resonator element that is configured as a resonator stack or resonator bank. The oscillator is preferably equipped with a trimming element, which faciliates the fine tuning of the oscillator frequency.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有谐振元件和用于调节所述谐振器为不同的值,其中,在所述谐振器由至少一个谐振器的所述谐振频率的控制元件的振荡器。 控制元件可被实现为用于控制在谐振器的弹性波的传播速度的控制层。 该控制可以替代地被形成为开关元件,并用于的形成作为谐振器银行Resonatormagazin或谐振器的各种电路的子分支。 优选的装饰元件设置有振荡器频率的微调是可能的。

    MIT AKUSTISCHEN OBERFLÄCHENWELLEN ARBEITENDES BAUELEMENT MIT HOHER BANDBREITE
    23.
    发明申请
    MIT AKUSTISCHEN OBERFLÄCHENWELLEN ARBEITENDES BAUELEMENT MIT HOHER BANDBREITE 审中-公开
    与具有高带宽型声表面波工作相关的部分

    公开(公告)号:WO2006058579A1

    公开(公告)日:2006-06-08

    申请号:PCT/EP2005/011310

    申请日:2005-10-20

    CPC classification number: H03H9/14541 H03H9/02929

    Abstract: Die Erfindung betrifft den Schichtaufbau von Elektrodenstrukturen eines mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Bauelements. Die Elektrodenstrukturen sind dabei durch eine dielektrische Schicht (4) mit einer akustischen Impedanz Z a,d bedeckt. Der Schichtaufbau der Elektrodenstrukturen umfasst ein erstes Schichtsystem, das aus mindestens einer ersten Schicht (31, 32) aus einem ersten Material besteht, in dem die akustische Impedanz kleiner als 2Z a,d ist, sowie ein zweites Schichtsystem, das aus mindestens einer zweiten Schicht (21, 22, 23) aus einem zweiten Material besteht, in dem die akustische Impedanz den Wert 2Z a,d übersteigt. Der relative Anteil der Gesamtdicke des zweiten Schichtsystems bezogen auf die Gesamthöhe des Mehrschichtaufbaus beträgt zwischen 15% und 85%.

    Abstract translation: 本发明涉及一种工作表面声波器件的电极结构的层结构。 电极结构是由介电层(4),其具有的声阻抗Z A D 覆盖。 电极结构的层结构包括第一层系统,由至少一个第一层(31,32)的由第一材料,其中,所述声阻抗小于2Z A D 是,和第二层系统的 由第二材料制成的至少一个第二层(21,22,23),其中,所述声阻抗超过2Z A D 的值。 所述第二层系统的总厚度的相对于多层结构的总高度的相对比例为15%和85%之间。

    MIT AKUSTISCHEN WELLEN ARBEITENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    24.
    发明申请
    MIT AKUSTISCHEN WELLEN ARBEITENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    随着对声波工作相关的部分和方法

    公开(公告)号:WO2006040001A1

    公开(公告)日:2006-04-20

    申请号:PCT/EP2005/010387

    申请日:2005-09-26

    CPC classification number: H03H9/02228 Y10T29/42

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein mit geführten akustischen Volumen-wellen - GBAW - arbeitendes Bauelement mit einem Schichtsystem, das eine piezoelektrische Schicht (PS1) und eine auf dieser angeordnete erste Metallschicht (ME1) umfasst. Das Schichtsystem bildet einen Wellenleiter, in dem die geführte akustische Volumenwelle in lateraler Richtung geführt wird. Das Bauelement umfasst zwei akustisch miteinander gekoppelte und elektrisch voneinander entkoppelte Resonatoren. Der entsprechende Resonator weist eine in einer Metallschicht (ME1) ausgebildete Elektrode (A) mit in Wellenausbreitungsrichtung periodisch angeordneten Elektrodenstrukturen auf.

    Abstract translation: 本发明涉及一种引导声体积波 - GBAW - 具有层系统,其包括一个压电层(PS1)和布置在该第一金属层上的工作装置(ME1)包括。 所述层系统形成在其中被引导体声波在横向方向上被引导的波导。 该组件包括两个声学耦合到彼此和电解耦彼此谐振器。 相应的谐振器具有一个在金属层(ME1)形成的电极(A)与周期性地排列在电极结构的波传播方向。

    SAW-BAUELEMENT MIT VERBESSERTEM TEMPERATURGANG
    25.
    发明申请
    SAW-BAUELEMENT MIT VERBESSERTEM TEMPERATURGANG 审中-公开
    具有改进的温度变化SAW COMPONENT

    公开(公告)号:WO2004066493A1

    公开(公告)日:2004-08-05

    申请号:PCT/EP2003/014350

    申请日:2003-12-16

    CPC classification number: H03H9/02929 H03H9/02834 H03H9/14538

    Abstract: Für ein SAW-Bauelement, das auf einem piezoelektrischen Substrat (S) aufgebaut ist, wird zur Reduzierung der Verluste die Massenbelastung durch die Metallisierung (M) soweit erhöht, bis die Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwelle unterhalb der Ausbreitungsgeschwindigkeit der schnellen Scherwelle zu liegen kommt. Um dabei die Erhöhung des Temperaturgangs in Grenzen zu halten, wird eine Metallisierung mit deutlich höherer spezifischer Dichte als Al verwendet. Parallel dazu wird der Temperaturgang des Bauelements durch eine im Wesentlichen ganzflächig aufgebrachte Kompensationsschicht (K) reduziert, die aus einem Material ausgewählt ist, das eine Temperaturabhängigkeit der elastischen Koeffizienten aufweist, die derjenigen der Kombination Substrat-Metallisierung entgegenwirkt.

    Abstract translation: 为了使SAW器件,其被构造的压电基板(S)上,用于通过金属化减小质量负载的损失(M)增加,直到表面波的传播的速度到达位于所述快横波的传播速度的下方。 为了保持限度内的温度变化的增加,显著较高比重的金属化比被用于铝。 与此并行地,通过基本上整个表面上的部件的温度系数施加补偿层(K)减小时,其由具有弹性系数的温度依赖性的材料,其抵消该衬底金属化的组合中选择的。

    PROCESS AND CIRCUIT FOR DATA TRANSFER BETWEEN TWO STATIONS
    26.
    发明申请
    PROCESS AND CIRCUIT FOR DATA TRANSFER BETWEEN TWO STATIONS 审中-公开
    程序与对之间的两个站数据传输方法和电路SAND

    公开(公告)号:WO1994011754A1

    公开(公告)日:1994-05-26

    申请号:PCT/CH1993000252

    申请日:1993-11-03

    Inventor: SIEMENS-ALBIS AG

    CPC classification number: G01S13/755

    Abstract: The process is intended for data transfer between two interrogation and response stations (Q,R) usually having a high relative speed, in which at least the reply station (R) has a delay line with reflection points, preferably a surface wave component (OFW). The component (OFW) has a substrate suitable for conducting surface waves on which there are an interdigital transducer (IDW) and at least one reflector (RFT). Here, interrogation pulses are transmitted from the interrogation station (Q) to the response station (R). The modulation of these interrogation pulses in the interrogation station (Q) and the corresponding response pulses in the response station (R) result in the transfer between the interrogation and response stations (Q, R) not only of identification signals but also of variable data. The use of expansion and compression processes thereby permits data transmission with low transmission power and greater freedom from interference. It is particularly advantageous to equip the reflectors (RFT) with variable and/or connectable complex resistors. This makes it possible to control and optimise the reflection behaviour of the reflectors (RFT) as desired.

    MEMS BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    27.
    发明申请
    MEMS BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
    MEMS组件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2008155297A2

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:PCT/EP2008/057502

    申请日:2008-06-13

    CPC classification number: H03H9/02866 H03H9/14538

    Abstract: Zur Vermeidung störender Reflexionen und akustischer Volumenwellen wird bei einem MEMS-Bauelement, welches einen die Bauelementstruktur tragenden Chip umfasst, auf der den Bauelementstrukturen entgegengesetzten Rückseite des Chips eine Metallstruktur zur Streuung von akustischen Volumenwellen vorgesehen. Die Metallstrukturen umfassen ein akustisch an das Material des Chips angepasstes Metall.

    Abstract translation: 为了避免干扰反射和体声波,是在对置用于在MEMS装置,该装置包括一个芯片支撑构件结构散射体声波提供了一种金属结构中的芯片元件的结构的背面。 所述金属结构包括一个声学到芯片匹配金属的材料。

    MIT GEFÜHRTEN AKUSTISCHEN VOLUMENWELLEN ARBEITENDES BAUELEMENT
    28.
    发明申请
    MIT GEFÜHRTEN AKUSTISCHEN VOLUMENWELLEN ARBEITENDES BAUELEMENT 审中-公开
    带有OUT声体积波工作有关COMPONENT

    公开(公告)号:WO2008110576A1

    公开(公告)日:2008-09-18

    申请号:PCT/EP2008/052955

    申请日:2008-03-12

    CPC classification number: H03H9/0222 H03H9/02834 H03H9/14541

    Abstract: Es wird ein mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit mindestens einem Substrat (1) und einem mit diesem verbundenen, zur Wellenleitung geeigneten Schichtsystem (3) angegeben. Das Schichtsystem umfasst eine Metallisierungsschicht (33), eine erste dielektrische Schicht (31) und eine zweite dielektrische Schicht (32). Die Geschwindigkeit der akustischen Welle ist in der zweiten dielektrischen Schicht (32) größer als in der ersten dielektrischen Schicht (31). Mindestens eine der dielektrischen Schichten enthält TeO 2 .

    Abstract translation: 本发明提供与具有被引导体声波分量的操作至少一个衬底(1)和于此,适用于波导层系统(3)连接。 所述层系统包括金属化层(33),第一介电层(31)和一第二介质层(32)。 声波的速度是第二电介质层(32)是比所述第一电介质层(31)在更大英寸 至少在介电层中的一个包含的TeO 2

    MIT GEFÜHRTEN AKUSTISCHEN WELLEN ARBEITENDES BAUELEMENT
    29.
    发明申请
    MIT GEFÜHRTEN AKUSTISCHEN WELLEN ARBEITENDES BAUELEMENT 审中-公开
    被引导的声波工作相关的部分

    公开(公告)号:WO2007059741A1

    公开(公告)日:2007-05-31

    申请号:PCT/DE2006/002034

    申请日:2006-11-20

    CPC classification number: H03H9/0222 H03H3/02

    Abstract: Es wird ein mit geführten akustischen Wellen arbeitendes Bauelement angegeben, das ein zur Wellenleitung geeignetes Schichtsystem (9) umfasst. Das Schichtsystem (9) umfasst eine piezoelektrische Schicht (1), darauf angeordnete Elektroden (3) und eine dielektrische Schicht (2), die eine relativ niedrige akustische Impedanz Z a0 aufweist. Das Schichtsystem (9) umfasst zudem eine Einstellschicht (32, 51) mit einer relativ hohen akustischen Impedanz Z a2 mit Z a2 /Z a0 > 1,5, die in mindestens einem Abstandsbereich (55) von der piezoelektrischen Schicht (1) beabstandet ist.

    Abstract translation: 提供一种与引导声波,其中包括一个合适的波导层系统(9)的操作。 所述层系统(9)包括:(1),设置在其上的电极的压电体层(3)和一个介电层(2)中,A0 具有相对低的声阻抗Z 。 所述层系统(9)还包括具有相对高的声阻抗Z A2 到Z 的调节层(32,51)A2 / Z A0 > 1.5,这是在压电体层(1)中的至少一个间隔部分(55)间隔开。

    SAW-STRUKTUR MIT STUMMELFINGERN
    30.
    发明申请
    SAW-STRUKTUR MIT STUMMELFINGERN 审中-公开
    与残指声波装置

    公开(公告)号:WO2006136282A1

    公开(公告)日:2006-12-28

    申请号:PCT/EP2006/005375

    申请日:2006-06-06

    CPC classification number: H03H9/02881 H03H9/14517

    Abstract: Eine SAW-Strukturweist im seriellen Signalpfad zwischen Ein- und Ausgangstor eine seriellen Resonator () (Rs) mit Stummelf ingern (SF) auf, die eine Stummelfingerlänge vfom Vier- bis Achtfachen der periode p des Wandlers aufweisen. Die SAW-Struktur kann einen in einem abzweigendem parallelen Pfad angeordneten parellelen resonator (Rp) aufweisen, der Stummelfinger besitztt, deren Länge das Vier- bis Sechsfache der Periodep des Wandlers beträgt.

    Abstract translation: 的SAW结构具有在串联谐振器(的输入和输出端口之间的串联信号路径)(RS)与Stummelf ingern(SF),其中有一个短截线长度手指VFOM换能器的周期p四到八倍。 的SAW结构可以具有布置在平行路径abzweigendem并行数据谐振器(RP),存根手指besitztt,其长度是换能器的Periodep四到六倍。

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