Abstract:
Es wird ein elektroakustisches Bauelement mit einem zur Führung von GBAW geeigneten Schichtsystem (3), einem Trägersubstrat (2) und einem Piezosubstrat (1) angegeben. Das Schichtsystem (3) ist zwischen den beiden Substraten (2, 1) angeordnet. Die Dicke des Piezosubstrats (1) beträgt in einer ersten bevorzugten Ausführungsform maximal die Hälfte der Dicke des Trägersubstrats (2). Gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform weist das Piezosubstrat (1) eine monokristalline Struktur auf und ist dabei maximal 50 dick, wobei die Wellenlänge der GBAW bei der Mittenfrequenz des angegebenen Bauelements ist. Gemäß einer dritten bevorzugten Ausführungsform ist das Piezosubstrat (1) in einem mechanischen Verfahren abgedünnt.
Abstract:
The invention relates to an oscillator comprising a resonator element and a control element for setting the resonant frequency of the resonator element to different values, said resonator element consisting of at least one resonator. The control element can be implemented as a control layer for controlling the propagation velocity of the acoustic wave in the resonator. Alternatively, the control element can be configured as a switch element and can be used to commutate various sub-branches of a resonator element that is configured as a resonator stack or resonator bank. The oscillator is preferably equipped with a trimming element, which faciliates the fine tuning of the oscillator frequency.
Abstract:
Die Erfindung betrifft den Schichtaufbau von Elektrodenstrukturen eines mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Bauelements. Die Elektrodenstrukturen sind dabei durch eine dielektrische Schicht (4) mit einer akustischen Impedanz Z a,d bedeckt. Der Schichtaufbau der Elektrodenstrukturen umfasst ein erstes Schichtsystem, das aus mindestens einer ersten Schicht (31, 32) aus einem ersten Material besteht, in dem die akustische Impedanz kleiner als 2Z a,d ist, sowie ein zweites Schichtsystem, das aus mindestens einer zweiten Schicht (21, 22, 23) aus einem zweiten Material besteht, in dem die akustische Impedanz den Wert 2Z a,d übersteigt. Der relative Anteil der Gesamtdicke des zweiten Schichtsystems bezogen auf die Gesamthöhe des Mehrschichtaufbaus beträgt zwischen 15% und 85%.
Abstract translation:本发明涉及一种工作表面声波器件的电极结构的层结构。 电极结构是由介电层(4),其具有的声阻抗Z A D SUB>覆盖。 电极结构的层结构包括第一层系统,由至少一个第一层(31,32)的由第一材料,其中,所述声阻抗小于2Z A D SUB>是,和第二层系统的 由第二材料制成的至少一个第二层(21,22,23),其中,所述声阻抗超过2Z A D SUB>的值。 所述第二层系统的总厚度的相对于多层结构的总高度的相对比例为15%和85%之间。
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein mit geführten akustischen Volumen-wellen - GBAW - arbeitendes Bauelement mit einem Schichtsystem, das eine piezoelektrische Schicht (PS1) und eine auf dieser angeordnete erste Metallschicht (ME1) umfasst. Das Schichtsystem bildet einen Wellenleiter, in dem die geführte akustische Volumenwelle in lateraler Richtung geführt wird. Das Bauelement umfasst zwei akustisch miteinander gekoppelte und elektrisch voneinander entkoppelte Resonatoren. Der entsprechende Resonator weist eine in einer Metallschicht (ME1) ausgebildete Elektrode (A) mit in Wellenausbreitungsrichtung periodisch angeordneten Elektrodenstrukturen auf.
Abstract:
Für ein SAW-Bauelement, das auf einem piezoelektrischen Substrat (S) aufgebaut ist, wird zur Reduzierung der Verluste die Massenbelastung durch die Metallisierung (M) soweit erhöht, bis die Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwelle unterhalb der Ausbreitungsgeschwindigkeit der schnellen Scherwelle zu liegen kommt. Um dabei die Erhöhung des Temperaturgangs in Grenzen zu halten, wird eine Metallisierung mit deutlich höherer spezifischer Dichte als Al verwendet. Parallel dazu wird der Temperaturgang des Bauelements durch eine im Wesentlichen ganzflächig aufgebrachte Kompensationsschicht (K) reduziert, die aus einem Material ausgewählt ist, das eine Temperaturabhängigkeit der elastischen Koeffizienten aufweist, die derjenigen der Kombination Substrat-Metallisierung entgegenwirkt.
Abstract:
The process is intended for data transfer between two interrogation and response stations (Q,R) usually having a high relative speed, in which at least the reply station (R) has a delay line with reflection points, preferably a surface wave component (OFW). The component (OFW) has a substrate suitable for conducting surface waves on which there are an interdigital transducer (IDW) and at least one reflector (RFT). Here, interrogation pulses are transmitted from the interrogation station (Q) to the response station (R). The modulation of these interrogation pulses in the interrogation station (Q) and the corresponding response pulses in the response station (R) result in the transfer between the interrogation and response stations (Q, R) not only of identification signals but also of variable data. The use of expansion and compression processes thereby permits data transmission with low transmission power and greater freedom from interference. It is particularly advantageous to equip the reflectors (RFT) with variable and/or connectable complex resistors. This makes it possible to control and optimise the reflection behaviour of the reflectors (RFT) as desired.
Abstract:
Zur Vermeidung störender Reflexionen und akustischer Volumenwellen wird bei einem MEMS-Bauelement, welches einen die Bauelementstruktur tragenden Chip umfasst, auf der den Bauelementstrukturen entgegengesetzten Rückseite des Chips eine Metallstruktur zur Streuung von akustischen Volumenwellen vorgesehen. Die Metallstrukturen umfassen ein akustisch an das Material des Chips angepasstes Metall.
Abstract:
Es wird ein mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit mindestens einem Substrat (1) und einem mit diesem verbundenen, zur Wellenleitung geeigneten Schichtsystem (3) angegeben. Das Schichtsystem umfasst eine Metallisierungsschicht (33), eine erste dielektrische Schicht (31) und eine zweite dielektrische Schicht (32). Die Geschwindigkeit der akustischen Welle ist in der zweiten dielektrischen Schicht (32) größer als in der ersten dielektrischen Schicht (31). Mindestens eine der dielektrischen Schichten enthält TeO 2 .
Abstract:
Es wird ein mit geführten akustischen Wellen arbeitendes Bauelement angegeben, das ein zur Wellenleitung geeignetes Schichtsystem (9) umfasst. Das Schichtsystem (9) umfasst eine piezoelektrische Schicht (1), darauf angeordnete Elektroden (3) und eine dielektrische Schicht (2), die eine relativ niedrige akustische Impedanz Z a0 aufweist. Das Schichtsystem (9) umfasst zudem eine Einstellschicht (32, 51) mit einer relativ hohen akustischen Impedanz Z a2 mit Z a2 /Z a0 > 1,5, die in mindestens einem Abstandsbereich (55) von der piezoelektrischen Schicht (1) beabstandet ist.
Abstract translation:提供一种与引导声波,其中包括一个合适的波导层系统(9)的操作。 所述层系统(9)包括:(1),设置在其上的电极的压电体层(3)和一个介电层(2)中,A0 SUB>具有相对低的声阻抗Z 。 所述层系统(9)还包括具有相对高的声阻抗Z A2 SUB>到Z 的调节层(32,51)A2 SUB> / Z A0 SUB >> 1.5,这是在压电体层(1)中的至少一个间隔部分(55)间隔开。
Abstract:
Eine SAW-Strukturweist im seriellen Signalpfad zwischen Ein- und Ausgangstor eine seriellen Resonator () (Rs) mit Stummelf ingern (SF) auf, die eine Stummelfingerlänge vfom Vier- bis Achtfachen der periode p des Wandlers aufweisen. Die SAW-Struktur kann einen in einem abzweigendem parallelen Pfad angeordneten parellelen resonator (Rp) aufweisen, der Stummelfinger besitztt, deren Länge das Vier- bis Sechsfache der Periodep des Wandlers beträgt.