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公开(公告)号：JP2015070272A
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：JP2014195998
申请日：2014-09-26
Applicant: シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッド , SiliconFile Technologies Inc.
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/369 , H04N5/353 , H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14656 , H01L27/14621
Abstract: 【課題】本発明は、基板積層型イメージセンサにおいて、センシング動作による電荷を伝達するトランジスタの間のギャップによってノイズが発生するのを防止し、フォトダイオードのリセットトランジスタを省略可能にする。 【解決手段】本発明のピクセル回路は、光センシング動作による電荷を出力するフォトダイオードPDと、該フォトダイオードPDをリセットさせるリセットノードRSTにリセット用電圧を供給するリセット電源ノードVDD_RSTとを有する半導体チップ310Tを備え、該半導体チップ310Tは、他の半導体チップと積層された構造を有する。 【選択図】 図4
Abstract translation: 要解决的问题：为了防止在基板堆叠图像传感器中产生由转印通过感测操作产生的电荷的晶体管之间的间隙产生的噪声，并且省略了光电二极管的复位晶体管。解决方案：本发明的像素电路 本发明包括半导体芯片310T，包括：光电二极管PD，被配置为输出通过光感测操作产生的电荷; 以及复位电源节点VDD_RST，被配置为向休息节点RST提供复位电压以复位光电二极管PD。 半导体芯片310T具有半导体芯片堆叠在另一半导体芯片上的结构。
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公开(公告)号：JP2011504595A
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：JP2010534878
申请日：2008-11-10
Inventor： リ・ビョンス
IPC: G01N21/64 , C12M1/00 , G01N33/553 , G01N37/00 , G02B5/20
CPC classification number: H01L27/14625 , G01N21/6454 , G01N2021/6471 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 複数の光検出器が形成されたイメージセンサと、前記複数の光検出器の上部に形成された複数の帯域通過フィルタを有する帯域通過フィルタ部とを備え、前記複数の帯域通過フィルタは、金属層にナノ構造のパターンを形成することによって実現される蛍光バイオチップ診断装置を開示している。 本発明に係る蛍光バイオチップ診断装置は、バイオチップと光検出器との間の間隔が短いため、光の損失がほとんどなく、感度が優れている。 また、蛍光蛋白質の種類に応じて、照射光として用いられる短波長の光ビームを組み合わせることによって、信号の同時測定が可能であるため、診断装置の製造コストを低減でき、診断時間が短くなるという長所がある。
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公开(公告)号：JP2010534412A
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：JP2010518110
申请日：2008-07-15
Inventor： リ・ビョンス
IPC: H01L21/20 , C23C14/58 , C23C16/56 , C30B13/20 , C30B29/06 , C30B30/00 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02667 , H01L21/02422 , H01L21/02532
Abstract: 光電荷による誘導加熱を利用してガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような非晶質または多結晶基板の上に形成される結晶性半導体薄膜の製造方法に関して開示する。 この結晶性半導体薄膜の製造方法は、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような安価な非晶質または多結晶基板の上に低濃度半導体層を形成する工程と、光電荷を用いた誘導加熱で低濃度半導体層を結晶化する工程とを含む。 これにより、一般的な非晶質半導体薄膜や多結晶半導体薄膜より優秀な特性を有する低濃度の結晶性半導体薄膜を、簡単な工程と少ない費用で得ることができる。
【選択図】図２-
24.发明专利
公开(公告)号：JP2010531540A
公开(公告)日：2010-09-24
申请号：JP2010513090
申请日：2007-11-06
Inventor： リ・ドヨン
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H04N5/335 , H04N9/07
CPC classification number: H01L27/14603 , H04N9/045 , H04N2209/045 , H04N2209/047
Abstract: Provided is a pixel array having a wide dynamic range, good color reproduction, and good resolution and an image sensor using the pixel array. The pixel array includes a plurality of first type photodiodes, a plurality of second type photodiodes, and a plurality of image signal conversion circuits. A plurality of the second type photodiodes are disposed between the first type photodiodes which are two-dimensionally arrayed. A plurality of the image signal conversion circuits are disposed between the first type photodiodes and the second type photodiodes to process image signals detected by the first type photodiodes and the second type photodiodes. An area of the first type photodiodes is wider than an area of the second type photodiodes.
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公开(公告)号：JP2009529824A
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：JP2008558177
申请日：2007-02-07
CPC classification number: H04N5/335 , H04N13/0239
Abstract: 本発明は、単一の半導体基板上に同じ特性を持つ２つのＣＭＯＳイメージセンサが配置された３次元映像獲得用ＣＭＯＳステレオカメラに関し、(a)同じ半導体基板上に２つのＣＭＯＳイメージセンサが配置されることによって、各ＣＭＯＳイメージセンサが、同じ平面上に位置する像平面を有し、(b)各ＣＭＯＳイメージセンサ間に３次元映像の処理のためのＤＳＰ(Digital Signal Processor)が配置され、(c)各ＣＭＯＳイメージセンサの光軸が、互いに平行であり、像平面に垂直であり、(d)ＣＭＯＳイメージセンサ上に形成される光学素子が、同じ工程を経て製作できるので、各ＣＭＯＳイメージセンサ間の光軸の偏差などを最小化できる。 これにより３次元物体の距離と高さを簡単に計算でき、同じチップに設置されたＤＳＰによって高速の３次元映像処理が可能である。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2015088759A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2014222112
申请日：2014-10-31
Applicant: シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッド , SiliconFile Technologies Inc.
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/1469
Abstract: 【課題】 本発明は、背面光フォトダイオードを用いたイメージセンサを製造するために、2つのウエハを接合する時、工程を単純化し、ミスアラインに対するマージンを確保できるようにした技術を提供する。 【解決手段】 本発明は、3D CIS製造工程でイメージセンサを製造する時、第1ウエハおよび第2ウエハのいずれか1つのウエハのビアと他のウエハのボンディングパッドとを用いて2つのウエハを電気的に連結する。また、本発明は、3D CIS製造工程でイメージセンサを製造する時、2つのウエハのビアを用いて2つのウエハを電気的に連結する。 【選択図】 図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够简化工艺并且在接合两个晶片时确保未对准裕度的技术，以制造使用背面照明光电二极管的图像传感器。解决方案：当通过3D CIS制造工艺制造图像传感器时， 即第一晶片和第二晶片，使用两个晶片之一的通孔和另一个晶片的焊盘电连接。 此外，当通过3D CIS制造工艺制造图像传感器时，两个晶片通过两个晶片的通孔电连接。
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公开(公告)号：JP5043184B2
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：JP2010509267
申请日：2008-05-07
Inventor： リ・ビョンス
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/1105 , H01L27/0623 , H01L27/1463
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公开(公告)号：JP4884552B2
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：JP2010130592
申请日：2010-06-08
CPC classification number: G01S17/89 , G01J3/02 , G01J3/0208 , G01J3/027 , G01J3/0278 , G01J3/51 , G01J3/513 , G01S7/4816 , G01S7/491 , G01S17/87 , H04N5/2256 , H04N5/33 , H04N5/3696
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公开(公告)号：JP2010528468A
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：JP2010509267
申请日：2008-05-07
Inventor： リ・ビョンス
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/1105 , H01L27/0623 , H01L27/1463
Abstract: 本発明は、イメージセンサ用フォトトランジスタに関するものであり、埋込みコレクタを有することで、フォトトランジスタから発生する暗電流を減少させて、低照度での感度を向上させ、隣接画素とのクロストークやイメージ遅延(lag)がなくなる。 本発明による埋込みコレクタを有するフォトトランジスタは、コレクタが外部と直接接続されていないため、低い暗電流を有し、低照度で優秀な感光特性を示す。 各イメージセンサが孤立しているため、画素間のクロストークやイメージ遅延が発生しないという長所がある。
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公开(公告)号：JP2008541165A
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：JP2008511050
申请日：2006-05-08
Inventor： リー・ビョンス
CPC classification number: G02B27/2264 , G02B27/225 , H04N13/0418 , H04N13/045
Abstract: フラットパネルディスプレイを利用した３次元映像表示装置が提供される。 ３次元映像表示装置は、フラットパネルディスプレイユニットと、入射した光を反射する反射板アレイと、反射板アレイを左右に振動させる振動子とを含み、振動子の振動によって、反射板アレイは時間に応じて移動し、反射板アレイの角度によってフラットパネルディスプレイユニットの映像を変えることによって３次元映像を表示する。 ３次元映像表示装置は、眼鏡などの特殊な装置なしに、画質と明るさの劣化がなく、２次元映像と３次元映像とを選択的に表示することができ、３次元映像の表示において、両眼視点および多視点の映像表示が可能であるという利点を有する。
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