公开(公告)号：TW200805252A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：TW096109552

申请日：2007-03-20

Applicant: 山葉股份有限公司 YAMAHA CORPORATION ,  學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY

Inventor： 東山三樹夫 TOHYAMA, MIKIO ,  風間道子 KAZAMA, MICHIKO ,  後藤理 GOTO, SATORU ,  川原毅彥 KAWAHARA, TAKEHIKO ,  吉岡靖雄 YOSHIOKA, YASUO

IPC: G10L

CPC classification number: G10L17/04 ,  G10L17/08

Abstract: 本發明揭示一種藉由兩個程序執行之類似度評估的方法。在一第一程序中,由一輸入聲音之頻譜資料產生一頻帶間相關矩陣使得將該頻譜資料分為沿一頻率軸且其間具有間隔的彼此分離的複數個離散頻帶,由該複數個離散頻帶獲得該頻譜資料之複數個包絡成分,並且該頻帶間相關矩陣之元素係該輸入聲音之個別包絡成分之間的相關値。在一第二程序中,藉由使用針對該對輸入聲音透過該頻帶間相關矩陣產生程序獲得之個別頻帶間相關矩陣來計算欲進行相互比較的一對輸入聲音之間的一類似度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种借由两个进程运行之类似度评估的方法。在一第一进程中,由一输入声音之频谱数据产生一频带间相关矩阵使得将该频谱数据分为沿一频率轴且其间具有间隔的彼此分离的复数个离散频带,由该复数个离散频带获得该频谱数据之复数个包络成分,并且该频带间相关矩阵之元素系该输入声音之个别包络成分之间的相关値。在一第二进程中,借由使用针对该对输入声音透过该频带间相关矩阵产生进程获得之个别频带间相关矩阵来计算欲进行相互比较的一对输入声音之间的一类似度。

公开(公告)号：TW201838929A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW107108355

申请日：2018-03-13

Applicant: 日商奧璐佳瑙股份有限公司 ,  ORGANO CORPORATION ,  學校法人早稻田大學 ,  WASEDA UNIVERSITY

Inventor： 福田宏樹 ,  FUKUDA, HIROKI ,  所千晴 ,  TOKORO, CHIHARU ,  鳥羽裕一郎 ,  TOBA, YUICHIRO ,  江口正浩 ,  EGUCHI, MASAHIRO

IPC: C02F1/62 ,  C02F1/60 ,  C02F1/66 ,  C02F1/68 ,  C02F101/10 ,  C02F101/20

Abstract: 提供一種水處理方法，其可自包含除去對象物質之水，將除去對象物質以短時間進行不溶解化、固液分離，得到良好水質的處理水，有效率地使經分離之固形物減容。一種水處理方法，其中，將使鹼性碳酸鎂在500～700℃的範圍之溫度下燒結之鎂劑、及使氫氧化鎂在450～650℃的範圍之溫度下燒結之鎂劑之中至少1個，添加於包含除去對象物質之被處理水。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种水处理方法，其可自包含除去对象物质之水，将除去对象物质以短时间进行不溶解化、固液分离，得到良好水质的处理水，有效率地使经分离之固形物减容。一种水处理方法，其中，将使碱性碳酸镁在500～700℃的范围之温度下烧结之镁剂、及使氢氧化镁在450～650℃的范围之温度下烧结之镁剂之中至少1个，添加于包含除去对象物质之被处理水。

公开(公告)号：TW201629160A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104140434

申请日：2015-12-02

Applicant: 三菱化學股份有限公司 ,  MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION ,  學校法人早稻田大學 ,  WASEDA UNIVERSITY

Inventor： 岩崎知一 ,  IWASAKI, TOMOKAZU ,  佐藤嘉秀 ,  SATO, YOSHIHIDE ,  須賀健雄 ,  SUGA, TAKEO ,  西出宏之 ,  NISHIDE, HIROYUKI

IPC: C09D4/02 ,  C09D133/04 ,  C09D151/06 ,  C08F290/04 ,  C08J5/18 ,  G02B1/04

CPC classification number: B32B27/30 ,  C08F293/00

Abstract: 本發明提供一種新穎之硬化性組合物，其利用導入有RAFT劑之聚合物之活性自由基聚合，能夠形成期待對於抗反射膜等光學膜之使用之硬化膜。 本發明之硬化性組合物包含成分(A)及成分(B)，且相對於該等之合計量而言，含有1~99重量%之成分(A)。 成分(A)：藉由能夠自由基裂解之共價鍵保護末端聚合活性基而成之聚合物 成分(B)：於分子內具有至少一個以上(甲基)丙烯醯基之化合物

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种新颖之硬化性组合物，其利用导入有RAFT剂之聚合物之活性自由基聚合，能够形成期待对于抗反射膜等光学膜之使用之硬化膜。 本发明之硬化性组合物包含成分(A)及成分(B)，且相对于该等之合计量而言，含有1~99重量%之成分(A)。 成分(A)：借由能够自由基裂解之共价键保护末端聚合活性基而成之聚合物 成分(B)：于分子内具有至少一个以上(甲基)丙烯酰基之化合物

公开(公告)号：TW200937632A

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：TW097147624

申请日：2008-12-08

Applicant: 學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY

Inventor： 大毛利健治 KENJI OHMORI ,  知京豊裕 TOYOHIRO CHIKYO

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種金屬電極夾持高電容率薄膜與半導體成為一對來使用。金屬電極13包括以第一電極材料所形成之金屬膜11和含有第二電極材料之特性控制膜10,上述特性控制膜10形成於上述高電容率薄膜9和上述金屬膜11之間。在特性控制膜10中,添加C。藉此,使構成特性控制膜10之材料之結晶粒徑變小,並抑制Vth(臨限値電壓)之離差。

Abstract in simplified Chinese: 一种金属电极夹持高电容率薄膜与半导体成为一对来使用。金属电极13包括以第一电极材料所形成之金属膜11和含有第二电极材料之特性控制膜10,上述特性控制膜10形成于上述高电容率薄膜9和上述金属膜11之间。在特性控制膜10中,添加C。借此,使构成特性控制膜10之材料之结晶粒径变小,并抑制Vth(临限値电压)之离差。

公开(公告)号：TW200519989A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：TW093130118

申请日：2004-10-05

Applicant: 學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY ,  沖電氣工業股份有限公司 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. ,  東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

Inventor： 逢哲彌 OSAKA, TETSUYA ,  小岩一郎 KOIWA, ICHIRO ,  橋本晃 HASHIMOTO, AKIRA ,  佐藤善美 SATO, YOSHIMI

IPC: H01G ,  H05K

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01G4/1227 ,  H01G13/006 ,  H05K1/162 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/016 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T29/49169

Abstract: 本發明之課題是，提供一種不會損傷高密度實裝基板的電性特性或尺寸特性，而可內藏於基板內，且具有充分電容的薄膜電容器、薄膜電容器內藏型高密度實裝基板、及薄膜電容器之製造方法。本發明之解決手段是，至少具有高介電體層、和從上下夾著高介電體層的上部電極層、和下部電極層，且上述上部及下部電極層的接觸部是引出至上述上部電極上，而製得上述高介電體層的膜厚為200nm至50nm之構造的薄膜電容器，作為半導體配線板的內藏用被動零件使用。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题是，提供一种不会损伤高密度实装基板的电性特性或尺寸特性，而可内藏于基板内，且具有充分电容的薄膜电容器、薄膜电容器内藏型高密度实装基板、及薄膜电容器之制造方法。本发明之解决手段是，至少具有高介电体层、和从上下夹着高介电体层的上部电极层、和下部电极层，且上述上部及下部电极层的接触部是引出至上述上部电极上，而制得上述高介电体层的膜厚为200nm至50nm之构造的薄膜电容器，作为半导体配线板的内藏用被动零件使用。

公开(公告)号：TW200515535A

公开(公告)日：2005-05-01

申请号：TW093129913

申请日：2004-10-01

Applicant: 學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY ,  東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

Inventor： 逢哲彌 OSAKA, TETSUYA ,  橫島時彥 YOKOSHIMA, TOKIHIKO ,  佐藤功 SATO, ISAO ,  橋本晃 HASHIMOTO, AKIRA ,  萩原嘉男 HAGIWARA, YOSHIO

IPC: H01L ,  C23C

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H05K3/389 ,  H05K3/465 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本發明之目的在提供，於基板上之低介電常數氧化矽系層間絕緣層之形成，以雙大馬士革法的配線形成空間之形成，於該空間的有機單分子膜所成之緻密薄防擴散膜之形成，於上述空間之配線層的形成之所有步驟完全濕式化，以達製程簡化、製造成本降低之半導體多層配線板的製造方法。其係於基板上使用旋塗玻璃材料形成之低介電常數氧化矽系層間絕緣層形成配線層形成空間，然後，必要時於氧化性環境氣體下以紫外線照射，於絕緣層表面進行形成Si－OH結合之處理，其次，於上述配線層形成空間內面使用有機矽烷化合物以矽烷系單分子層膜密合，將該單分子層膜以鈀化合物水溶液作表面觸媒化，於該觸媒化單分子層膜經無電解鍍層形成防銅擴散性高之鍍膜，於該防銅擴散膜上形成銅鍍層而形成配線層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在提供，于基板上之低介电常数氧化硅系层间绝缘层之形成，以双大马士革法的配线形成空间之形成，于该空间的有机单分子膜所成之致密薄防扩散膜之形成，于上述空间之配线层的形成之所有步骤完全湿式化，以达制程简化、制造成本降低之半导体多层配线板的制造方法。其系于基板上使用旋涂玻璃材料形成之低介电常数氧化硅系层间绝缘层形成配线层形成空间，然后，必要时于氧化性环境气体下以紫外线照射，于绝缘层表面进行形成Si－OH结合之处理，其次，于上述配线层形成空间内面使用有机硅烷化合物以硅烷系单分子层膜密合，将该单分子层膜以钯化合物水溶液作表面触媒化，于该触媒化单分子层膜经无电解镀层形成防铜扩散性高之镀膜，于该防铜扩散膜上形成铜镀层而形成配线层。

公开(公告)号：TW200500135A

公开(公告)日：2005-01-01

申请号：TW093105416

申请日：2004-03-02

Applicant: 學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY

Inventor： 石森岐洋 ,  勝田正文 ,  鈴木哲司 ,  古澤宏一朗

IPC: B01J

CPC classification number: C10L3/102 ,  B01J20/02 ,  B01J20/0211 ,  B01J20/0218 ,  B01J20/0229 ,  B01J20/06 ,  B01J20/103 ,  B01J2220/42 ,  C10L3/003 ,  C10L3/10

Abstract: 提供以一段步驟(向來為三段步驟)由含硫化合物可瞬間高效率去硫之可重複再生之超高性能去硫劑及其製造方法。又，使用該去硫劑之高效去除含硫化合物中硫黃成分之去硫方法，及更提供由施以高度去硫改質處理大量低成本製造燃料電池用高純度氫之方法。去硫劑如以下之一般式；ZnFe2O4／SiO2／鉬化合物(MoS2及／或MnO3)，或ZnFe2O4／SiO2／鉬化合物／鈦化合物(TiO2)所示，由該去硫劑與含硫化合物接觸進行瞬間去硫。此時，亦可使用氧化再生處理之去硫劑，或暫時停止去硫反應。又去硫後由改質處理得到燃料電池用高純度氫。

Abstract in simplified Chinese: 提供以一段步骤(向来为三段步骤)由含硫化合物可瞬间高效率去硫之可重复再生之超高性能去硫剂及其制造方法。又，使用该去硫剂之高效去除含硫化合物中硫黄成分之去硫方法，及更提供由施以高度去硫改质处理大量低成本制造燃料电池用高纯度氢之方法。去硫剂如以下之一般式；ZnFe2O4／SiO2／钼化合物(MoS2及／或MnO3)，或ZnFe2O4／SiO2／钼化合物／钛化合物(TiO2)所示，由该去硫剂与含硫化合物接触进行瞬间去硫。此时，亦可使用氧化再生处理之去硫剂，或暂时停止去硫反应。又去硫后由改质处理得到燃料电池用高纯度氢。

公开(公告)号：TW201825530A

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：TW106141053

申请日：2017-11-24

Applicant: 學校法人早稻田大學 ,  WASEDA UNIVERSITY ,  日商三菱化學股份有限公司 ,  MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION

Inventor： 須賀健雄 ,  SUGA, TAKEO ,  西出宏之 ,  NISHIDE, HIROYUKI ,  勝間田匠 ,  KATSUMATA, SHO ,  谷口佳奈 ,  TANIGUCHI, KANA ,  中村淳一 ,  NAKAMURA, JUNICHI ,  岩崎知一 ,  IWASAKI, TOMOKAZU

IPC: C08F8/44 ,  C08G8/28 ,  C09D133/14 ,  C09D161/14 ,  C09D5/16

Abstract: 本發明提供可形成兼具超親水性所引起的防污性與耐水性的塗膜的聚合物、樹脂組成物及防污塗料組成物、所述聚合物的製造方法、以及使用了所述聚合物且於塗膜表面生成穩定化胺基甲酸酯結構的方法及再生穩定化胺基甲酸酯結構的方法。一種聚合物，其具有在水的存在下與CO2反應而穩定化所形成的胺基甲酸酯結構，且滿足下述式（1）。 與CO2反應後的水中接觸角-與CO2反應前的水中接觸角≧10 ···式（1）

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供可形成兼具超亲水性所引起的防污性与耐水性的涂膜的聚合物、树脂组成物及防污涂料组成物、所述聚合物的制造方法、以及使用了所述聚合物且于涂膜表面生成稳定化胺基甲酸酯结构的方法及再生稳定化胺基甲酸酯结构的方法。一种聚合物，其具有在水的存在下与CO2反应而稳定化所形成的胺基甲酸酯结构，且满足下述式（1）。 与CO2反应后的水中接触角-与CO2反应前的水中接触角≧10 ···式（1）

公开(公告)号：TW201741372A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW106115287

申请日：2017-05-09

Applicant: 學校法人早稻田大學 ,  WASEDA UNIVERSITY ,  JXTG能源股份有限公司 ,  JXTG NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION

Inventor： 須賀健雄 ,  SUGA, TAKEO ,  西出宏之 ,  NISHIDE, HIROYUKI ,  小松伸一 ,  KOMATSU, SHIN-ICHI

IPC: C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  G02B1/10

CPC classification number: B32B15/088 ,  B32B27/34 ,  C08F8/32 ,  C08F232/00 ,  C08G73/10 ,  G02B1/14 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04

Abstract: 本發明係一種醯亞胺交聯型樹脂，其係利用二胺將具有環狀烯烴單元及不飽和二羧酸酐單元之共聚物交聯而成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种酰亚胺交联型树脂，其系利用二胺将具有环状烯烃单元及不饱和二羧酸酐单元之共聚物交联而成。

公开(公告)号：TWI524443B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW102106688

申请日：2013-02-26

Applicant: 日鐵住金微金屬股份有限公司 ,  NIPPON MICROMETAL CORPORATION ,  學校法人早稻田大學 ,  WASEDA UNIVERSITY

Inventor： 巽宏平 ,  TATSUMI, KOHEI ,  山田隆 ,  YAMADA, TAKASHI ,  小田大造 ,  ODA, DAIZOU

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45611 ,  H01L2224/45618 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45672 ,  H01L2224/45684 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48818 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48871 ,  H01L2224/48872 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01049