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    氧化鎵系發光元件及其製造方法 Ga2O3 TYPE LIGHT MEITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    3.
    发明专利
    氧化鎵系發光元件及其製造方法 Ga2O3 TYPE LIGHT MEITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
    氧化镓系发光组件及其制造方法 Ga2O3 TYPE LIGHT MEITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

    公开(公告)号：TWI370804B

    公开(公告)日：2012-08-21

    申请号：TW093103898

    申请日：2004-02-18

    Applicant: 學校法人早稻田大學

    Inventor： 一之瀨昇 ,  島村清史 ,  青木和夫 ,  加錫 安東尼

    IPC: C01G

    CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/005 ,  H01L33/26

    Abstract: 本發明所提供者特別有關於減少龜裂、雙晶化的傾向，提高結晶性的β-Ga2O3系單晶生長方法；可以形成高品質之薄膜單晶的薄膜單晶生長方法；在紫外區域發光的Ga2O3系發光元件及其製造方法。
    利用紅外線加熱單晶製造裝置，使晶種結晶及多晶體材料互相朝反方向旋轉同時加熱，再從a軸 方位、b軸 方位、及c軸 方位中選擇一個方位，使β-Ga2O3朝該方位生長。
    由β-Ga2O3單晶所組成的薄膜，係利用PLD法來成膜，即用雷射光照射於靶材，使構成靶材的原子激發，再利用熱方式、光化學方式之作用，使Ga原子從靶材遊離出來後，使遊離的Ga原子與反應室中的環境氣體之自由基結合，而使由β-Ga2O3單晶組成的薄膜，生長在由β-Ga2O3單晶組成的基板上。
    發光元件中，添加n型摻雜物於β-Ga2O3單晶後得到的n型基板；添加p型摻雜物於β-Ga2O3單晶後得到的p型層，再將該p型層接合於該n型基板的頂面，所以發光元件會在該接合部附近發光。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明所提供者特别有关于减少龟裂、双晶化的倾向，提高结晶性的β-Ga2O3系单晶生长方法；可以形成高品质之薄膜单晶的薄膜单晶生长方法；在紫外区域发光的Ga2O3系发光组件及其制造方法。 利用红外线加热单晶制造设备，使晶种结晶及多晶体材料互相朝反方向旋转同时加热，再从a轴<100>方位、b轴<010>方位、及c轴<001>方位中选择一个方位，使β-Ga2O3朝该方位生长。 由β-Ga2O3单晶所组成的薄膜，系利用PLD法来成膜，即用激光光照射于靶材，使构成靶材的原子激发，再利用热方式、光化学方式之作用，使Ga原子从靶材游离出来后，使游离的Ga原子与反应室中的环境气体之自由基结合，而使由β-Ga2O3单晶组成的薄膜，生长在由β-Ga2O3单晶组成的基板上。 发光组件中，添加n型掺杂物于β-Ga2O3单晶后得到的n型基板；添加p型掺杂物于β-Ga2O3单晶后得到的p型层，再将该p型层接合于该n型基板的顶面，所以发光组件会在该接合部附近发光。

    金屬電極及使用該電極之半導體元件
    4.
    发明专利
    金屬電極及使用該電極之半導體元件 审中-公开
    金属电极及使用该电极之半导体组件

    公开(公告)号：TW200937632A

    公开(公告)日：2009-09-01

    申请号：TW097147624

    申请日：2008-12-08

    Applicant: 學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY

    Inventor： 大毛利健治 KENJI OHMORI ,  知京豊裕 TOYOHIRO CHIKYO

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 一種金屬電極夾持高電容率薄膜與半導體成為一對來使用。金屬電極13包括以第一電極材料所形成之金屬膜11和含有第二電極材料之特性控制膜10,上述特性控制膜10形成於上述高電容率薄膜9和上述金屬膜11之間。在特性控制膜10中,添加C。藉此,使構成特性控制膜10之材料之結晶粒徑變小,並抑制Vth(臨限値電壓)之離差。

    Abstract in simplified Chinese: 一种金属电极夹持高电容率薄膜与半导体成为一对来使用。金属电极13包括以第一电极材料所形成之金属膜11和含有第二电极材料之特性控制膜10,上述特性控制膜10形成于上述高电容率薄膜9和上述金属膜11之间。在特性控制膜10中,添加C。借此,使构成特性控制膜10之材料之结晶粒径变小,并抑制Vth(临限値电压)之离差。

    半導體多層配線板及其形成方法
    6.
    发明专利
    半導體多層配線板及其形成方法 失效
    半导体多层配线板及其形成方法

    公开(公告)号：TW200515535A

    公开(公告)日：2005-05-01

    申请号：TW093129913

    申请日：2004-10-01

    Applicant: 學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY ,  東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

    Inventor： 逢哲彌 OSAKA, TETSUYA ,  橫島時彥 YOKOSHIMA, TOKIHIKO ,  佐藤功 SATO, ISAO ,  橋本晃 HASHIMOTO, AKIRA ,  萩原嘉男 HAGIWARA, YOSHIO

    IPC: H01L ,  C23C

    CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H05K3/389 ,  H05K3/465 ,  Y10T29/49155

    Abstract: 本發明之目的在提供，於基板上之低介電常數氧化矽系層間絕緣層之形成，以雙大馬士革法的配線形成空間之形成，於該空間的有機單分子膜所成之緻密薄防擴散膜之形成，於上述空間之配線層的形成之所有步驟完全濕式化，以達製程簡化、製造成本降低之半導體多層配線板的製造方法。其係於基板上使用旋塗玻璃材料形成之低介電常數氧化矽系層間絕緣層形成配線層形成空間，然後，必要時於氧化性環境氣體下以紫外線照射，於絕緣層表面進行形成Si－OH結合之處理，其次，於上述配線層形成空間內面使用有機矽烷化合物以矽烷系單分子層膜密合，將該單分子層膜以鈀化合物水溶液作表面觸媒化，於該觸媒化單分子層膜經無電解鍍層形成防銅擴散性高之鍍膜，於該防銅擴散膜上形成銅鍍層而形成配線層。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在提供，于基板上之低介电常数氧化硅系层间绝缘层之形成，以双大马士革法的配线形成空间之形成，于该空间的有机单分子膜所成之致密薄防扩散膜之形成，于上述空间之配线层的形成之所有步骤完全湿式化，以达制程简化、制造成本降低之半导体多层配线板的制造方法。其系于基板上使用旋涂玻璃材料形成之低介电常数氧化硅系层间绝缘层形成配线层形成空间，然后，必要时于氧化性环境气体下以紫外线照射，于绝缘层表面进行形成Si－OH结合之处理，其次，于上述配线层形成空间内面使用有机硅烷化合物以硅烷系单分子层膜密合，将该单分子层膜以钯化合物水溶液作表面触媒化，于该触媒化单分子层膜经无电解镀层形成防铜扩散性高之镀膜，于该防铜扩散膜上形成铜镀层而形成配线层。

    去硫劑及其製造方法,去硫方法及燃料電池用氫之製造方法
    7.
    发明专利
    去硫劑及其製造方法,去硫方法及燃料電池用氫之製造方法 审中-公开
    去硫剂及其制造方法,去硫方法及燃料电池用氢之制造方法

    公开(公告)号：TW200500135A

    公开(公告)日：2005-01-01

    申请号：TW093105416

    申请日：2004-03-02

    Applicant: 學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY

    Inventor： 石森岐洋 ,  勝田正文 ,  鈴木哲司 ,  古澤宏一朗

    IPC: B01J

    CPC classification number: C10L3/102 ,  B01J20/02 ,  B01J20/0211 ,  B01J20/0218 ,  B01J20/0229 ,  B01J20/06 ,  B01J20/103 ,  B01J2220/42 ,  C10L3/003 ,  C10L3/10

    Abstract: 提供以一段步驟(向來為三段步驟)由含硫化合物可瞬間高效率去硫之可重複再生之超高性能去硫劑及其製造方法。又，使用該去硫劑之高效去除含硫化合物中硫黃成分之去硫方法，及更提供由施以高度去硫改質處理大量低成本製造燃料電池用高純度氫之方法。去硫劑如以下之一般式；ZnFe2O4／SiO2／鉬化合物(MoS2及／或MnO3)，或ZnFe2O4／SiO2／鉬化合物／鈦化合物(TiO2)所示，由該去硫劑與含硫化合物接觸進行瞬間去硫。此時，亦可使用氧化再生處理之去硫劑，或暫時停止去硫反應。又去硫後由改質處理得到燃料電池用高純度氫。

    Abstract in simplified Chinese: 提供以一段步骤(向来为三段步骤)由含硫化合物可瞬间高效率去硫之可重复再生之超高性能去硫剂及其制造方法。又，使用该去硫剂之高效去除含硫化合物中硫黄成分之去硫方法，及更提供由施以高度去硫改质处理大量低成本制造燃料电池用高纯度氢之方法。去硫剂如以下之一般式；ZnFe2O4／SiO2／钼化合物(MoS2及／或MnO3)，或ZnFe2O4／SiO2／钼化合物／钛化合物(TiO2)所示，由该去硫剂与含硫化合物接触进行瞬间去硫。此时，亦可使用氧化再生处理之去硫剂，或暂时停止去硫反应。又去硫后由改质处理得到燃料电池用高纯度氢。

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