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公开(公告)号：CN1747071A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510092417.6
申请日：2005-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1409 , G01Q60/30 , Y10S977/875 , Y10S977/878 , Y10S977/879
Abstract: 提供了一种具有电阻尖端的半导体探针以及该半导体探针的制造方法。所述方法包括：在掺杂了第一杂质的衬底上形成条形的掩模层，并通过用第二杂质重掺杂没有被该掩模层覆盖的衬底部分而形成第一和第二电极区；退火所述衬底从而减小第一和第二半导体电极区之间的间隙，并且在与半导体电极区邻接的部分形成轻掺杂了第二杂质的电阻区；形成与掩模层正交的条形的第一光致抗蚀剂，并且蚀刻掩模层使得掩模层具有正方形形状；在衬底上形成第二光致抗蚀剂从而覆盖第一光致抗蚀剂的一部分并限定悬臂区域；通过蚀刻而形成悬臂区域；以及去除光致抗蚀剂，并且通过蚀刻而形成具有半四棱锥形状的电阻尖端。
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公开(公告)号：CN1653620A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810213.7
申请日：2003-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: 本发明公开了一种利用自对准工艺制造具有场效应晶体管(FET)沟道结构的扫描探针显微镜(SPM)的探针的方法。所提供的方法包括：第一步骤，在衬底上形成第一形状的掩膜层，并在衬底中的除了由掩膜层所遮盖的区域以外的区域中形成源极区和漏极区；第二步骤，沿垂直于掩膜层的方向构图第一形状的光阻材料，并进行蚀刻工艺，以形成第二形状的掩膜层；以及第三步骤，蚀刻衬底中的除了由掩膜层遮盖的区域以外的区域以形成探针。所提供的方法将尖端的中心与源极区和漏极区之间存在的沟道中心对准，以实现数十纳米大小的尖端。从而，利用具有尖端的这种探针可以轻易制造纳米器件。
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公开(公告)号：CN101169981B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200610142809.3
申请日：2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔国立大学校产学协力财团
Abstract: 本发明公开了一种半导体探针及其制造方法。所述半导体探针包括：用第一杂质掺杂的悬臂；从所述悬臂的一端突出且用第二杂质轻掺杂的电阻尖端；形成于所述电阻尖端的突出部分的两侧上的掺杂控制层；和形成于所述掺杂控制层下且用所述第二杂质重掺杂而形成的第一和第二电极区。
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公开(公告)号：CN101000800B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610125691.3
申请日：2006-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1454 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供了一种XY平台模块、包括其的存储系统和制造所述XY平台模块的方法。XY平台模块包括：底板；XY平台，在所述底板上方沿第一方向和垂直所述第一方向的第二方向水平地移动；支撑单元，设置在所述底板上以弹性地支撑所述XY平台；加强构件，用于防止所述XY平台旋转；和位置传感器，具有设置在所述加强构件的一边并具有至少一个可移动梳的可移动梳状结构，和固定在所述底板上并具有至少一个与所述可移动梳啮合并分开预定间隔的固定梳的固定梳状结构，用于根据所述可移动梳和固定梳的啮合度测量所述XY平台在所述第一方向和第二方向的移动。
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公开(公告)号：CN100583245C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710008044.9
申请日：2007-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B9/02 , Y10T29/49032
Abstract: 本发明提供一种电场读/写头及其制造方法、以及包括该电场读/写头的数据读/写装置。该数据读/写装置包括用于写数据在记录介质上且从其读数据的电场读/写头。该电场读/写头包括半导体基板、电阻区域、源极和漏极区域、以及写电极。该半导体基板包括具有邻接边缘的第一表面和第二表面。该电阻区域形成为从位于该第一表面一端的中心部分向该第二表面延伸。该源极区域和该漏极区域形成在该电阻区域两侧并与该第一表面分隔开。该写电极形成在该电阻区域上，绝缘层置于该写电极与该电阻区域之间。该数据读/写装置通过硬盘驱动器(HDD)驱动系统进行驱动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100505090C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610001111.X
申请日：2006-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11B9/02 , G11C11/5657 , Y10S977/947
Abstract: 本发明提供了一种铁电记录介质及其写入方法。该铁电记录介质包括：铁电层，当接收预定的矫顽电压时铁电层反转其极化；非易失性各向异性导电层，形成在铁电层上。当各向异性导电层接收低于矫顽电压的第一电压时，其电阻减小，当各向异性导电层接收高于矫顽电压的第二电压时，其电阻增大。通过铁电层的极化状态和各向异性导电层的电阻的结合来存储多位信息。因此，可在铁电记录介质的一个畴上表示多位信息。
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公开(公告)号：CN101169981A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200610142809.3
申请日：2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔国立大学校产学协力财团
Abstract: 本发明公开了一种半导体探针及其制造方法。所述半导体探针包括：用第一杂质掺杂的悬臂；从所述悬臂的一端突出且用第二杂质轻掺杂的电阻尖端；形成于所述电阻尖端的突出部分的两侧上的掺杂控制层；和形成于所述掺杂控制层下且用所述第二杂质重掺杂而形成的第一和第二电极区。
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公开(公告)号：CN101000800A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610125691.3
申请日：2006-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1454 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供了一种XY平台模块、包括其的存储系统和制造所述XY平台模块的方法。XY平台模块包括：底板；XY平台，在所述底板上方沿第一方向和垂直所述第一方向的第二方向水平地移动；支撑单元，设置在所述底板上以弹性地支撑所述XY平台；加强构件，用于防止所述XY平台旋转；和位置传感器，具有设置在所述加强构件的一边并具有至少一个可移动梳的可移动梳状结构，和固定在所述底板上并具有至少一个与所述可移动梳啮合并分开预定间隔的固定梳的固定梳状结构，用于根据所述可移动梳和固定梳的啮合度测量所述XY平台在所述第一方向和第二方向的移动。
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公开(公告)号：CN1805166A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510135660.1
申请日：2005-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种MLD(磁逻辑装置)以及制造和操作该磁逻辑装置的方法。所述MLD包括：第一互连部分；下磁层，形成在所述第一互连部分上，所述下磁层的磁方向被固定为预定方向；非磁层，形成在所述下磁层上；上磁层，形成在所述非磁层上，所述上磁层的磁方向与所述下磁层的磁方向平行或反向平行；第二互连部分，形成在所述上磁层上。第一电流源置于第一互连部分的一端和第二互连部分的一端之间，第二电流源置于第一互连部分的另一端和第二互连部分的另一端之间。
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公开(公告)号：CN1765011A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200380110246.4
申请日：2003-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/30 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 提供了一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在掺杂第一杂质的基板上形成掩模层以及在未被掩模层覆盖的基板上形成用第二杂质重度掺杂的第一和第二半导体电极区，退火第一和第二半导体电极区，将第一和第二半导体电极区的第二参杂剂扩散到彼此面对的部分以在第一和第二半导体电极区的外边界形成用第二杂质轻度掺杂的电阻区，以预定的形状构图掩模层并蚀刻未被构图后的掩模层覆盖的基板的部分顶部表面来形成电阻尖端。
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