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公开(公告)号：CN101157758A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710153177.5
申请日：2007-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , C08G65/007 , C08L29/04 , C08L71/02 , C08L2205/05 , G03F7/032 , G03F7/033 , G03F7/04 , G03F7/0757 , C08L2666/04
Abstract: 公开了一种全氟聚醚衍生物和光敏聚合物的共聚物，包含该共聚物的用于形成堤的组合物，和使用该组合物形成堤的方法。还公开了一种包含该组合物的有机薄膜晶体管，和包括该有机薄膜晶体管的电子器件。使用该共聚物可以使得能够通过溶液涂布方法形成堤。因为可以制造包括该方法形成的堤的有机薄膜晶体管，而有机薄膜晶体管的特性没有任何退化，可以表现出改善的电子性质。
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公开(公告)号：CN1284720C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200310104313.3
申请日：2003-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , G03F7/0392 , G03F7/165 , G03F7/168 , G03F7/40 , Y10S977/842
Abstract: 本发明公开了一种形成碳纳米管图形的方法，它包括用光刻法在表面处理的基质上形成图形，利用化学自组装工艺在其上层压碳纳米管，从而形成单层或多层结构的碳纳米管。根据该方法，可很容易在如玻璃、硅晶片或塑料上形成碳纳米管图形，单层或多层碳纳米管图形。因此，该方法可用于构成具有高导电率的碳纳米管层图形。因此可用于制造能量贮存器的工艺中，例如，太阳能电池和电池组、平板显示屏、晶体管、化学和生物的传感器、半导体装置，等等。
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公开(公告)号：CN1637066A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410100228.4
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02118 , C08G61/124 , C08G73/0611 , C08L79/04 , C09D159/00 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , H01B3/442 , H01L21/02348 , H01L21/312 , H01L51/052
Abstract: 本发明公开了用于形成有机绝缘薄膜的组合物和由这种组合物形成的有机绝缘薄膜。所述的组合物包括具有马来酰亚胺结构的绝缘聚合物、交联剂和光酸发生剂以便形成交联结构。有机绝缘薄膜对随后光刻过程中使用的有机溶剂有优异的耐化学性并能提高晶体管的电性能。
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公开(公告)号：CN1607685A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410088162.1
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/04 , C08K5/057 , C08K5/56 , C08L83/04 , C09D183/06 , H01B3/18 , H01L21/02172 , H01L21/02186 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L51/0052 , H01L51/0537 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663 , C08L2666/02
Abstract: 本发明公开了一种用于制造有机绝缘体的组合物，该组合物包括：(i)至少1种有机－无机杂化材料；(ii)至少1种有机金属化合物及/或有机聚合物；(iii)至少1种用于溶解上述2种组分的溶剂，致使采用同样的组合物的有机绝缘体具有低的阈电压和驱动电压、高的电荷载体迁移率和Ion/Ioff比，从而增加了绝缘体特性。另外，可采用湿法进行有机绝缘膜的制造，因此，方法简便、成本降低。
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公开(公告)号：CN115482851A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210423496.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 电阻式存储器装置，其包括电阻式存储器图案；和电连接至所述电阻式存储器图案的选择元件图案，所述选择元件图案包括硫属化物开关材料和至少一种金属材料，所述硫属化物开关材料包括锗、砷和硒，且所述至少一种金属材料包括铝、锶或铟，其中所述选择元件图案包括非均匀材料层，在所述非均匀材料层中所述至少一种金属材料在所述选择元件图案中的含量根据在所述选择元件图案内的位置是可变的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114447220A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111268571.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置。提供硫属元素化合物层、包括其的开关器件、半导体器件、和/或半导体装置，所述硫属元素化合物层呈现出双向阈值开关特性。所述开关器件和/或所述半导体器件可包括两个或更多个具有不同能带隙的硫属元素化合物层。替代地，所述开关器件和/或半导体器件可包括在其厚度方向上具有如下的元素的浓度梯度的硫属元素化合物层：硼(B)、铝(Al)、钪(Sc)、锰(Mn)、锶(Sr)、和/或铟(In)。所述开关器件和/或半导体器件可在具有低的关断电流值(泄漏电流值)的同时呈现出稳定的开关特性。
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公开(公告)号：CN110349992A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201811086256.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置。图像传感器可以包括：多个光检测元件，布置为与多个像素区域对应；滤色器层，在所述多个光检测元件上并且包括布置为与所述多个光检测元件对应的多个滤色器；以及光电二极管器件部分，在滤色器层上。光电二极管器件部分可以具有弯曲结构。光电二极管器件部分可以包括基于有机材料的光电二极管层、在光电二极管层与滤色器层之间的第一电极、以及在光电二极管层上的第二电极。光电二极管器件部分可以具有分别对应于所述多个滤色器的弯曲凸起结构。
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公开(公告)号：CN1607685B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200410088162.1
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/04 , C08K5/057 , C08K5/56 , C08L83/04 , C09D183/06 , H01B3/18 , H01L21/02172 , H01L21/02186 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L51/0052 , H01L51/0537 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663 , C08L2666/02
Abstract: 本发明公开了一种用于制造有机绝缘体的组合物，该组合物包括：(i)至少1种有机-无机杂化材料；(ii)至少1种有机金属化合物及/或有机聚合物；(iii)至少1种用于溶解上述2种组分的溶剂，致使采用同样的组合物的有机绝缘体具有低的阈电压和驱动电压、高的电荷载体迁移率和Ion/Ioff比，从而增加了绝缘体特性。另外，可采用湿法进行有机绝缘膜的制造，因此，方法简便、成本降低。
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公开(公告)号：CN101075658A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710088552.2
申请日：2007-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种用于形成有机电子装置电极的方法，其可以使用增大范围的导电材料来形成源/漏电极。所公开的方法还可以在有机电子装置制造期间使用不同的导电材料来形成数据线和源/漏电极。根据该方法制造的有机电子装置可以提供超出常规方法的优点，例如包括有机电子装置形成中改善的构图和精确性。根据所公开方法制造的有机电子装置期望用于显示装置和电子显示器中。
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公开(公告)号：CN1825651A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610003637.1
申请日：2006-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , C08L101/04
CPC classification number: H01L21/0212 , H01L21/02282 , H01L21/3127 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/052 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I开/I关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。
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