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公开(公告)号：CN118507479A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410472398.2
申请日：2019-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种包括标准单元的集成电路包括：多个第一阱，以第一宽度沿第一水平方向延伸并具有第一导电类型；以及多个第二阱，以第二宽度沿第一水平方向延伸并具有第二导电类型，其中所述多个第一阱和所述多个第二阱在与第一水平方向正交的第二水平方向上交替布置，当m和n是大于或等于3的整数时，标准单元具有第二水平方向上的长度，该长度等于第一宽度的一半的m倍与第二宽度的一半的n倍之和。
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公开(公告)号：CN107919358B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201710880103.5
申请日：2017-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：在衬底上的栅极结构；分别在衬底的邻近栅极结构的部分上的源极/漏极层；分别接触源极/漏极层的上表面的第一接触插塞；接触栅极结构中的一个的第二接触插塞，第二接触插塞的侧壁由绝缘间隔物覆盖；以及共同地接触栅极结构中的至少一个的上表面和第一接触插塞中的至少一个的第三接触插塞，第三接触插塞的侧壁的至少一部分不被绝缘间隔物覆盖。
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公开(公告)号：CN110838484B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910307666.4
申请日：2019-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种包括标准单元的集成电路包括：多个第一阱，以第一宽度沿第一水平方向延伸并具有第一导电类型；以及多个第二阱，以第二宽度沿第一水平方向延伸并具有第二导电类型，其中所述多个第一阱和所述多个第二阱在与第一水平方向正交的第二水平方向上交替布置，当m和n是大于或等于3的整数时，标准单元具有第二水平方向上的长度，该长度等于第一宽度的一半的m倍与第二宽度的一半的n倍之和。
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公开(公告)号：CN117637736A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311097814.7
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/50
Abstract: 一种半导体装置，包括：在第三方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案；栅电极，其覆盖第一有源图案和第二有源图案并在第二方向上延伸；第一源极/漏极区，其设置在栅电极的相对侧上并连接到第一有源图案；第二源极/漏极区，其设置在栅电极的相对侧上并连接到第二有源图案；多个第一上金属线，其在第二有源图案上沿第一方向延伸，并在第二方向上彼此间隔开；以及下金属线，其在第一有源图案上沿第一方向延伸，其中，第一方向、第二方向和第三方向彼此相交。
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公开(公告)号：CN109686737B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201811215341.5
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 本公开提供一种半导体装置。所述半导体装置包括衬底、第一栅极结构、第一接触塞及电源轨。衬底包括在第一方向上延伸的第一单元区及第二单元区以及连接到第一单元区及第二单元区的在第二方向上相对的两端中的每一端的电源轨区。第一栅极结构在第二方向上从第一单元区与第二单元区之间的边界区域延伸到电源轨区。第一接触塞形成在电源轨区上且接触第一栅极结构的上表面。电源轨在电源轨区上在第一方向上延伸且电连接到第一接触塞。电源轨通过第一接触塞对第一栅极结构供应关断信号以将第一单元区与第二单元区电绝缘。本公开的半导体装置的相邻的单元区即使在具有高集成度的条件下，也可彼此有效地绝缘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037216B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201810556184.8
申请日：2018-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包含衬底、在衬底中的第一接触件、第二接触件、第三接触件以及第四接触件，以及分别在第一接触件、第二接触件、第三接触件以及第四接触件上的第一有源鳍、第二有源鳍、第三有源鳍以及第四有源鳍，第二有源鳍和第三有源鳍在第一方向上交叠。第一栅电极、第二栅电极以及第三栅电极在第一方向上纵向延伸，第一栅电极和第二栅电极分别设置在第一有源鳍和第四有源鳍中的侧表面上，且第三栅电极设置在第二有源鳍和第三有源鳍的侧表面上。第一顶部接触件在第一有源鳍和第二有源鳍上且第二顶部接触件在第三有源鳍和第四有源鳍上。本发明的半导体器件可防止晶体管的性能或耐久度未预期地劣化而具有较
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公开(公告)号：CN109037202B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201810563690.X
申请日：2018-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/423
Abstract: 本申请公开一种半导体装置。所述半导体装置包括：单元区，其包括在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区及其之间的分离区。单元区具有第一宽度。第一栅极结构和第二栅极结构布置在单元区上，所述二者在第一方向上彼此间隔开，并且在第二方向上延伸。第一金属线和第二金属线布置在单元区上，所述二者在第一方向上延伸，并且彼此间隔开第一间距。第一金属线和第二金属线中的每一个具有第二宽度。第一栅极接触件将第一栅极结构与第一金属线电连接。第一栅极接触件的至少一部分覆盖分离区。第二栅极接触件将第二栅极结构与第二金属线电连接。第二栅极接触件的至少一部分覆盖分离区。第一宽度除以第一间距和第二宽度之和的结果为六或更小。
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公开(公告)号：CN109494252B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201810873335.2
申请日：2018-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417
Abstract: 一种半导体装置，包括：绝缘体，在衬底上，并具有相对的第一侧和第二侧，第一侧和第二侧中的每一个沿第一方向延伸；第一鳍图案，从绝缘体的第三侧沿第一方向延伸；第二鳍图案，从绝缘体的第四侧沿第一方向延伸；以及第一栅极结构，从绝缘体的第一侧沿横向于第一方向的第二方向延伸。所述装置还包括：第二栅极结构，从绝缘体的第二侧沿第二方向延伸；第三鳍图案，与第一栅极结构交叠，与绝缘体的第一侧隔开，并且沿第一方向延伸；第四鳍图案，与第二栅极结构交叠，与第二侧隔开，并且在第二侧延伸的方向上延伸。绝缘体的上表面高于第一鳍图案的上表面和第二鳍图案的上表面。
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公开(公告)号：CN117012749A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310470739.8
申请日：2023-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L27/088 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一侧和与第一侧相对的第二侧；第一电力轨和第二电力轨，设置在衬底的第一侧上，第一电力轨和第二电力轨沿第一方向延伸并且在第二方向上分离；第一有源区和第二有源区，设置在衬底的第一侧上，第一有源区和第二有源区由第一电力轨与第二电力轨之间的元件分离膜限定并且在第二方向上分离；电力输送网络，设置在衬底的第二侧上；以及第一电力通孔，穿透元件分离膜和衬底，第一电力通孔连接电力输送网络和第一电力轨。
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公开(公告)号：CN116722035A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310213306.4
申请日：2023-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括：下衬底；下有源图案，在下衬底上沿第一水平方向延伸；第一下栅电极，在下有源图案上沿第二水平方向延伸；上衬底，在第一下栅电极上；上有源图案，在上衬底上沿第一水平方向延伸，其中，上有源图案在第二水平方向和竖直方向中的每一个方向上与下有源图案间隔开；第一上栅电极，在上有源图案上沿第二水平方向延伸，其中，第一上栅电极在竖直方向上至少部分地与第一下栅电极重叠；以及第一栅极接触部，在第二水平方向上与第一上栅电极间隔开。
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