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公开(公告)号：CN102468425B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110349182.X
申请日：2011-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/02 , G11C11/16 , G11C11/1675 , H01L27/224 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁存储器件。该磁存储器件包括磁图案、参考图案、插设在磁图案与参考图案之间的隧道势垒图案以及设置在磁图案内部的至少一个磁段。该磁段为磁化方向至少具有在垂直于磁图案的磁化方向的平面内的分量的磁材料。
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公开(公告)号：CN104658593A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410659744.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种磁存储单元和磁存储器装置。磁存储单元包括磁隧道结和第一电极，所述第一电极通过第一导电结构电耦合至所述磁隧道结。所述第一导电结构包括阻挡层和在阻挡层与磁隧道结之间延伸的晶种层。所述阻挡层形成为非晶金属化合物。在一些实施例中，阻挡层是经热处理的层，并且在热处理期间和之后保持阻挡层的非晶状态。
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公开(公告)号：CN103811513A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310538289.8
申请日：2013-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层，该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度，该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。
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公开(公告)号：CN101459220B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810189889.7
申请日：2008-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2418 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 本发明提供一种形成电阻存储器的方法，包括：在包括导电图案的半导体衬底上形成绝缘层，在绝缘层内形成接触孔以暴露导电图案，在接触孔内形成下部电极，在接触孔内在下部电极上形成可变电阻氧化层，在接触孔内在可变电阻氧化层上形成中间电极，在中间电极和绝缘层上形成缓冲氧化层，以及在缓冲氧化层上形成上部电极。本发明也公开了相关电阻存储器。
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公开(公告)号：CN102479918A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110386624.8
申请日：2011-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 公开了形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法。一种制造磁性隧道结结构的方法，包括：通过在基板上顺序地堆叠第一磁性层、隧道介电层、和第二磁性层来形成磁性隧道结层。掩模图案形成在第二磁性层的区域上。通过执行至少一个蚀刻处理和至少一个氧化处理多次来形成磁性隧道结层图案和在磁性隧道结层图案的至少一个侧壁上的侧壁介电层图案。至少一个蚀刻处理可以包括第一蚀刻处理，其使用惰性气体和掩模图案来蚀刻磁性隧道结层的一部分以形成第一蚀刻产物。至少一个氧化处理包括第一氧化处理，其氧化附着在磁性隧道结层的蚀刻侧上的第一蚀刻产物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102024903A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010282801.3
申请日：2010-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , B82Y25/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。
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公开(公告)号：CN101459220A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810189889.7
申请日：2008-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2418 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 本发明提供一种形成电阻存储器的方法，包括：在包括导电图案的半导体衬底上形成绝缘层，在绝缘层内形成接触孔以暴露导电图案，在接触孔内形成下部电极，在接触孔内在下部电极上形成可变电阻氧化层，在接触孔内在可变电阻氧化层上形成中间电极，在中间电极和绝缘层上形成缓冲氧化层，以及在缓冲氧化层上形成上部电极。本发明也公开了相关电阻存储器。
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公开(公告)号：CN101136247A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710148167.2
申请日：2007-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/34
Abstract: 提供编程RRAM器件的方法。增加的置位电流被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的置位态。增加的复位电压被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的复位态。
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公开(公告)号：CN1734662A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510081709.X
申请日：2005-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供两端具有弯曲的凸出体的磁性隧道结结构、采用该结构的磁性RAM单元及其形成中使用的光掩模。该磁性隧道结结构包括堆叠在集成电路衬底上的被钉扎层图形、隧穿绝缘层图形和自由层图形。至少自由层图形包含主体以及俯视时分别从主体两端凸出的第一和第二弯曲凸出体。
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公开(公告)号：CN114512596A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111318157.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括磁隧道结的磁存储器件。磁隧道结包括固定层、在固定层上的极化增强结构、在极化增强结构上的隧道势垒层以及在隧道势垒层上的自由层，其中极化增强结构包括多个极化增强层以及将多个极化增强层彼此分开的至少一个间隔物层。多个极化增强层中的每个的厚度为从约至约且至少一个间隔物层的厚度为从约至约
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