公开(公告)号：CN111106328A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201910603189.6

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 洪锡基 ,  申东旭 ,  俞炳龙 ,  朴晋焕 ,  宋在爀 ,  延东熙 ,  崔棅珍 ,  河镇秀 ,  咸东诊

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M4/485 ,  H01M4/58 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及复合正极活性材料、各自包括其的正极和锂电池、及制备复合正极活性材料的方法。复合正极活性材料包括：二次颗粒；和在所述二次颗粒的表面上的包覆层，其中所述二次颗粒包括多个一次颗粒，和所述多个一次颗粒包括具有层状晶体结构的锂镍过渡金属氧化物；以及在所述多个一次颗粒的一次颗粒之间的晶界，所述晶界包括具有与所述具有层状晶体结构的锂镍过渡金属氧化物不同的晶体结构的锂金属氧化物，其中在所述二次颗粒的表面上的包覆层包括包含钴和第2族元素、第12族元素、第13族元素或其组合的金属氧化物。

公开(公告)号：CN106953070A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610972528.4

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 金东汉 ,  金昤希 ,  朴晋焕 ,  宋在爀 ,  俞炳龙 ,  崔棅珍

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/485 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/505 ,  C01G23/005 ,  C01G51/42 ,  C01G53/50 ,  C01P2002/20 ,  C01P2002/32 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/364 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/525 ,  H01M4/62 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M4/362 ,  H01M4/624 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及复合正极活性材料、包括其的正极、和包括正极的锂电池。复合正极活性材料包括：具有层状结构并且由式1表示的第一金属氧化物；和具有尖晶石结构并且由式2表示的第二金属氧化物，其中所述复合正极活性材料包括所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物的复合物，其中，在式1和2中，M和Me各自独立地为选自周期表的第2‑14族的至少一种元素，且所述复合物中的Li/(M+Me)的摩尔比小于1。式1LiMO2式2LiMe2O4。

公开(公告)号：CN1885559B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200610090831.8

申请日：2006-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李云京 ,  崔定爀 ,  李东濬 ,  宋在爀

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

Abstract: 提供一种具有不对称的栅电极结构和反转T形浮栅的选择晶体管的存储晶体管及其形成方法。邻近于存储晶体管的选择晶体管的栅电极具有基本上反转的T形图，而与存储晶体管相对的选择晶体管的栅电极近似具有箱形图。为了用反转T形状形成存储晶体管的浮栅，当打开用于存储晶体管的区域时，用于选择晶体管的区域被闭合。

公开(公告)号：CN101567213A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910133553.3

申请日：2009-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴东妍 ,  李云京 ,  宋在爀 ,  李昌燮

IPC: G11C11/40 ,  G11C16/04 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/10

Abstract: 本发明提供了一种闪速存储器件及其操作方法，该闪速存储器件包括NAND单元单位的块，块中的每个NAND单元单位包括由n个字线控制的n个存储器单元晶体管MC，并且串联连接在与位线连接的串选择晶体管SST和接地选择晶体管GST之间。在向所选择的字线WL 施加编程电压Vpgm的同时，向更靠近接地选择晶体管GST的附近的未被选择的字线施加截止电压Vss，以将第一局部沟道Ch1与第二局部沟道Ch2隔离。随着所选择的字线WL 的位置i增大而靠近SST，第二沟道电势Vch2趋于过度增大，这导致了误差。通过只在所选择的字线WL 的位置i等于或大于预定(存储的)位置编号x时，更改施加到串选择线(SSL)和/或位线(BL)的电压、或者施加到未被选择的字线(WL 至WL )的通过电压Vpass，来防止Vch2的过度增大。如果执行步增脉冲编程(ISPP)，则仅在ISPP循环计数j等于或大于预定(存储的)临界循环数量y时更改所施加的电压。

公开(公告)号：CN1897283A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610101580.9

申请日：2006-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在爀 ,  崔定爀

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种NAND闪存器件，包括半导体衬底、字线、第一和第二选择线、隧道绝缘层和选择栅绝缘层。半导体衬底包括存储晶体管区和选择晶体管区。字线排列在半导体衬底的存储晶体管区，以及选择线排列在半导体衬底的选择晶体管区。隧道绝缘层插入字线和半导体衬底之间，以及选择栅绝缘层插入选择线和半导体衬底之间，并具有比隧道氧化物层更薄的厚度。同样，选择栅绝缘层在其中心区域具有比其边缘部分更薄的厚度。