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公开(公告)号：CN108336331B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201810044652.3
申请日：2018-01-17
IPC: H01M4/36 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及电极活性材料、包含该电极活性材料的锂二次电池和制备该电极活性材料的方法。电极活性材料包括：具有层状结构并且能够可逆地引入和脱出锂的芯活性材料；包括硼和第一金属元素的掺杂剂，其中所述掺杂剂在所述芯活性材料中；以及设置在所述芯活性材料的表面上并且包括包含第二金属元素的金属硼酸盐化合物的纳米结构体，其中所述第二金属元素与所述第一金属元素相同。
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公开(公告)号：CN106953070B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201610972528.4
申请日：2016-10-28
Abstract: 本发明涉及复合正极活性材料、包括其的正极、和包括正极的锂电池。复合正极活性材料包括：具有层状结构并且由式1表示的第一金属氧化物；和具有尖晶石结构并且由式2表示的第二金属氧化物，其中所述复合正极活性材料包括所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物的复合物，其中，在式1和2中，M和Me各自独立地为选自周期表的第2‑14族的至少一种元素，且所述复合物中的Li/(M+Me)的摩尔比小于1。式1LiMO2式2LiMe2O4。
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公开(公告)号：CN107689447A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710654885.0
申请日：2017-08-03
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M4/1391 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/364 , C01G23/005 , C01G25/00 , C01G45/125 , C01G53/006 , C01G53/50 , C01P2002/72 , C01P2002/74 , C01P2002/86 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C01P2004/84 , C01P2006/11 , H01M4/131 , H01M4/366 , H01M4/382 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/623 , H01M4/624 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2004/021 , H01M2004/028 , H01M2300/004 , Y02T10/7011 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M4/62
Abstract: 本发明涉及复合正极活性材料、包括其的正极、和包括所述正极的锂电池。复合正极活性材料包括由式1表示的复合物，其中，在式1中，M为钛(Ti)或锆(Zr)；M'为锰(Mn)、钒(V)、镁(Mg)、镓(Ga)、硅(Si)、钨(W)、钼(Mo)、铁(Fe)、铬(Cr)、铜(Cu)、锌(Zn)、钛(Ti)、铝(Al)、硼(B)、或其组合；和0
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公开(公告)号：CN107689447B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201710654885.0
申请日：2017-08-03
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M4/1391 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及复合正极活性材料、包括其的正极、和包括所述正极的锂电池。复合正极活性材料包括由式1表示的复合物，其中，在式1中，M为钛(Ti)或锆(Zr)；M'为锰(Mn)、钒(V)、镁(Mg)、镓(Ga)、硅(Si)、钨(W)、钼(Mo)、铁(Fe)、铬(Cr)、铜(Cu)、锌(Zn)、钛(Ti)、铝(Al)、硼(B)、或其组合；和0
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公开(公告)号：CN111613622A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201911241565.8
申请日：2019-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件可以包括交替地堆叠的多个字线结构和多个绝缘膜。所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的侧面限定了延伸穿过所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的沟道孔的侧面。所述器件还可以包括位于所述沟道孔的侧面上的阻挡介电膜，以及位于所述阻挡介电膜且分别位于所述多个字线结构的侧面上的多个电荷存储膜。所述多个电荷存储膜中的每一个电荷存储膜可以包括顺序地堆叠在所述多个字线结构的侧面中的相应侧面上的第一电荷存储膜和第二电荷存储膜。所述第二电荷存储膜的表面可以在其中间部分包括凹部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101165903B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200710181854.4
申请日：2007-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/26586 , H01L27/115 , H01L27/11524
Abstract: 非易失性存储器件包括在半导体衬底上的串选择栅极和地选择栅极，以及在串选择栅极和地选择栅极之间的衬底上的多个存储单元栅极。在多个存储单元栅极中的各个存储单元栅极之间，第一杂质区延伸到衬底中直至第一深度。在串选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的第一个存储单元栅极之间、以及地选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的最后一个存储单元栅极之间，第二杂质区延伸到衬底中直至大于第一深度的第二深度。还说明了相关制造方法。
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公开(公告)号：CN101022126B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200710006266.7
申请日：2007-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L27/04 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/82 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11541
Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体器件及制造该半导体器件的相关方法。在一个实施例中，本发明提供一种半导体器件，包括具有下硅图形和上硅图形并且设置在半导体衬底的有源区上的第一栅电极，其中上硅图形具有与下硅图形相同的晶体结构，并且由器件隔离层限定有源区。半导体器件还包括设置在有源区和第一栅电极之间的栅绝缘层。
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公开(公告)号：CN101165903A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181854.4
申请日：2007-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/26586 , H01L27/115 , H01L27/11524
Abstract: 非易失性存储器件包括在半导体衬底上的串选择栅极和地选择栅极，以及在串选择栅极和地选择栅极之间的衬底上的多个存储单元栅极。在多个存储单元栅极中的各个存储单元栅极之间，第一杂质区延伸到衬底中直至第一深度。在串选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的第一个存储单元栅极之间、以及地选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的最后一个存储单元栅极之间，第二杂质区延伸到衬底中直至大于第一深度的第二深度。还说明了相关制造方法。
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公开(公告)号：CN101022126A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710006266.7
申请日：2007-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L27/04 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/82 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11541
Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体器件及制造该半导体器件的相关方法。在一个实施例中，本发明提供一种半导体器件，包括具有下硅图形和上硅图形并且设置在半导体衬底的有源区上的第一栅电极，其中上硅图形具有与下硅图形相同的晶体结构，并且由器件隔离层限定有源区。半导体器件还包括设置在有源区和第一栅电极之间的栅绝缘层。
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公开(公告)号：CN1885559A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610090831.8
申请日：2006-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 提供一种具有不对称的栅电极结构和反转T形浮栅的选择晶体管的存储晶体管及其形成方法。邻近于存储晶体管的选择晶体管的栅电极具有基本上反转的T形图，而与存储晶体管相对的选择晶体管的栅电极近似具有箱形图。为了用反转T形状形成存储晶体管的浮栅，当打开用于存储晶体管的区域时，用于选择晶体管的区域被闭合。
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