公开(公告)号：CN1773699A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510120300.4

申请日：2005-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋垠锡 ,  李稀裼

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/49 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/50 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48233 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/4554

Abstract: 本发明提供一种半导体封装及其制造方法，其特征在于减小同时开关噪声的环形硅退耦电容器。该退耦电容器利用晶片制造工艺由硅制造在基板上且采用环形电容结构的形式，该环形电容结构围绕基板上安装的集成电路(IC)的周边延伸。该退耦电容器具有芯片级或低于芯片级的减小的厚度且代替传统电源/接地环。因此，该退耦电容器能够设置在封装内而不增加该封装的厚度和尺寸。该退耦电容器可连接到各种电源引脚，允许优化的导线键合、缩短的电连接、及减小的电感。连接到退耦电容器的键合导线具有较高的电阻率，降低了共振频率的峰且因此减小了同时开关噪声。